【課題】１０ＭＰａ以下の低圧または常圧において良質な化合物結晶を工業的に安く製造すること。
【解決手段】化合物ＡＢＸをイオン性溶媒に溶解した溶液中で化合物ＡＸを結晶成長させる際に、溶液中の溶質成分ＢＸの濃度を調整することにより、化合物ＡＸの結晶成長速度を制御する［前記Ｂは１族金属元素または２族金属元素であり、前記Ａは第１３族金属元素であり且つ前記Ｘは第１５族元素であるか、前記Ａは第１２族金属元素であり且つ前記Ｘは第１６族元素であるか、または、前記Ａは第１４族元素であり且つ前記Ｘは炭素元素である］。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法による無欠陥シリコン単結晶の製造方法において、双晶欠陥が抑制された良質なシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＺ法によってチャンバ内でシリコン単結晶をシリコン融液から引上げて製造する方法において、双晶欠陥のない無欠陥結晶を得るために、前記シリコン単結晶の引き上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比のＶ／Ｇ値を、格子間シリコンの凝集体として形成される転位クラスター領域と格子間シリコン優勢の無欠陥領域の境界Ｖ／Ｇ値より０．２〜０．５％大きい範囲で、かつ、ＯＳＦ領域が出現するＶ／Ｇ値よりも小さい範囲内で制御し、前記シリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、ＧａＣｌガス、ＮＨ_３ガス、及びＮ_２又はＡｒにより所定の濃度に希釈されたＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをＧａＮ単結晶基板に供給し、４５０μｍ／ｈｏｕｒより大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度でＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ単結晶を成長させると共に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスが所定の濃度に希釈されたことによるＮＨ_３ガスとの反応の抑制により、ＧａＮ単結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−２Ωｃｍ以下となるようにＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスに含まれるＳｉがＧａＮ単結晶にドーピングされることを含む。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。
【解決手段】 下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体１１６を１０〜３０ｒｐｍで回転させつつ降下させて、その下端部を融点より１０〜１００℃高い温度に加熱保持した原料溶融液１０４に浸漬させた後、その浸漬から１２０秒以内に種結晶体１１６を上昇させて原料溶融液１０４と非接触状態にする操作を繰り返す。これにより、種結晶体１１６の下端部を平坦形状に再生させることができる。その後、下端部を平坦形状になった種結晶体を用いて単結晶体の育成を開始する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶を得ることができる単結晶の製造方法、およびそれにより製造された単結晶を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる前に引き上げ長に対する引き上げ速度の目標値を設定し、引き上げる過程において、引き上げ速度の目標値および検出される単結晶の直径に応じ、引き上げ速度およびヒータ温度を操作することにより、単結晶の直径を制御する直径方式と（Ｓ６）、引き上げ速度を操作する際の上下限値を引き上げ速度の目標値に基づいて設定するとともに（Ｓ２）、引き上げ速度の目標値を速度の上下限値に基づいて修正することにより（Ｓ３）、引き上げ速度の移動平均を制御する移動平均方式を用いて単結晶を製造する方法であって、引き上げ速度の目標値から算出される移動平均、および引き上げ速度の実績から算出される移動平均に応じ、移動平均方式を有効または無効とする（Ｓ１）。 （もっと読む）

【課題】約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。
【解決手段】下式（１）あるいは下式（２）で表されることを特徴とするＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体により課題を解決できる。
Ｍｎ11Ｓｉ19-xＧａx 式（１）
［式（１）において、ｘは０を超え０．１以下である。］
Ｍｎ4 Ｓｉ7-y Ｓｎy 式（２）
［式（２）において、ｙは０を超え０．１以下である。］
2 Ｓｉ多結晶体により課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶中のピンホールの発生を大きく抑制することができるシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】炉体内でシリコン原料を溶融してシリコン融液とした後、シリコン単結晶を引上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン原料の溶融後、シリコン単結晶の引上げ開始前に、シリコン単結晶の引上げ時よりもヒータ出力を高くかつ炉内圧を低く３０Ｔｏｒｒ以下として一定時間保持した後、シリコン単結晶の引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】転移密度の少ない大面積のＩＩＩ族窒化物結晶を従来よりも短時間で製造する。
【解決手段】反応容器１２内に、原料のナトリウムとガリウムとを含む混合融液２５を注入し、混合融液２５に対して濡れ性のある部材２６の一端を混合融液２５に浸漬する。窒化ガリウムの種結晶２７は部材２６の表面または表面近傍に設置する。窒化ガリウムの結晶成長雰囲気とすると、濡れ現象によって混合融液２５の薄い液膜が部材２６の露出面を被覆する。これにより、気相中の窒素を液膜中に効率良く溶解させて結晶成長に必要十分な窒素濃度とすることができる。さらに、混合融液２５は濡れ現象によって種結晶２７の結晶成長面に到達するので、結晶成長に必要な原料を結晶成長面に十分に供給することが可能となり、フラックス法によって低転移密度かつ大面積の窒化物結晶を従来よりも短時間で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ガイド部材において低温となる部位を低減させ、単結晶を効率的に成長させることができる炭化ケイ素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の製造装置１は、昇華用原料１５を収容する坩堝本体５、と、昇華用原料１５に対向した位置に種結晶２３を取り付ける蓋体３を有する坩堝９と、蓋体３から昇華用原料１５に向けて筒状に延びるガイド部材７と、坩堝本体５の外周側に配設した加熱部１３とを備え、ガイド部材７の高さをＨ１、加熱部１３とガイド部材７との高さ方向において重複する高さ寸法をＨ２とした場合に、Ｈ２＝（０．５〜１．０）×Ｈ１を満たす。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置１は制御部５０を備えている。制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部５０は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部５０は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１０を準備する工程と、液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を複数回繰り返して成長させる工程と、を備え、結晶成長面２０ｕ内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】反応容器の気密を保ちつつ融液を攪拌し、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０と、反応容器１０を挿通して設けられた駆動軸４１を駆動させ混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、攪拌装置４０は、駆動軸４１を軸方向に直動駆動させる駆動装置４５と、上記軸方向において伸縮自在とされ、一端部が駆動軸４１に気密に固定されて他端部が反応容器１０に形成された駆動軸４１が挿通する孔部１２ａを気密に囲って反応容器１０に固定されているベローズ管４４と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、準備工程と、その後の結晶育成工程とを有し、前記準備工程は、種基板と、結晶原料である金属ガリウムとナトリウムと、を坩堝に収納するとした第１の工程と、前記結晶育成工程は、前記坩堝を結晶成長容器内に配置し、この結晶成長容器を炉心管内に配置した状態で、この炉心管を加熱手段により所定の温度で加熱し、前記坩堝を原料ガス供給手段により所定の気圧の窒素雰囲気下にした状態で、前記種基板上に結晶を育成するとした第２の工程と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】良好なサーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子の製造方法であって、バナジウム（Ｖ）を含む物質Ａと、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）またはその水和物（Ｎ_２Ｈ_４・ｎＨ_２Ｏ）と、水とを含み、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子を実質的に含まない溶液を水熱反応させることにより単結晶微粒子を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 （もっと読む）

【課題】種結晶を着液させて種付けを行う際のシリコン融液の温度を、簡易な方法でバラツキ無く適正な温度に調節することができるシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶製造装置内のルツボに多結晶シリコン原料を充填し、ヒータで加熱して多結晶シリコン原料を融解した後に、該シリコン融液に角柱形状の種結晶を着液して該種結晶の下方に単結晶を育成するチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、前記着液された種結晶と前記シリコン融液との界面を撮像手段で観察し、該観察した界面の形状を検出して、該検出した界面の形状を基に前記シリコン融液の温度を調節するシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化膜耐圧特性に優れ、Ｃモード特性の高いシリコン結晶で構成されるシリコン
ウエハを提供する。また、前記シリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒素及び水素を含有するシリコンウエハであって、泡状のボイド集合体を構
成する複数のボイドが、総ボイド数の５０％以上存在し、ボイド密度が２×１０^４／ｃｍ
^３を超えて１×１０^５／ｃｍ^３未満であるＶ１領域が、前記シリコンウエハの総面積中２
０％以下を占め、ボイド密度が５×１０^２〜２×１０^４／ｃｍ^３であるＶ２領域が、前記
シリコンウエハの総面積中８０％以上を占め、並びに、内部微小欠陥密度が５×１０^８／
ｃｍ^３以上であることを特徴とするシリコンウエハである。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法における自発核生成を利用して、最大寸法が１ｍｍ以上である窒化物単結晶を得ることができる、窒化物単結晶の新規製造方法の提供。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤を該アンモニアに添加して、アモノサーマル法により該窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、
該耐腐食性オートクレーブ内には、該窒化物多結晶を配置する部位と該窒化物単結晶を析出させる部位とが存在しており、
該窒化物単結晶を析出させる部位の温度は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、該窒化物多結晶を配置する部位温度よりも、平均温度で、高く保持され、そして
該耐腐食性オートクレーブ内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている、
ことを特徴とする方法。 （もっと読む）