【課題】ＳｉＣ基板のジャスト面を用い、エピタキシャル成長が高速で行われ、かつ平坦な表面の成長表面を有するＳｉＣ結晶膜の製造方を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、ＴｉおよびＡｌを黒鉛製るつぼ５に収容し、１８５０〜２１００℃に加熱して、Ｔｉが１５ａｔ％〜２５ａｔ％、Ａｌが１ａｔ％〜１０ａｔ％で、残りがＳｉ−Ｃである融液を生成する。この融液に対し、４Ｈ−ＳｉＣ基板３のジャスト面を表面接触させることにより、ＳｉＣ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶９の育成の際、ショルダー部９ａを形成した後の直胴部９ｂの育成過程で有転位化が生じたとき、直ちにルツボ２を加熱するためのヒータ４の出力を瞬時に大幅に上げてテイル部９ｃの形成を行い、テイル部９ｃの形成長さを短くしてシリコン単結晶９をルツボ２内のシリコン融液６から切り離す。これにより、有転位化の発生位置Ｄからテイル部９ｃの下端までの長さＬが短くでき、シリコン単結晶９内に残留する熱応力の緩和が図れ、シリコン単結晶９の破断や破裂を引き起こす亀裂の発生を防止することができる。 （もっと読む）

垂直ブリッジマン法を用いて新規な溶融物から成長させた三元系単結晶リラクサ圧電性物質、及び三元系単結晶リラクサ圧電性物質を作成するための方法。該三元系単結晶は、少なくとも１５０℃のキュリー温度Ｔ_ｃ、及び少なくとも約１１０℃の菱面体晶から六方晶への相転移温度Ｔ_ｒｔによって特徴付けられる。該三元系の結晶は、更に、少なくとも約１２００〜２０００ｐＣ／Ｎの範囲における圧電係数ｄ_３３を示す。 （もっと読む）

【課題】有機光学結晶から発生するテラヘルツ波の発生時間を向上させた有機光学単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】有機光学単結晶をアニーリング処理する。アニーリング処理は、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲で処理する。アニーリング温度に結晶中の欠陥を除去するために十分な時間保持した後、徐冷する。さらに、磁場を作用させた条件のもとで行う。また、有機光学単結晶として、スチルバゾリウム誘導体からなる結晶を用いる。 （もっと読む）

【課題】溶液法により４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を安定して平坦成長させることができる４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液を溶媒とし、これにＣを溶解させた溶液から４Ｈ−ＳｉＣ種結晶上に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、
上記溶媒として、Ｓｉ融液にＴｉとＡｌ、Ｓｎ、Ｇｅのいずれか１種である元素Ｘとを添加したＳｉ−Ｔｉ−Ｘ３元溶媒を用い、４Ｈ−ＳｉＣ種結晶のＳｉ面上に、１７８０℃以上の成長温度で４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とする４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高価な窒素ドーパント用原料の使用量を十分に低減して原料調達コストの抑制を実現でき、生産効率を向上させることが可能なチョクラルスキー法（ＣＺ法）による窒素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】窒素ドープシリコン単結晶４を引き上げた後、ルツボ１内に残存する残存融液３ａにシリコン原料８を供給して溶融し、この融液３から窒素ドープシリコン単結晶４を引き上げる。シリコン単結晶の育成の際、直前のシリコン単結晶の引き上げ終了時の固化率に基づいて、前記残存融液に供給するシリコン原料の量を設定し、シリコン単結晶中の窒素濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶の引上げ方法において、ネック部長さと、このネック部平均変動幅における最適値を再現性よく実現することが可能なネック部形状とすることにより、ネックに起因する単結晶の有転位化を低減できる単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内シリコン融液表面に種結晶を接触させてメニスカスの晶癖線突出幅で最適なネック縮径部の育成開始の融液表面温度を見極めるステップＳ２と、種結晶のシリコン融液への接触からネッキング開始太さ迄を略逆円錐形状とした直径設定値のずれを、育成速度とシリコン融液を加熱するヒータ供給電力とで修正することで、略逆円錐形状に縮径させる絞り部育成ステップＳ３と、ネック部の長さ寸法を２００ｍｍ〜４００ｍｍの範囲内として直径設定値のずれを、育成速度とシリコン融液を加熱するヒータ供給電力で修正するステップＳ４を有する。 （もっと読む）

本発明にかかるシート製造装置は、溶融物を保持する溝を備える容器を有する。溶融物は、溝の第１のポイントから第２のポイントに流れるように構成される。冷却プレートが、溶融物に近接して配置され、溶融物上にシートが形成される。スピルウェイは、溝の第２のポイントに配置される。このスピルウェイを、溶融物からシートを分離させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が極めて小さいフラックス法により合成したタンタル酸塩結晶粒子とその製造方法、及び該タンタル酸塩結晶粒子を半導体電極に用いた色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】層状ペロブスカイト型構造もしくは層状構造を有し、かつ下記一般式（１）または（２）で表される化合物であることを特徴とするタンタル酸塩結晶粒子。
一般式（１）
ＸαＹβＴａγＯδ
一般式（２）
ＹζＴａηＯθ
〔式中、Ｘはアルカリ金属、Ｙはアルカリ土類金属を表し、α＋２β＋５γ＝２δ、２ζ＋５η＝２θの関係式からなり、γ、ηは１より大きい正数を表す。〕 （もっと読む）

【課題】一般的に使われるキャスト成長法を用いて、そのインゴット全体の品質を上げることができ、高品質で高歩留まりなSi結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用ルツボに入れたSi融液を、融液上部ほど温度が低く融液中心ほど温度が低くなるように温度分布を調整する。次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 （もっと読む）

【課題】熱歪みを緩和してクラックを抑制することができる化合物半導体単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器２内にルツボ４とヒータ６を配置し、ルツボ４内の化合物原料融液３に種結晶８を接触させた後、ヒータ６の出力を調整しつつ種結晶８を上昇させることにより、種結晶８の下に結晶９を成長させる化合物半導体単結晶製造方法において、成長された結晶９の成長方向の温度勾配が−１５℃／ｃｍより緩やかとなるようにして結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液全体の温度を適切な種結晶着液温度とすることができるシリコン単結晶製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置内のルツボ１に多結晶シリコン原料を充填し、ヒータ２で加熱して多結晶シリコン原料を融解した後に該シリコン融液８に種結晶１０を着液して該種結晶１０の下方に単結晶１４を育成するチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造装置であって、少なくとも、前記シリコン原料を充填するためのルツボ１、前記シリコン原料を加熱して融解させるためのヒータ２、前記ルツボ内のシリコン融液面の温度を複数点測定するための温度測定器７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄを備え、該温度測定器で測定した複数の融液面温度を基に種結晶を融液に着液させる際の種結晶着液温度を決定する手段を有するシリコン単結晶の製造装置。 （もっと読む）

【課題】基板上の触媒膜が気中放置されても酸化されない基板ユニットを提供する。
【解決手段】本基板ユニット１は、基板３と、この基板３上に成膜されていて熱アニール温度で微粒子化する触媒膜５と、この触媒膜５の表面を覆って上記触媒膜５を保護するもので熱分解温度が熱アニール温度未満の触媒保護膜７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、種結晶となる単結晶SiC基板5上に、C原子を供給するためのC原子供給基板17を重ね、前記単結晶SiC基板5と前記C原子を供給基板17との間に極薄金属Si融液層18を介在させ、1400℃以上2100℃未満の所定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって前記種結晶となる単結晶SiC基板5上に単結晶SiCを液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の成長方法に関する。前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸化物等の介在物や不純物元素が鋳塊内に混入することなく高品質な鋳塊が得られるとともに、引き抜き速度を上昇させて生産効率を大幅に向上させることが可能な連続鋳造方法、連続鋳造装置及びこれにより得られる鋳塊を提供する。
【解決手段】溶湯１を一方向凝固させて得られた鋳塊２を連続的に製出する連続鋳造装置１０であって、溶湯１を保持する溶湯保持部２０と、水平方向一方側端部が溶湯保持部２０の下方に位置させられた鋳型３０と、を備え、鋳型３０は、水平方向他方側に向かうにしたがい漸次下方に向かうように水平面に対して傾斜して延在する底面部３１を有し、底面部３１に冷却手段３５が設けられており、溶湯保持部２０から供給された溶湯１を冷却手段３５によって一方向凝固させ、得られた鋳塊２を鋳型３０の底面部３１に沿って連続的に引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水晶種子を含む水晶片を水晶デバイスの製造に用いることで製造コストを抑える方法を提供する。
【解決手段】次の全てを満足する人工水晶を用いる。エッチチャンネルが３０本／ｃｍ^２以下の人工水晶から切り出され、水晶のα−β転移温度未満で加熱処理し、水晶種子２０の切り出し時に生じた加工層を除去した水晶種子２０を用いて育成する。鉄の含有量を３ｐｐｍ以下及びナトリウムの含有量を２ｐｐｍ以下に抑えた屑水晶を原料として用いて育成する。シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】種結晶の必要がなく、引出し棒の固着ネジに固着ネジ山を形成して結晶が成長する時の荷重による結晶の脱離を防止することができるチョクラルスキー結晶成長装置およびチョクラルスキー結晶成長法を利用して廃溶融塩から効率的に不純物を分離する方法によって、吸着媒質を使用することによる２次廃棄物の発生を防止するとともに、連続工程を可能にする塩廃棄物の精製方法を提供する。
【解決手段】制御された温度で原料塩１０を溶解させるための発熱部２０を含むるつぼ６０と、るつぼ６０の上端中央部に装着している、不純物を含む原料溶融塩１０から目的とする純粋な塩結晶３０を引出すための引出し棒５０と、回転可能に引出し棒５０の下端部に設置されて、不純物を含む原料溶融塩１０と接触する複数個の塩結晶固着ネジと、塩結晶固着ネジの外周面に形成される塩結晶固着ネジ山とを具備するチョクラルスキー結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の引上げ育成中に有転位化した場合にその単結晶を高効率に再溶融し、シリコン単結晶を高生産性で低コストに製造する。
【解決手段】 シリコン融液１２が充填された石英ルツボ１３、サイドヒータ１５およびボトムヒータ１６、シリコン単結晶１８に対してサイドヒータ１５からの輻射熱を遮蔽する輻射シールド１９、電磁石２０，２１等を備えたＭＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法において、引上げ育成中のシリコン単結晶１８が有転位化した場合に、単結晶引上げ条件よりも輻射シールド１９下端とシリコン融液１２面のギャップＸを大きくし、無磁場の状態にして有転位化したシリコン単結晶１８を降下させシリコン融液１２に溶融する。その後、磁場を印加するとともに上記ギャップＸを単結晶引上げ条件に戻しシリコン単結晶の再引上げを行う。 （もっと読む）