【課題】アモノサーマル法における自発核生成を利用して、最大寸法が１ｍｍ以上である窒化物単結晶を得ることができる、窒化物単結晶の新規製造方法の提供。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤を該アンモニアに添加して、アモノサーマル法により該窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、
該耐腐食性オートクレーブ内には、該窒化物多結晶を配置する部位と該窒化物単結晶を析出させる部位とが存在しており、
該窒化物単結晶を析出させる部位の温度は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、該窒化物多結晶を配置する部位温度よりも、平均温度で、高く保持され、そして
該耐腐食性オートクレーブ内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている、
ことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法において、簡便な方法によりテンプレート基板のサファイア基板を分離すること。
【解決手段】ＧａとＮａの混合融液中にサファイア基板１００とＧａＮ層１０１とからなるテンプレート基板１０２を置き、混合融液の温度を８５０℃、窒素の圧力を２．５ＭＰａとして、ＧａＮ層１０１の一部をサファイア基板１００が露出するまでメルトバックし、ＧａＮ層１０１を複数の立設した柱状に残した。次に、圧力を３ＭＰａに加圧し、ＧａＮ層１０１上にＧａＮ層１０３を結晶成長させた。次に、降温によってサファイアとＧａＮとの線膨張係数差、格子定数差による応力を生じさせ、ＧａＮ層１０１にクラックを発生させた。これにより、ＧａＮ層１０３とサファイア基板１００とを分離させた。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を、イオン性溶媒６に溶解した溶液または融液中で第１３族金属窒化物結晶１の成長を行う。溶液または融液は下記式（１）で表される窒素濃度Ｘ_Nを有する。式（１）Ｘ_N＝Ｋ・Ｐ^１／２［上式において、Ｘ_Nは溶液または融液中の窒素濃度（ｍｏｌ％）、Ｋは下記式（２）で表される比例定数、Ｐは溶液または融液を含む結晶成長装置内の圧力（ＭＰａ）である。］式（２）Ｋ≧０．００１Ｔ−０．８５［上式において、Ｔは溶液または融液の温度（Ｋ）である。］ （もっと読む）

本発明は、シリコンインゴットの引き出し装置及び方法に関する。本発明は、コールドるつぼ内に形成されたシリコン融液が流入されるチャンバと、前記チャンバに垂直方向に移動可能に設けられ、前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを引き出す１次引き出し装置と、前記１次引き出し装置を水平方向に移動させる移動装置と、前記チャンバの下部に垂直方向に移動可能に設けられ、前記１次引き出し装置が側方に移動した状態で前記シリコンインゴットを引き出す２次引き出し装置と、を含む。このような本発明によれば、引き出し装置の高さが減少することによって、設備にかかる製造費用を節減することができ、引き出し装置が設けられる空間をも低減することができる効果がある。
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【課題】直径の効果的な制御を維持しつつ、同時に、ＦＰＤｓ又はＬｐｉｔｓのような不都合な欠陥の形成を確実に回避できるようにする。
【解決手段】直径が一定の区分を備えたシリコンから成る単結晶を引上げるための方法であって、
予め規定された目標引上げ速度ｖ_ｐ［ｍｍ／ｍｉｎ］で単結晶を引上げ、
単結晶と、単結晶に隣接する融液の領域に熱を供給する、融液の上方に配置された第１の熱源の熱出力を、（２×１８ｍｍ）／ｖ_ｐよりも長くない一定の期間Ｔで直径変動が修正されるように制御することにより、直径が一定の区分における単結晶の直径を予め規定された目標直径に制御する。 （もっと読む）

本発明は、固有るつぼを用いて半導体材料からＦＺ法による材料特性を有する単結晶を製造する方法および装置に関する。この方法により、公知の方法の典型的な欠点を解消するのが望ましい。チョクラルスキー法では、るつぼにより融解物ひいては結晶が汚染され得る。ペデスタル法では、引き上げられる単結晶は、常に、用いられる素材棒よりも小さな直径を有している。本発明によれば、単結晶（６）が、誘導体（４）の中央開口（５）を通って引き上げられ、誘導体は、平らなディスクとして構成され、高周波磁界透過性の容器（１）内に存在する半導体材料（２）から成る粒状の堆積物の上側に配置されている。誘導体（４）は、追加的な開口を備えており、開口を通って再充填装置（１０）を介して半導体材料が再充填可能である。粒状の半導体材料は、溶融池（７）のための容器としていわゆる「固有るつぼ」を形成する。溶融池（７）の大きさは、溶融池の上側に配置される誘導体（４）によりコントロールされる。溶融池（７）が中央で結晶化相境界の下側で大きな結晶直径にとって十分な深さを有するために、追加的な誘導加熱装置（８，９）が設けられている。誘導加熱装置（８，９）は、好適には複数巻きのコイルとして構成されており、その巻体は、容器の周りに配置されている。この方法を実施するための装置が提案される。
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【課題】径方向全域にわたりＯＳＦおよびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中の単結晶を囲繞する水冷体１１と、この水冷体１１の外周面および下端面を包囲する熱遮蔽体１０と、上下に分割されてルツボを囲繞する上側ヒータ４ａおよび下側ヒータ４ｂとを配置し、各ヒータ４ａ、４ｂの出力を調整してルツボ底中心部での融液温度を１４９０℃以下に制御しつつ、原料融液９に横磁場を印加しながら、単結晶８の温度が融点から１３００℃までの範囲にて、引き上げ軸方向の温度勾配を単結晶中心部ではＧｃ、外周部ではＧｅとするとき、Ｇｃ／Ｇｅ＞１を満足する条件で引き上げを行う。これにより、径方向全域で無欠陥領域となる引き上げ速度の許容範囲が拡大し、径方向全域にわたり無欠陥領域となる単結晶８を歩留り良く安定して育成できる。 （もっと読む）

【課題】水素添加した場合のシリコンサブストレートウェハのボイドから発生するエピタキシャル層欠陥を抑制・防止する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、水素、および窒素をシリコン融液に添加し、窒素濃度が３×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン結晶を引き上げる工程と、シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、＋IIIの原子価を有するランタニドイオンがドープされたスカンジウム、イットリウム又は希土類金属の立方晶系三二酸化物（空間群番号２０６、Ｉａ−３）のバルク又は薄膜単結晶を高温フラックス成長技術により製造する方法及びこの方法により得られた単結晶の様々な用途、特に光学分野での用途に関する。 （もっと読む）

多結晶シリコンを取得するための装置（1）であり：そのシリコンに対して石英で作られ、カップ形状のグラファイト容器（4）に除去可能に収納された少なくとも1つのるつぼ（3）；流体密封の開けることが可能なケーシング（5）；グラファイトプレート（14）が介在した状態でるつぼに向かい合って配置された上部誘導コイル（12）、グラファイト容器の側壁（17）の周りに配置された側部誘導コイル（16）、及びそのグラファイト容器の底壁（19）に向かい合って配置され、その底壁からの距離（D）を変更するために垂直に可動式である底部誘導コイル（18）；及び誘導コイルの交流電力供給のための第1手段（20）、及びそれらの誘導コイルのそれぞれの中空巻き内で冷却剤を供給するための第2手段（21）；を含み、その底部誘導コイルは、格子柄スキームに従って、絶縁された支持プレー多（35）によって定められる全く同一の平面においてお互いに平行に配置された4つのらせん状の巻き（31‐34）を含み；電気スイッチ手段（40）は、使用中においてその4つの巻き（31‐34）を異なる構成に従ってお互いに選択的に接続することを可能にする。

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【課題】低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１５とＳｉを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層１６とを接触させることによって、基板１５上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板１５との接触部とは反対側の融液層１６の表面１６ｂ側から、Ｓｉを含む分子とＣを含む分子とを含むプラズマ１７を供給し、かつ融液層１６の基板１５との接触部における温度を融液層１６の表面１６ｂにおける温度より低くする。 （もっと読む）

【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い結晶成長温度であっても特別な装置を必要とせず単結晶中の多結晶の混入確率およびボイド密度を低減し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により原料溶液からＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、溶液界面の面積（Ｓｓ）に対するＳｉＣ種結晶の表面積（Ｓｃ）の割合（Ｓｃ／Ｓｓ）を０．１３以下、結晶成長開始前の坩堝内の雰囲気圧力を５５ｋＰａ以上とするＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器１内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料５から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン成長空間の熱的不平衡度を解消し、今後の技術展望に対応して鋳塊装置の高さ方向への大きさ制約による問題点を解消するとともにドアの大きさをふやすことができる多結晶シリコン鋳塊製造装置を提供する。
【解決手段】 所定大きさの真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に備えられ、シリコン原材を収容するるつぼと、前記るつぼ内のシリコン原材を溶融させるために熱を加えるヒーターと、前記るつぼの下側に備えられるサセプタと、前記るつぼ内に溶融したシリコン結晶を成長させるために熱を放出させる冷却板と、前記るつぼと冷却板の間に備えられ、放熱を拘束するドア開閉装置と、前記るつぼの温度を測定する温度センサーと、前記温度センサーの出力値を受けてるつぼ内の温度を制御する制御部とを含む多結晶シリコン鋳塊製造装置であって、前記ドア開閉装置は所定間隔を置いて開放部が形成された第１ドアと第２ドアを含んでなり、前記第１ドアと第２ドアの相対回転によって開放部を選択的に開閉する駆動部を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の直径制御、および単結晶の引き上げ速度の移動平均値の制御を併用することにより、結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を作製することが可能な単結晶の製造方法、及びこの製造方法により作製された単結晶を提供する。
【解決手段】移動平均制御、または直径制御のいずれかを重点制御方法として引上げを行っている際に、常に他方の制御方法のパラメータ、即ち、移動平均制御を重点制御としている場合の結晶直径の変動値、および直径制御を重点制御としている場合の移動平均の変動値も、リアルタイムで同時に参照（監視）しつつ引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｓを製造する製造方法は、単結晶製造装置１において、坩堝６中の溶融されたシリコン原料Ｆに１０００ガウス以上５０００ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を８ｒｐｍ以下に制御して単結晶Ｓの成長を実行する。さらに下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、単結晶Ｓ中の酸素濃度を更に低減することが可能となる。 （もっと読む）

結晶を成長させるという様な、材料を加工するのに使用される真空炉での無用の副次的反応を最小限にするための方法である。プロセスは、炉室環境で施行され、ヘリウムが炉室へ、不純物を洗い流す流量で、且つ加熱ゾーンに熱安定性を実現し、熱流の変化を最小限にし、加熱ゾーンの温度勾配を最小限にする所定の圧力で投入される。冷却中は、冷却率を上げることを目的に、ヘリウム圧力を使用して熱勾配の縮小が図られる。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）