【課題】再生利用インゴットに含有される不純物量を正確に推定し、所望の比抵抗の単結晶を成長させる単結晶製造管理システム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の単結晶製造管理システムは、単結晶におけるスライスしてウェハとされない部分を再利用インゴットとし、他の単結晶の成長に用いる際の不純物量管理を行うものであり、再利用インゴットを採取した単結晶の他の部分の比抵抗プロファイルを記憶する比抵抗プロファイル記憶部と、再利用インゴットの結晶の成長軸方向両端の比抵抗，引き上げ開始時の不純物濃度，偏析係数，固化率及び補正係数から選択された１以上を含む変数からなる不純物濃度推定式と、比抵抗プロファイルとから再利用インゴット内の比抵抗プロファイル示すプロファイル式を求めるシミュレーション部と、比抵抗プロファイル式に基づいて、再利用インゴット内の不純物量を算出する不純物量算出部とを有する。 （もっと読む）

本発明のナノ寸法クラスターを形成する方法は、クラスターを形成する材料を含む溶液を、基材材料中に含まれる天然または合成由来のナノ細孔中に導入すること、続いて該溶液をレーザー放射線パルスに、低温プラズマが発生し、そのプラズマが存在する領域で気体状媒体を形成するように露出することからなり、該プラズマが冷却して行く間に、液体基材上におけるクラスター材料の結晶化により、クラスター材料が純粋な材料に戻り、それによって、基材材料と接合された単結晶量子ドットを形成する。該方法により、異なった材料から、二または三次元的クラスター格子および互いに接合されたクラスターを形成することができる。本発明により、様々な材料から、基材ナノキャビティ中にワイヤを、およびガラスに塗布された有機材料中に分散した溶液微小滴から量子ドットを形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】タンパク質の結晶化条件のスクリーニングのためのサンプル溶液の生成から保管及び監視までの一連の作業を自動的に行うことができる小型のタンパク質結晶化処理装置を提供する。
【解決手段】静電気発生用電極と、電気絶縁疎水性層と、不活性溶液層とを備え、前記静電気発生用電極に所定の周波数で電圧を印加することにより、タンパク質の結晶化のために必要な試薬の液滴と、タンパク質溶液の液滴とを移動して合体させてサンプル液滴を生成し、次いで、前記サンプル液滴を前記電気絶縁疎水性層上で保持するように構成された溶液処理手段と、サンプル液滴を保持した溶液処理手段を複数保管することができる保管手段と、サンプル液滴の結晶化成長を監視するための結晶化成長監視手段と、保管手段と結晶化成長監視手段との間で溶液処理手段を移送することができる移送手段とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ引上げ法による半導体用シリコン単結晶の製造や、太陽電池用多結晶シリコンの製造等に溶解原料として使用される多結晶シリコンを高度に洗浄する。洗浄コストを下げる。シリコンロス、薬液使用量、廃液による環境負荷を軽減する。ＮＯｘガス発生の問題を解決する。
【解決手段】 溶解原料用の多結晶シリコンにフッ酸による洗浄処理を行い、多結晶シリコン１の表面に形成された汚染度の高い酸化膜２を除去する。その後、必要に応じてフッ硝酸による軽度のエッチング処理を行う。還元反応炉内で多結晶シリコンを製造した後、還元反応炉を開放する前に、還元反応炉内に水蒸気を含む清浄なガスを導入し、多結晶シリコンの表面に汚染が少ない酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のｐ型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第１の板状部材とを積層し、昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第１の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第１の板状部材と接合しない材料からなる第２の板状部材を、または第２の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】分子の適切な結晶化条件を決定するためにアレイ微結晶化を行う方法を提供する。
【解決手段】微結晶化物アレイを形成する工程であって、各微結晶化物は、結晶化させる分子を含むドロップを含んでおり、該ドロップは１μＬ未満の容量を有している工程、該微結晶化物アレイを、該アレイ内のドロップ中で分子結晶を形成させるのに適切な条件下で格納する工程、及び、該ドロップ中の分子結晶形成を検出する工程、を含む方法。 （もっと読む）

【課題】 ゾーン成長開始時に発生する成長結晶の結晶組成が成長方向に急変することを簡単な手段で抑止できるようにする。
【解決手段】 成長装置内の成長方向に向かって低温から高温へと温度が傾斜する領域にルツボ１を配置し、ルツボ１内にソース材料４、メルト（９及び８）、種結晶２を温度が高い位置から低い位置に向かって順に配置し、メルト内にソース材料４を溶出させ、メルト内を伝播したソースを種結晶２上に結晶成長させるゾーン成長法に於いて、ルツボ１に充填するメルト原料は、メルトを構成する原料９及び８の複数層で構成し、複数層のメルト原料９及び８が成長させるべき混晶系の融液組成を成し、且つ、種結晶２に接触させるメルト原料８の融点を、その上に在るメルト原料９の融点より低くする。 （もっと読む）

【課題】
長さがより短い極短フラーレンナノウィスカー（ＦＮＷ）と、これを簡便に効率よく製造することのできる新しい方法を提供する。
【解決手段】
フラーレン溶液とアルコールとを混合してフラーレンナノウィスカーを生成させる際に、混合を超音波印加において行う。 （もっと読む）

【課題】 昇華法における窒化ガリウムの分解が抑制されて製造効率が向上した窒化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶の原料（ＧａＮ粉末）２を坩堝１に入れて加熱して昇華若しくは蒸発させ、基板３表面で再び温度が下がることで固体に戻ることを利用して基板３表面上において窒化ガリウム単結晶を育成する窒化ガリウム単結晶の製造方法において、加圧下で前記単結晶の育成を行う。加圧条件は、５気圧（５×１．０１３×１０⁵Ｐａ）以上が好ましい。また、単結晶の育成は、ＮＨ₃ガスとＮ₂ガスとの混合
ガス雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、非コングルエントな気相化を呈し、単結晶又は多結晶形態で存在可能な化合物本体を単結晶状態で形成する装置（１０）において、前記本体の多結晶供給源が形成される基板（４２）及び前記本体の単結晶種（４６）を有する少なくとも１個の第１室（２０）と、第２室（１４）とを備え、前記基板は前記２室の間に配置されることを特徴とし、前記基板に前記本体を多結晶の形態で堆積させることのできる前記第２室に、前記本体のガス状前躯体を供給する手段（３６）と、前記基板を前記種の温度より高く維持して、前記多結晶供給源を昇華させ、前記本体の種に単結晶形態で堆積させる加熱手段（２６）とを具備する装置に関する。
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【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）