【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸窒化アルミニウム及び／又は加熱により酸窒化アルミニウムに変換される酸窒化アルミニウム前駆体を含む原料組成物１０を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸液による酸洗工程の後の水洗工程において、酸液の除去の完了を簡単に、かつ、精度良く判断することが可能な多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置、並びにその洗浄によって高品質の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの洗浄方法であって、酸液による酸洗工程Ｓ４と、この酸洗工程Ｓ４の後に純水で洗浄する水洗工程Ｓ５とを有し、該水洗工程Ｓ５では、純水を貯留した水洗槽に前記多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも１回以上前記水洗槽内の純水を入れ替えて、前記多結晶シリコンの表面に残留した前記酸液の除去を行うとともに、前記水洗槽中の純水の電気伝導度Ｃを測定し、前記電気伝導度Ｃの測定値によって前記水洗工程Ｓ５の終了を判断することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単離GRP94リガンド結合ドメインポリペプチド、その三次元結晶構造、およびそれを用いたHsp90タンパク質のモジュレーターの設計方法を提供する。
【解決手段】実質的に純粋な結晶であるGRP94リガンド結合ドメインポリペプチド、及び該結晶化ポリペプチドの作成方法。また、Hsp90タンパク質のモジュレーターを決定する方法、GRP94ポリペプチドの活性を選択的にモジュレートするモジュレーターを設計する方法、及びGRP94モジュレーターを同定する方法。更に１つのHsp90ポリペプチドの生物学的活性をGRP94と比較して選択的にモジュレートするHsp90モジュレーターを同定する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貴金属酸化物、貴金属またはハロゲン化貴金属を前駆物質として用いて単結晶基板の表面に対して方向性を有する貴金属ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉の前端部に配置した前駆物質と、反応炉の後端部に配置した半導体または不導体単結晶基板を、不活性ガスが流れる雰囲気下で熱処理して前記単結晶基板の表面に垂直または水平に成長する貴金属単結晶ナノワイヤ及びその製造方法。本発明は、触媒を使用しない気相輸送法を利用して貴金属ナノワイヤを製造することができ、その工程が簡単でかつ再現性があり、大量生産に適するメリットがある。製造されたナノワイヤは、欠陥や不純物を包含しない完璧な単結晶状態の高純度かつ高品質の貴金属ナノワイヤである。貴金属ナノワイヤは、単結晶基板の表面に対して特定の方向性を有し、その方向性及び配列を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶を実用的な成長レートで製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、反応容器１０内の第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華させた昇華用原料４０を、種結晶５０上に炭化珪素単結晶として再結晶化させる。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプの発生を抑制できる上に、更に昇華用原料として用いる炭化珪素と異なる多形を有すると共に、他種類の多形の炭化珪素の混入の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１０内の第一位置に第一の炭化珪素を含む昇華用原料４０を収容し、第二位置に、第一の炭化珪素よりも昇華温度が高く且つ第一の炭化珪素と異なる多形の第二の炭化珪素単結晶からなる種結晶５０を配置した状態で、下式（１）を満たすように反応容器１０を加熱することによって、昇華用原料４０を種結晶５０上に再結晶化させ、加熱が、第一位置側に配置した第一加熱手段２１および第二位置側に配置した第二加熱手段２０を利用して実施される。・式（１）Ｔ１≧Ｔ２〔式（１）中、Ｔ１は、第一位置の温度（℃）を表し、Ｔ２は第二位置の温度（℃）を表す。〕 （もっと読む）

【課題】 液相法によって所要機能を有するペロブスカイト酸化物薄膜を製造する方法、及びペロブスカイト酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】 成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略５ｎｍ以上略１５ｎｍ以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し（ステップＳ１）、この分散液中に、対象電極としての所定材料の基板と対向電極とを浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加することによって前記基板の表面に前記ナノ結晶粒子を、乾燥時の厚さが数十ｎｍ〜数百ｎｍとなるように堆積させる（ステップＳ２）。そして、この基板を略４００℃以上略８００℃以下の適宜温度で焼成する（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】治療剤として有効なＧＳＫ−３インヒビターを発見すること。
【解決手段】本発明は、グリコーゲンシンターゼ（グリコーゲン合成酵素）キナーゼ−３（ＧＳＫ−３）、セリン／スレオニンプロテインキナーゼのインヒビター、およびそれらを生成する方法に関する。本発明はまた、本発明のインヒビターを含有する薬学的組成物およびこれらの組成物を種々の疾患状態（例えば、糖尿病およびアルツハイマー病）の治療および予防で使用する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、外側容器２２内に設けられた反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、外側容器２２内に反応容器２１とともに設けられたヒータ２３および断熱材２４にグラファイトを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１の表面酸化層１１を除去する工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】確度の高い蛋白質結晶化条件に効率よく到達して蛋白質結晶を作製することができる蛋白質溶液の処理装置および蛋白質結晶の作製方法を提供する。
【解決手段】刺激付与工程（ＳＴＡ）において、蛋白質溶液を含む混合液３を収納した複数の容器２のうちの特定の容器２内の混合液３への結晶化促進のための刺激付与を開始した後、他の容器２内の混合液３への刺激付与を所定の時間間隔を置いて順次開始し、特定の容器２について結晶化に関連して生じる変化が検出されたならば、全ての容器２内の混合液３への刺激付与を停止し、刺激付与時間の異なる混合液３を結晶化条件選別のためのサンプルとして準備する。これらのサンプルを保管工程（ＳＴＢ）において所定条件下で保管し、混合液３中に生成された結晶核を成長させて、観察工程（ＳＴＣ）にて結晶化促進度合いを観察することにより、結晶化促進のための至適な刺激付与時間を見いだすことができる。 （もっと読む）

【課題】酸液による酸洗工程の後の水洗工程において、酸液の除去の完了を簡単に、かつ、精度良く判断することが可能な多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置、並びにその洗浄によって高品質の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの洗浄方法であって、酸液による酸洗工程Ｓ４と、この酸洗工程Ｓ４の後に純水で洗浄する水洗工程Ｓ５とを有し、水洗工程Ｓ５では、純水を貯留した水洗槽に多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも１回以上水洗槽内の純水を入れ替えて、多結晶シリコンの表面に残留した酸液の除去を行うとともに、水洗槽中の純水の電気伝導度Ｃを測定し、電気伝導度Ｃの測定値によって水洗工程Ｓ５の終了を判断する。 （もっと読む）

【課題】 分子デバイスを含む、有機材料の機能を利用する有機材料含有デバイスの構築に適した取り扱いが容易な基板を提供する。
【解決手段】 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する基板とする。このアミノ基は、例えばＳｉ−Ｎ結合により固定されている。アミノ基は多くの官能基と化学反応しうる基であり、生体分子との親和性にも優れている。この表面は、大気中での取り扱いも容易である。アミノ基と有機分子とを反応させれば、有機分子と半導体表面とが化学的に一体に結合する。アミノ基は、例えば水素原子で終端された半導体表面にアンモニア等の窒素含有反応種を接触させ、この反応種に由来する窒素原子を含むアミノ基を半導体表面に化学吸着させて導入すればよい。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、反応容器２１を予め加熱処理して水分を除去する工程と、水分が除去された反応容器２１内に、少なくともＩＩＩ族元素と、触媒剤とを含む融液１を種結晶２の周りに形成する融液形成工程と、融液１に窒素含有物３を供給して種結晶２上にＩＩＩ族窒化物結晶４を成長させる結晶成長工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】幅が微細なパターンで、かつ、アスペクト比の高い柱状の形状を有する微細酸化物構造体を精密に形成することができる微細酸化物構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状の孔が形成された鋳型を用意する工程Ｓ１と、酸化物粒子を界面活性剤で被覆する工程Ｓ２と、界面活性剤で被覆した酸化物粒子を液中に分散させる工程Ｓ３と、液中に鋳型を配置する工程Ｓ４と、液中の界面活性剤で被覆した酸化物粒子を鋳型中に沈降固化させる工程Ｓ５と、鋳型を取り除く工程Ｓ６と、鋳型を除去した酸化物粒子を焼成する工程Ｓ７とを具備する。 （もっと読む）

【課題】固相エピタキシーを生じさせて前駆体部を単結晶化し単結晶構造体を得ることにより、微細構造体の形状を保持し均一に単結晶化してペロブスカイト型酸化物単結晶構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子単結晶基板の表面に所定のペロブスカイト型酸化物と同じ金属成分を含む被覆層を形成する工程Ｓ１と、微細構造化したペロブスカイト型酸化物の前駆体を被覆層の表面に密着させた接合体を形成する工程Ｓ２と、接合体を熱処理することにより固相エピタキシーを生じさせて前駆体を単結晶化する工程Ｓ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型酸化物の前駆体と種子単結晶との複合体を熱処理により前駆体に固相エピタキシーを生じさせて単結晶化することにより、所望の組成のペロブスカイト型酸化物単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程Ｓ２と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程Ｓ３とを具備する。 （もっと読む）

溶融液を精製するための装置が開示される。チャンバ内の溶融液の第一の部分は、第一の方向で凝固する。第一の部分の一部は、第一の方向で溶融する。該溶融液の第二の部分は、凝固されたままである。溶融液はチャンバから流れ、該第二の部分はチャンバから除去される。凝固は、溶融液及び第二の部分の溶質を濃縮させる。第二の部分は、高溶質濃度を有するスラグとすることができる。このシステムは、他の部品、例えばポンプ、フィルタ又は粒子トラップを有するシート形成装置に組み込まれることができる。 （もっと読む）

【課題】任意の形状を有しかつアスペクト比の高い圧電単結晶または圧電セラミックの微細な柱状体を高い寸法精度で任意に配置させた微細圧電列柱構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状圧電列柱を形成するための複数の貫通孔を有する薄板形状のマシナブルセラミックス製のセラミックス型１を用意し、そのセラミックス型の片面に種子単結晶基板２を接合し、セラミックス型に圧電セラミックス前駆体３を充填し、セラミックス型に充填された圧電セラミックス前駆体を焼成して複数の微細な柱を配列した列柱構造を有する微細圧電セラミックス構造体４を形成する。その後、微細圧電セラミックス構造体について熱処理を行って単結晶化することにより微細圧電単結晶列柱構造体５を得る。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスに基づく気泡に起因してシリコン単結晶中に微小欠陥が発生するのを防止することができるシリコン融液の形成方法およびシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１１から派生した非製品部１３をスライスし、このスライス片１４を、ルツボ２内に充填した多結晶シリコン１２の上に敷き詰めた後、不活性ガス雰囲気中でスライス片１４および多結晶シリコン１２を溶融させてシリコン融液１０を形成する。このシリコン融液１０からシリコン単結晶２１を引き上げる。これにより、シリコン原料の溶融時に、多結晶シリコン１２がスライス片１４によって不活性ガスの吹き付けから遮断され、シリコン融液１０に不活性ガスが溶け込むのを抑制することができ、不活性ガスに基づく気泡の発生が抑えられる。 （もっと読む）