【課題】単結晶の周囲に配置された熱遮断筒の下端と融液面との距離を正確に測定する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、ルツボ５ａ内に収容したシリコン融液２から単結晶３を引き上げる際に、融液面と単結晶３を包囲している炉内構造物１０の下端部との相対距離を測定する方法であって、少なくとも、単結晶３と融液面との接点である単結晶３の成長点と炉内構造物１０の下端部とを炉外からＣＣＤカメラ１１で撮影し、得られた画像から、単結晶３の直径が最大となる成長点の位置と炉内構造物１０の内径が最大となる位置とを検出し、単結晶３の直径が最大となる成長点の位置と炉内構造物１０の内径が最大となる位置を融液面上に投射した位置との差を求めて、求めた位置の差を画像上における縦方向の位置の差とし、縦方向の位置の差とＣＣＤカメラ１１の鉛直方向に対する設置角度とを用いて、融液面と炉内構造物１０の下端部との相対距離を算出する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を小さくしても、再現性よく転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液６を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程において、結晶成長速度を０μｍ／ｈｒから１μｍ／ｈｒ²以下の速度変化率で徐々に増大させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｎｉ・Ｃｏ・Ｍｎ系多元素ドーピングしたリチウムイオン電池用正極材料及びその製造方法を提供する。本発明の電池用正極材料の製造方法として、まず沈殿法または化学合成法を用いて、Ｎｉ・Ｃｏ・Ｍｎ系多元素ドーピングした中間物を製造し、該中間物をリチウム塩と混合して前処理し、得られた混合物にポリビニルアルコールを投入し、均一に混合してから塊状物にプレス加工する。該塊状物を焼成炉に入れて８００〜９３０℃で焼成し、取り出して冷却、粉砕し、４００目開きの篩で篩分けを行い、篩目を通過した粉末材をさらに焼成炉に入れ、７００〜８００℃で焼成した後、取り出して冷却、粉砕することで、本発明に係る電池用正極材料を得る。この正極材料の粒子は、非集結単結晶粒子であり、粒子径が０．５〜３０μｍであり、一般式ＬｉＮｉ_xＣｏ_yＭｎ_zＭ_(1-x-y-z)Ｏ₂で表され、圧縮密度が３．４ｇ/ｃｍ³、初期放電容量が１４５〜１５２ｍＡｈ/ｇで、優れたサイクル特性及び高安全性を有する。
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【課題】容易かつ安価に、低温でシリコン結晶を製造することができるシリコン結晶の製造方法および太陽電池膜の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下で、粉末、バルク体または融液から成る金属ナトリウム１と、バルク体または粉末から成るシリコン２とを、６２０℃以上の温度で加熱して混合体３を作製する。その混合体３からナトリウムを蒸発させてシリコン結晶を成長させるよう、混合体３を７００〜９００℃の温度で加熱する。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成において、雑晶の発生を抑制することができるIII族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、窒素溶解手段１０と、電磁ポンプ１１と、配管１２と、配管１２に連結接続し、種結晶１８が配置された育成用配管１３と、育成用配管１３の外側に配置された温度制御装置１４ａとを有している。窒素溶解手段１０により窒素を溶解させた混合融液１７は、電磁ポンプ１１により配管１２内を結晶しない温度、圧力で循環する。温度制御装置１４ａによる温度制御とバルブ１２ｖ１、ｖ２による圧力制御によって育成用配管１３内のみが結晶育成可能な状態にする。混合融液１７が軸方向に流動した状態でＧａＮ結晶が育成するため、雑晶の発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高抵抗率で高品質な大口径ＳｉＣ単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不可避的に混入する未補償不純物を原子数密度で１×１０^１５／ｃｍ^３以上、１×１０^１７／ｃｍ^３以下含有し、かつバナジウムを５×１０^１４／ｃｍ^３以上、未補償不純物濃度未満含有し、未補償不純物とバナジウムの濃度差が１×１０^１７／ｃｍ^３以下であり、ウエハとして測定した室温での電気抵抗率が５×１０^３Ωｃｍ以上である炭化珪素単結晶、及び、種結晶１を使用する昇華再結晶法により単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造法であって、昇華原料２として炭化珪素とバナジウム又はバナジウム化合物の混合物を用い、結晶成長に使用する黒鉛坩堝３の窒素含有濃度が、不活性ガス融解熱伝導度法による測定で５０ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】光の吸収係数の小さいＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】反応容器５１内にアルカリ金属元素含有物１と、ＩＩＩ族元素含有物２と、窒素元素含有物３とを導入する工程と、反応容器５１内に少なくともアルカリ金属元素、ＩＩＩ族元素および窒素元素を含有する融液５を形成する工程と、融液５からＩＩＩ族窒化物結晶６を成長させる工程とを含み、融液５からＩＩＩ族窒化物結晶６を成長させる工程において、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長温度を８８０℃以上とする。 （もっと読む）

【課題】ＶＯ₂（Ｍ）（単斜晶型）ナノワイヤ等の一次元ナノ構造体を低温かつ高速に再現性良く形成することができる一次元ナノ構造体の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】基板２に対向して、ＶＯ₂ターゲット７を配し、この状態でレーザー光１０をターゲット７に照射し、これによって生じたターゲット昇華物質と雰囲気ガスとによって発生するプラズマ（プルーム１１、１２）が基板２に実質的に届かないようにする圧力条件下で、ターゲット昇華物質をクラスター１４として基板２に付着させてＶＯ₂（Ｍ）ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】液相成長法において、種結晶の結晶成長面における多核成長およびインクルージョンの発生を抑制し、前記結晶成長面に結晶を層成長させることが可能であり、結晶の品質、厚みの均一性および成長レートが向上したＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素、アルカリ金属およびＩＩＩ族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、前記結晶成長容器内１８を加圧加熱し、前記ＩＩＩ族元素、前記アルカリ金属および前記窒素を含む融液２１中で前記ＩＩＩ族元素および前記窒素を反応させ、前記種結晶２０を核としてＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記融液２１を、前記結晶成長面２２に沿って一定方向に流動させた状態で、前記種結晶２０の結晶成長面２２にＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】育成中に破裂することなく、グローイン欠陥の無いシリコン単結晶を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配の比Ｇc₁／Ｇeが１．２〜１．３となるように育成中の単結晶１１の外周部を冷却する。熱遮蔽体２８下端とシリコン融液１５表面との間のギャップを４０〜１００ｍｍに設定し、パーフェクト領域からなるか或いはこのパーフェクト領域の引上げ時よりも引上げ速度が大きい領域からなるように、単結晶１１の引上げ速度ｖと単結晶１１中心部における融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配Ｇc₂との比ｖ／Ｇc₂を０．１６〜０．２０ｍｍ²／(℃・分)に制御する。さらに、単結晶１１の引上げ速度を制御して、固液界面３３上の単結晶１１中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、８００℃以上１５００℃以下の雰囲気温度および５００気圧以上２０００気圧未満の雰囲気圧力下で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】正確な推定温度に基づいて育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１に収容された坩堝１２にシリコンを貯留し、シリコンを加熱してシリコン融液２０とし、シリコン融液２０に種結晶２２を浸漬して回転させながら引き上げることにより、種結晶２２からシリコン単結晶２１を引き上げて育成する方法であって、整流体１８の断熱材の熱伝導率の最適値とチャンバ１１内壁の輻射率の最適値とを、育成中のシリコン単結晶２１の実温度を測定することにより求め、最適値を総合伝熱解析プログラムに代入し、総合伝熱解析プログラムを実行して育成中のシリコン結晶温度を推定し、推定されたシリコン結晶温度に基づいて育成中のシリコン単結晶２１の冷却条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長を改善するための方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、公称引き上げ速度で、ルツボ１００６中の融液１００８から結晶１００４を引き上げる工程と、ルツボ１００６中の融液レベルの減少を補償する、ルツボ持ち上げ信号を発生する工程と、結晶１００４の直径に基づいて、修正信号を発生する工程と、直径を実質的に一定にしておくために、ルツボ持ち上げ信号と修正信号とを組み合わせる工程とを具える。 （もっと読む）

【課題】拡径部における無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、先端２の尖ったシリコン種結晶１をシリコン融液に接触させた後、種結晶１を保持することによって保温をし、その後種結晶１を先端２から所定の直径の位置Ａまでシリコン融液に溶かし込み、ネッキングを行って絞り部３を形成し、続いて拡径して拡径部４、直胴部５を形成して単結晶棒を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、直前２回分の種結晶１をシリコン融液に接触させたときのシリコン融液の表面温度と絞り部３の最小直径Ｗとの関係から、今回の種結晶１をシリコン融液に接触させるときのシリコン融液の温度を補正した後、補正後のシリコン融液の温度において種結晶１をシリコン融液に接触させた後、保温し、その後の工程を行って単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録を達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】Ｂ₂Ｏ₃成分を含むガラス形成成分および六方晶フェライト形成成分を含み、かつ上記Ｂ₂Ｏ₃成分をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜２７モル％含む原料混合物を溶融し溶融物を得ること、上記溶融物を急冷し、飽和磁化量が０．６Ａ・ｍ²／ｋｇ以下である固化物を得ること、ならびに、上記固化物を６００〜６９０℃の温度域まで加熱し該温度域に保持することにより平均板径が１５〜２５ｎｍの六方晶フェライト磁性粉末を析出させること、を含む六方晶フェライト磁性粉末の製造方法。非磁性支持体上に、上記方法により製造された六方晶フェライト磁性粉末と結合剤とを含む磁性層を有する磁気記録媒体。上記方法を含む磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置は、少なくとも、種結晶２の周りにＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を収容することができる反応容器２１を有するＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置であって、種結晶２を局所的に冷却するための冷却材４２を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は人工結晶分野の低温β−ＢａＢ_２Ｏ_４単結晶、その育成方法およびそれによる周波数変換器部品を提供する。溶融塩法を採用し本単結晶が得られる。この単結晶は完全にＢＢＯ潮解性が強い欠点を克服し、ほとんど潮解しない。本単結晶のダブル周波数の効果と光損傷限界値はＢＢＯ結晶に比べかなり改善され、かつ硬度も著しく増加している。この単結晶はショア硬度が１０１．３で、モース硬度が６であることに対し、ＢＢＯはショア硬度が７１．２で、モース硬度が４である。可視光―紫外線光エリアの透過率曲線のテストにより、この単結晶のカットオフ波長が１９０ｎｍで、吸収開始波長が２０５ｎｍである。これらはＢＢＯの性能より優れていて、ＢＢＳＡＧがレーザー非線形光学分野、紫外線、深紫外線周波数変換器部品などにおいて将来性がある。 （もっと読む）

溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

超臨界流体を処理するための高圧装置及びそれに関連する方法を提供する。本装置は、カプセルとヒータと少なくとも１つのセラミック製のリングとを含むが、複数のリングであってもよく、このリングには、選択的に、１つ以上のスクライブマーク及び／又はクラックが存在する。本装置は、選択的に各セラミックリングを含む金属スリーブを有する。さらに、本装置は、高強度エンクロージャと、随伴した断熱材を有する端部フランジと、電力制御システムとを有する。本装置は、０．２〜２ＧＰａの圧力及び４００〜１２００℃の温度にすることができる。 （もっと読む）