【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒３存在下にて窒化物半導体結晶２の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 （もっと読む）

【課題】ガイドに多結晶が付着することを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器９には、中空部９ｂを構成する側部９ｄに当該反応容器９の中心軸に沿った導入通路９ｃを形成する。ガイド１０には、内部が空洞とされて空洞部１０ｃを構成すると共に空洞部１０ｃを導入通路９ｃと連通する連通孔１０ｄを形成し、筒部１０ａの内周壁面に空洞部１０ｃと中空部９ｂとを連通する第１出口孔１０ｅを形成する。そして、導入通路９ｃおよび空洞部１０ｃを介して第１出口孔１０ｅから不活性ガス１６またはエッチングガスを中空部９ｂに導入する。 （もっと読む）

【課題】高品質で大型のＴＧＧ結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。前記ＴＧＧ結晶は、組成Ｔｂ₃ Ｍ_x Ｇａ_5-x Ｏ₁₂で表され、ＭがＳｃ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種の３価元素であって、基板がＧＧＧの場合には０．１≦ｘ≦０．５を満たし、基板がＳＧＧＧの場合は０．９≦ｘ≦１．６５を満たしており、且つ前記基板と育成したＴＧＧ結晶の垂直方向の格子定数差を±０．０２Å以下とする。必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ₂ Ｏ₃ をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。融液中に、ＳｉＯ₂ 、ＧｅＯ₂ 、ＴｉＯ₂ から選ばれる１種以上の酸化物、あるいはＣｅＯ₂ が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したＴＧＧ結晶を還元処理する。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ長尺な単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内には、単結晶９の原料２および種結晶４が対向配置される。また坩堝１内には、原料２が昇華したガスを種結晶４へと導くガイド３および種結晶４の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング６が配設される。坩堝１の内壁、ガイド３およびタンタルリング６で囲まれる密閉空間には、断熱材５が配設される。以上の構成の坩堝１を加熱して原料２を昇華させることにより、種結晶４上に単結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】防食性に優れている反応容器を用いて窒化物半導体結晶を効率良く育成し、育成後の反応容器の再利用を図りやすくすること。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒存在下にて窒化物半導体結晶の成長を行い窒化物半導体結晶を製造する際に、該反応容器内の空間に対して露出している、該反応容器及び該反応容器内で使用される部材の表面の少なくとも一部を、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｇ、ＰｄおよびＲｈからなる群より選択される少なくとも１種の貴金属を含む材料で構成し、且つ表面粗さ（Ｒａ）を０．０８μｍ〜３．０μｍとする。 （もっと読む）

【課題】半導体単結晶の直径変動を低減し、その直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制し、設定通りの半導体単結晶を引上げて、高品質な半導体単結晶を製造する。
【解決手段】半導体原料をヒータ１８により融解してるつぼ１３に半導体融液１４を貯留し、予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶１１の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の半導体単結晶１１の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する。この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程（1）、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程（2）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（3）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（4）を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみｃ軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】攪拌構造体を内部に配置する坩堝のセットを容易とさせることが可能な窒化ガリウム結晶の成長方法の提供。
【解決手段】フラックス法を用いた窒化ガリウム結晶の成長方法であって、ガリウム３ｂの融点よりも高い融点を有するフラックス剤としてのナトリウム３ａを溶融状態で坩堝１１内に保持させると共に、溶融状態のナトリウム３ａに浸るように攪拌構造体５２，８０を坩堝１１内に配置するフラックス剤供給工程と、フラックス剤供給工程の後に、ナトリウム３ａの融点未満の温度まで冷却して、ナトリウム３ａを上記攪拌構造体と共に固化させる冷却工程と、冷却工程の後に、ガリウム３ｂの融点以上、且つ、ナトリウム３ａの融点未満の温度で、坩堝１１内において固化させたナトリウム３ａの上にガリウム３ｂを保持させる原料供給工程と、を有するという手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第１３族窒化物結晶の製造法を提供する。
【解決手段】少なくともＮａと第１３族元素と窒素元素とを含む液相中で第１３族窒化物結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法において、前記液相の表面と接しかつ少なくとも前記液相の表面から上部２０ｍｍの高さまでを満たす気相が存在し、前記液相表面部分の温度Ｔ１（Ｋ）と、前記液相表面から鉛直方向に２０ｍｍ離れた気相部分の温度Ｔ２（Ｋ）とが、式（１）を満たすようにして結晶を成長させる第１３族窒化物結晶の製造方法。
０＜（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１＜ ０．０１５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ３内に収容した原料７及び液体封止材８を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶４を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶１１を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部１１ａにガス吹き付け装置１２によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を８〜１５℃／ｍｍに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 （もっと読む）

【課題】 低濃度の窒素及び低い拡張欠陥密度を含む単一結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、低濃度の窒素を含むダイヤモンドの結晶完全性を改良する方法に及ぶ。詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には２１００から２５００℃の間の温度及び６〜８ＧＰａの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】溶液法において三次元成長および凸状成長を抑制して、平坦性の高いＳｉＣ単結晶を成長させる装置および方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ溶液を収容する容器、
該容器内の該ＳｉＣ溶液を適温に維持する温度制御手段、
ＳｉＣ種結晶をその結晶成長面の裏面全体に面接触した状態で保持する保持手段として作用し、且つ、該ＳｉＣ種結晶を冷却する冷却手段として作用する下端部を有する保持軸、および
該結晶成長面にＳｉＣ単結晶が継続的に成長するように、該結晶成長面を該ＳｉＣ溶液に接触させた状態に維持するための該保持軸の位置制御手段、
を備えたＳｉＣ単結晶の製造装置であって、
該保持軸の下端部は、該面接触した該結晶成長面の面内温度分布を均一化するための均熱手段を有することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体結晶の製造方法は、（ａ）１種以上の１２族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して１２族金属前駆体溶液を得る段階と、（ｂ）１種以上の１６族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して１６族元素前駆体溶液を得る段階と、（ｃ）前記１種以上の１２族金属前駆体溶液と１種以上の１６族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含み、前記結晶のサイズ分布を表す光励起発光スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以下、かつ、発光効率が３０％以上であり、前記１２族金属前駆体溶液、及び前記１６族元素前駆体溶液の濃度は０．００１Ｍないし２Ｍであり、前記（ａ）段階において、加熱が１００ないし４００℃であり、前記（ｃ）段階において、反応温度は５０℃ないし４００℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族および関連する単結晶半導体化合物が、封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によって成長する。
【解決手段】サポート・シリンダは、統合されて封止されたアンプル・るつぼ装置を支持し、その一方で、サポート・シリンダの内部の低密度断熱材が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料を貫通する輻射チャネルによって、シード・ウェルおよび結晶成長るつぼの移行領域に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェルの直下に位置する断熱材中の中空コアによって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】 収容液体を効率よく撹拌する。
【解決手段】 耐圧容器２内にて、反応容器３に収容したフラックスとなる液体Ｎａ５と液体Ｇａ６の混合液体４を、窒素ガス８の存在下で加圧及び加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１における反応容器３の下部外周に、ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを設ける。反応容器３の中央部の上方に、ガリウム供給管１０の吐出口１３を配置する。ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによる反応容器３の下部外周に位置する混合液体４の局部加熱により、混合液体４に、反応容器３の内底部の中央部に配置した種結晶基板１１の真上となる反応容器３中央部でダウンフローとなる熱対流を発生させると共に、そのダウンフローを、ガリウム供給管１０より滴下供給する液体Ｇａ６による反応容器３中央部に位置する混合液体４の局部冷却により促進して、混合液体４を撹拌させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）