【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを１×１０^−５ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】ネック形成時の融液温度を、ネック部形成に適した温度となるよう適切に制御することによって、ネック部形成の成功率を向上させ、プロセスの効率化を図ったシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、引き上げ工程は、所定の温度に設定された融液１０２に種結晶１０１を浸漬させた後、ネック部形成のための本引きを行う前に、ネック部を試し形成するためのネック試し引きを行うことを含み、このネック試し引きにより形成されたネック部の直径の変化およびネック試し引きの速度から、融液１０２の温度がネック部形成に適した温度であるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】酸性鉱化剤を使用しながら、アモノサーマル法によって均質な窒化物結晶を実用的な速度で成長させること。
【解決手段】臭化アンモニウムかヨウ化アンモニウムの少なくとも一方が溶解したアンモニア中に原料を溶解する領域の温度と、原料が溶解したアンモニアから窒化物結晶を成長させる領域の温度差を５〜７０℃にする。 （もっと読む）

溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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【課題】４５０ｍｍあるいはそれより大径の大口径シリコン単結晶を、これより小さな径の小口径シリコン単結晶と同等の品質で、しかも低コストかつ短時間にて製造することができる大口径シリコン単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の大口径シリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法によりルツボ１１内に収容されたシリコン融液４から大口径シリコン単結晶３を成長させる方法であり、大口径シリコン単結晶３及びルツボ１１を囲むように配置された断熱部材２１〜２５各々の形状を変更することにより、大口径シリコン単結晶３の引き上げ時の熱履歴を、２００ｍｍあるいは３００ｍｍの径の小口径シリコン単結晶の引き上げ時の熱履歴に模擬し、この模擬した熱履歴に基づき大口径シリコン単結晶３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 添加物を含むことなく、優れた蛍光出力を得ることができるシンチレータ用結晶を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシンチレータ用結晶。
ＣｅＸ_ｙ （１）
（一般式（１）中、ＣｅＸ_ｙは母体材料の化学組成を示し、Ｘはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、ｙは下記式（Ａ）：
２．５≦ｙ＜３．０ （Ａ）
で表される条件を満足する数値を示す。） （もっと読む）

本発明は、処理領域（２）を取り囲む成長室（１）、この成長室（１）の側壁（３）の内面を覆う側部部分（１０）を少なくとも有する主低温パネル、サンプルホルダー（６）、材料を蒸発させる少なくとも１つのエフュージョンセル（８）、気体状プレカーサーを前記成長室（１）に注入することのできるガスインジェクター（９）、前記成長室（１）に連結され、高い真空能力を提供することのできる排気手段（１１）を備えている、半導体材料のウエハを製造する分子線エピタキシー装置に関する。本発明によれば、本分子線エピタキシー装置は、少なくとも成長室壁（３，４，５）の内面を覆う断熱材囲い（１４）を備え、この断熱材囲い（１４）は、気体状プレカーサーの融点より低いか、これと同一である温度Ｔ_ｍｉｎを有する低温部と、高温部を備え、この高温部は、該高温部上の気体状プレカーサーの離脱速度が、気体状プレカーサーの吸着速度の少なくとも１０００倍以上であるような温度より高いか、これと同一である温度Ｔ_ｍａｘを有している。
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【課題】音速の温度依存性が改善された低コストのタンタル酸リチウム基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶から成るタンタル酸リチウム基板であって、Ｎｉ（ニッケル）を０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で含有させることにより、結晶の音速温度依存性が改善される。前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 （もっと読む）

指向性の高い熱伝導性を有するグラファイト製品を提供する。中間相ピッチ（１２）の中間相部分（１４）が互いに並んで、安定化される延伸中間相ピッチを生成する。必要によっては、前記グラファイト製品をさらに炭化および黒鉛化できる。
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【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）

本発明は、｛［（２Ｓ，５Ｒ，８Ｓ，１１Ｓ）−５−ベンジル−１１−（３−グアニジノ−プロピル）−８−イソプロピル−７−メチル−３，６，９，１２，１５−ペンタオキソ−１，４，７，１０，１３−ペンタアザ−シクロペンタデカ−２−イル］−酢酸｝の新規な固体物質、それらを生成するための方法、および医薬品における前記固体物質の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】径方向全域にわたって結晶欠陥のきわめて少ない単結晶が得られる引き上げ速度の範囲を拡大し、安定した育成ができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】強制冷却体１１および熱遮蔽体１２を具備する引き上げ装置を使用してＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際に、水平磁場１３を印加するとともに、単結晶９の成長界面における引き上げ軸方向の温度勾配Ｇを、下記（１）式および（２）式を満たすように制御し、結晶欠陥の少ない単結晶９を育成できる引き上げ速度で単結晶９の引き上げを行う。温度勾配の制御を、熱遮蔽体１２の下端開口部の開口径を調整することにより行うことが望ましい。ここで、Ｇｃ：単結晶９の中心部の温度勾配、Ｇｅ：単結晶９の外周部の温度勾配、Ｇｍａｘ、Ｇｍｉｎ：結晶半径方向でのＧの最大値または最小値である。（Ｇｍａｘ−Ｇｍｉｎ）／Ｇｃ≦０．１・・・（１）、Ｇｃ≦Ｇｅ・・・（２） （もっと読む）

【課題】目的とする炭化珪素単結晶とは異なる異種多形の少ない良質な単結晶インゴットが生成される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素を含む種結晶６０と昇華用原料とを離間させて配置すると共に、これらの種結晶６０と昇華用原料を加熱して、昇華用原料から生成した昇華ガスを種結晶６０に供給し、種結晶６０から単結晶７０、１００を成長させる炭化珪素単結晶７０、１００の製造方法であって、単結晶７０の結晶成長面７０ａに異種多形が生成したときに、この結晶成長面７０ａを炭化させて炭化層９０を形成したのち、炭化層９０から単結晶１００を再度成長させる。 （もっと読む）

【課題】高結晶性、高純度で制御された形状を有し、基板と一定の方向を有する単結晶貴金属ナノワイヤの製造方法の提供。
【解決手段】ハロゲン化貴金属である前駆物質を反応炉の前端部に位置させて、前駆物質の温度を制御し、単結晶基板を反応炉の後端に位置させ、一定な圧力下で、前記反応炉の前端部から前記反応炉の後端部に不活性気体が流れる条件で、前記単結晶基板上に前記単結晶基板とエピタキシャル関係を有するツインフリー単結晶体の貴金属ナノワイヤを製造する。 （もっと読む）

【課題】種結晶や育成中のシリコン単結晶に転位が導入された場合であっても、新しい種結晶を使用せずに、無ネッキング法によりシリコン単結晶を育成する方法等を提供する。
【解決手段】特定の濃度のドーパントを含有する種結晶７を使用し、シリコン単結晶６の製造中に、種結晶７もしくは育成中のシリコン単結晶６に転位が導入された場合には、種結晶７を新たな種結晶７に交換することなく、種結晶７を融液５に前回着液させたときよりも深く融液５に浸漬させ、又は、種結晶７が別のシリコン単結晶６の製造で使用されたことのある再生品であり、かつ種結晶７が転位を含む場合には、種結晶７の端部のうち転位を含む端部を融液５に着液させてから、種結晶７のうち転位を含む部分を融液５に浸漬させ、種結晶７のうち融液５に浸漬させた浸漬部分を溶融させた後、種結晶７からネッキング部を設けずにシリコン単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、成長基板における温度分布の不均一性を改善する技術を提供する。
【解決手段】流体を流すための多孔質流路層１５と、多孔質流路層１５を狭持し、水素を選択的に透過する第１と第２の電極層１１，１２とを備える成長用基板１０を準備する。成長用基板１０の第１の電極層１１側の外表面に、カーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒金属２０を担持させる。第１の電極層１１には、原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、多孔質流路層１５にプロトン伝導性を有するイオン性液体を流しつつ、第１と第２の電極層１１，１２の間に、第１の電極層１１側を陽極として電圧を印加する。これによって、第１の電極層１１側における副産物である水素を第２の電極層１２側へと移動させる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）塊状単結晶を製造するための方法と単結晶ＡｌＮ基板を提供する。
【解決手段】中心長手軸線１８を有する単結晶ＡｌＮ種結晶１５を坩堝装置３の結晶成長領域４内に配置し、成長段階の間に結晶成長領域４内にＡｌＮ成長気相１６を生成し、成長気相１６を坩堝装置３の貯蔵領域５内にあるＡｌＮ原材料２１から少なくとも一部を供給し、ＡｌＮ塊状単結晶２をＡｌＮ成長気相１６からＡｌＮ種結晶１５上に析出させることで中心長手軸線１８と平行に向いた成長方向１７に成長させ、浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１の少なくとも酸素割合が減らし、坩堝装置３に設けた析出室８内で浄化段階の間にＡｌＮ原材料２１から蒸発した酸素含有成分を析出させ、ＡｌＮ原材料２１を浄化段階の終了後、成長段階全体の間、無酸素雰囲気内で保持する。 （もっと読む）

【課題】アンモニアを窒化源として用いることができ、かつ、大量のアンモニアを用いることなく、既存のＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）装置に簡単な改良を施すだけで高品質のＩｎ系ＩＩＩ族元素の窒化物を製造することができるＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアを分解してＩｎ系ＩＩＩ族元素に供給し、Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物を製造するＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法において、前記アンモニア４を触媒６によって分解する。前記触媒とともに又は前記触媒として、水素吸収性を有する材料を用いてもよい。Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物がＩｎＮである場合には、ＩｎＮの成長温度を５００℃〜６００℃とするとよい。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）