【課題】 溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の成長方法において、多結晶ＳｉＣの生成抑制と種結晶上への高品質のＳｉＣ単結晶の成長促進とを両立させる。
【解決手段】 ＳｉとＣと場合によりさらにＴｉまたはＭｎを含み、ＳｉＣが溶解している坩堝２内の融液１に、昇降可能なシード軸３に保持されたＳｉＣ単結晶からなる種結晶４を浸漬し、この種結晶上にＳｉＣ単結晶層を成長させる際に、坩堝内の融液上の自由空間に断熱性構造物20を配置して、融液自由表面の面内温度差が40℃以下となるようにする。シード軸の少なくとも一部の側面を断熱するか、および／またはシード軸の少なくとも一部を強制冷却して、シード軸からの抜熱を強化すると、結晶成長速度はさらに増大する。 （もっと読む）

【課題】 III属窒化物単結晶の下地膜を形成したテンプレート上にIII属窒化物単結晶を育成するのに際して、下地膜のフラックスへの溶解を防止し、良質のIII属窒化物単結晶を安定して育成可能な方法を提供する。
【解決手段】 表面にIII属窒化物単結晶の下地膜６が形成された基板５上に、ナトリウム金属を含むフラックス２を使用してIII属窒化物単結晶を育成する際に、III属窒化物単結晶の育成温度よりも低い保持温度で保持する前処理工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストで、高品質，大型のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液２４からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物２６の（０００１）面、あるいは、｛１０−１１｝面、あるいは、（０００１）面と｛１０−１１｝面とが混在した面で概ね覆われた領域から、（０００−１）面を成長面とするIII族窒化物結晶２７を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】融液の温度を単結晶の長手方向と平行した軸(X)に沿って測定する際、固液界面から単結晶と離れるほど融液の温度が徐々に上昇して最高点(H)に到達してから、融液の底部側に行くほど温度は徐々に下降するとともに、固液界面から最高点(H)までの上昇する融液温度の傾き(ΔTi)が最高点(H)から融液の底部までの下降する融液温度の傾き(ΔTd)より大きい状態、すなわち、ΔTi>ΔTdの条件を維持しながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、窒化ガリウム単結晶または窒化ガリウムアルミニウム単結晶の製造法および製造装置に関する。本発明による方法処理において本質的なことは、ガリウムのまたはガリウムおよびアルミニウムの蒸発を成長する結晶の温度を上回る温度で、しかし少なくとも１０００℃で実施し、かつ金属融液表面上で窒素前駆体と金属融液との接触を防止するように、窒素ガス、水素ガス、不活性ガスまたはこれらのガスの組み合わせからなるガスフローを金属融液表面に導通することである。
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少なくとも約３インチの直径と、約２０００ｃｍ^-2未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
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本発明はIII属元素を含む溶融金属中でのIII属金属のIII属窒化物への変換を増やす方法であって、III属元素を含む溶融金属中に１１００℃以下の温度、１×１０⁸Ｐa以下の圧力で窒素を導入し、溶媒添加物が前記III属元素を含む溶融金属中に加えられる。前記溶媒添加物は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｆｅのうちの少なくとも１つの元素、および／または、希土類元素のうちの少なくとも１つを含む合金、または複数の希土類元素の化合物、特に希土類元素の窒化物を含む。
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【課題】 従来のＭＯＣＶＤ装置はＧａＮ等の薄膜の形成に用いられるが、基板温度は１０００℃〜１１００℃程度までしか上げられない。１８００℃程度まで基板を加熱して薄膜成長できるような高温気相成長装置を与えることが目的である。
【解決手段】 フローチャネルをカーボン（Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、パイロリティックグラファイト（ＰＧ）、ＰＧコートカーボン、ＴａＣコートカーボン或いは導電性ＢＮによって作製し、フローチャネルの上側壁に基板を保持するための窓を開けておき、穴開き基板ホルダーによって窓に基板を下向きに保持し、フローチャネル窓の上方に昇降可能に抵抗加熱ヒータを設け上から下に向けて輻射熱を発生して基板とフローチャネルを加熱し、冷却した二つの原料ガスノズルからアンモニアとＴＭＡなどの有機金属ガスの原料ガスを供給して、基板の上にＡｌＮ薄膜を成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ及びＣ、又はＳｉ、Ｃ及びＭ（Ｍ：Ｔｉ，Ｆｅ，Ｍｎ及びＣｏのいずれか１種以上）からなる、ＳｉＣが溶解している融液中に、炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも種結晶基板周辺における溶液過冷却により炭化珪素を過飽和状態とすることによって種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、気泡を含まない良質なバルク炭化珪素単結晶を、2000℃以下の温度で実用的な成長速度で安定して製造する。
【解決手段】単結晶成長時における雰囲気ガスとして、単結晶成長温度での粘度ηが750μP (マイクロポアズ) 以下の非酸化性ガス、例えば、ヘリウムまたはヘリウムを主成分とする混合ガス、を使用する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、ＩＩＩ族金属を供給する供給管先端の詰まりが発生しない結晶成長方法及び結晶成長装置により、大きなＩＩＩ族窒化物結晶を得ることを目的とする。
【解決手段】アルカリ金属を含む融液中でＩＩＩ族金属と窒素を反応させてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法であり、ＩＩＩ族金属７を収容している容器からＩＩＩ族金属を融液１１中に供給することで継続的にＩＩＩ族窒化物結晶を成長する方法において、ＩＩＩ族金属の供給時以外には供給部材内のＩＩＩ族金属と窒素との気液界面をＩＩＩ族窒化物の結晶成長温度以下になる場所に移動させる。 （もっと読む）

本発明は、式Ａ_eＬｎ_fＸ_(3f+e)（この式のＬｎは一つ以上の希土類を表し、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩのうちから選ばれる一つ以上のハロゲン原子を表し、そしてＡはＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ又はＣｓなどの一つ以上のアルカリを表し、ｅはゼロであってもよいが３ｆ以下であり、ｆは１以上である）の多結晶性ハロゲン化物ブロックであり、水とオキシハロゲン化物の含有量が少ない多結晶性ハロゲン化物ブロックの作製方法に関する。該方法は、少なくとも一つのＬｎ−Ｘ結合を有する少なくとも１種の化合物と、所望のオキシハロゲン化物含有量を得るために十分な量のＮＨ₄Ｘとの混合物を加熱する工程であり、結果として希土類ハロゲン化物を含む溶融物を生じさせる加熱工程を含み、この加熱工程の後には冷却工程が続き、前記加熱工程は、３００℃に到達した後は、前記溶融物が得られる以前には２００℃よりも低い温度に決して低下しない。結果として得られるブロックは、並外れたシンチレーション特性を備えた非常に純粋な単結晶の成長を可能にする。 （もっと読む）

【目的】 高レベル放射性廃棄物に含まれているセシウム１３７（¹³⁷Ｃｓ）を簡単に抽
出して固定化することができるチタン酸ホランダイト単結晶の製造方法を提供する。
【構成】 モリブデン酸セシウムと酸化チタンを１０：０．５〜２のモル比で混合した混合塩を空気中で９００〜１１００℃の温度範囲で溶融して電気分解する。 （もっと読む）

【課題】
A₂B₆型、A₂B₅型等の種々の化学組成や、またサファイア等の耐熱性酸化物などに対し、汎用性の高い単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】
以下の方法で、高性能、かつ仕上がり構造が改良された結晶が得られる。その方法は、結晶化熱の除去を制御し、出発材料を溶融し、種結晶に溶融物を結晶化することで単結晶を引き上げる工程から成る。その方法で、独立の熱源が、２つの同サイズで同軸に配置された熱帯域を構成する。出発材料の溶融のため上部ヒーターに、溶融物を得るための電力の３０〜５０％を供給し、種結晶の安定した固相状態を確保する最大温度に達するまで上部帯域を加熱する。それから、残りの電力を、下部ヒーターに供給する。単結晶の拡大と成長は、上部加熱域において制御された温度低下と、一定に保たれている下部加熱域に供給された電力量で行われる。 （もっと読む）

【課題】 内部欠陥を低減し、内部透過率などの光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料が収納された坩堝を引き下げることで単結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記原料を溶融するステップと、前記坩堝を引き下げるにつれて、前記坩堝の底部の温度が高くなる温度分布を形成するステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

サファイアを含むいろいろな単結晶が開示される。単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。
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単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶／溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。複数の結晶引上チャンバは、連続的処理及び高スループットを提供する。
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本発明は、高結晶性の架橋高分子材料、例えば高結晶性の架橋超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）の製造方法に関する。本発明は、高圧および高温結晶化製法を使用し、酸化防止剤ドーピングした、高結晶性の架橋高分子材料を製造する方法、その材料から製造された医療用充填材、およびそれに使用する材料も提供する。
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本発明は、ＡｌＮ単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝（１０）の貯蔵領域（１２）内にあるＡｌＮ供給材料（３０）の一部から生成する。ＡｌＮ単結晶（３２）を坩堝（１０）の結晶領域（１３）内で気相から成長させる。少なくとも１つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の１つは、坩堝（１０）の内部帯域（１５）と、坩堝（１０）の外部帯域（１１）との間で、特に２方向に拡散することができる。
図１

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