超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたＩＩＩ族結晶。ＩＩＩ族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のＩＩＩ族窒化物、非晶質ＩＩＩ族窒化物、ＩＩＩ族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は５５０℃以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのＮＨ₃分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、ＮＨ₃分解は反応容器をＮＨ₃で充填した後に更なるＮ₂圧力を加えることによって回避できる。
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【課題】ナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を育成するにあたって、成長速度および収率を増大させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウムに対して、ストロンチウム材料を、金属ストロンチウム換算で３ｍｏｌ％未満添加する。すなわち、金属ストロンチウムベースのｍｏｌ％で、０＜Ｘ＜３となる微量のＸｍｏｌ％だけ添加する。これによって、ＧａＮ系単結晶のｃ軸方向の成長速度が、Ｎａのみの場合（ａ）と比較すると、０．０５ｍｏｌ％の添加で約３倍以上に増加し、また収率も０．０３ｍｏｌ％の添加（ｂ）で約２１倍になる。こうして、微量のストロンチウムをナトリウムフラックスに添加することで、ＧａＮ系単結晶の収率を大幅に増加することができる。 （もっと読む）

【課題】真空や高エネルギーを必要とする特殊な装置や、高価で特殊な原料を使用することなく、低温でニオブ酸カリウムの薄膜を作製することのできる、ニオブ酸カリウムの低温製膜法を提供する。
【解決手段】Ｋ_２ＮｂＯ_３Ｆの単結晶を基板上で潮解させ、乾燥した。潮解させる際の湿度は、６０％以上であり、潮解させる際の温度は、０〜５０℃であることが好ましい。室温で高品位のニオブ酸カリウムの単結晶薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

マイクロパイプ・フリーの、単結晶の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびその製造方法を開示する。ＳｉＣは、供給材料およびシード材料を、昇華装置の反応坩堝内のシードホルダに配置することによって成長させる。ここで、供給材料、反応坩堝、およびシードホルダを含む昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない。成長温度、成長圧力、ＳｉＣ昇華流束およびその組成、ならびに供給材料とシード材料またはシード材料上に成長するＳｉＣ結晶との間の温度勾配を、ＰＶＴプロセスの間制御することにより、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性が排除され、マイクロパイプ・フリーのＳｉＣ結晶がシード材料上に成長する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で任意の場所に金属ウィスカを発生させることができる金属ウィスカの製造方法を提供する。
【解決手段】基板（電極１２）の端面と少なくとも端面に連なる主面の一部とに金属のめっき層１３を形成し、基板（電極１２）のめっきされた主面に対し基板厚み方向に面圧を加えることにより、基板（電極１２）の端面側のめっき層１３表面に金属のウィスカ１５を形成する。金属は、ＳｎまたはＺｎの単金属、あるいはＳｎまたはＺｎを含む合金である。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に原料の入った坩堝本体１４を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から、坩堝本体１４下部に配置した溶液受け室２３内の昇降テーブル３１上に搭載した貯留容器３０に溶融した原料融液２５を流下させた後、昇降テーブル３１とともに貯留容器３０を下降させ、その後溶液受け室２３に隣接して配置した複数の凝固室４１に昇降テーブル３１上から貯留容器３０を移送し、この凝固室４１で所定時間冷却させた後、凝固室４１にそれぞれ隣接して配置した冷却室で常温まで冷却し、その後凝固したインゴットを冷却室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に原料の入った坩堝本体１４を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、攪拌１０２を回転することにより精製した後、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から坩堝本体１４の下部に配置した貯留槽に精製した原料融液９２を流下させる。流下した原料融液９２を、坩堝本体１４下部において昇降テーブル３１上に搭載した種子結晶板１０１の上面に接触させた状態で、昇降テーブル３１とともに種子結晶板１０１を下降させることによって結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】深紫外発光に適し、かつ、大面積の六方晶窒化ホウ素結晶体を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】あらかじめ脱酸素処理をおこなった窒化ホウ素原料と遷移金属からなる金属溶媒とを混合する混合工程と、混合工程によって得られた混合物を加熱して溶融する溶融工程と、溶融工程によって得られた溶融物を常圧で冷却するか、または、前記溶融物に温度勾配を設けるかのいずれかにより再結晶する再結晶工程と、再結晶工程の後に、塩酸および硝酸を含む溶液を用いて前記金属溶媒を除去する工程を包含する。 （もっと読む）

本発明は、タンパク質のような標的分子の結晶化を促進するマイクロ流体デバイスに関する。このデバイスは、上面及び反対側の底面を有し、かつ少なくとも一つの液体流路を有する固体構造を備える。液体流路は、標的分子溶液流入口（２４）と、そして少なくとも２つの沈殿剤流入口（２６）と、を含む。標的分子溶液流入口は、これらの沈殿剤流入口の各沈殿剤流入口と液体流路を介して液体連通する。液体流路は、標的分子溶液流入口に隣接する分岐流路セクション（２７）と、該当する沈殿剤流入口に隣接する結晶化流路セクション（２９）と、そして分岐流路セクション（２７）と結晶化流路セクション群（２９）の各結晶化流路セクションとの間に配置される流動遮断流路セクション（２８）と、を含む。液体流路は、分岐流路セクション（２７）において１〜Ｘ個に分岐し、Ｘは結晶化流路セクションの数であり、そして流動遮断流路セクション（２８）は、該当する前記分岐流路セクションと結晶化流路セクションとの間の液体連通を遮断する機能を有する流動遮断機構（２８ａ）を含む。
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結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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【課題】波長２００ｎｍ以下のレーザ光照射を長期間にわたって照射した場合に生じるレーザ光の波長域での透過率の低下を抑制可能な人工水晶部材およびその製造方法の提供。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下のレーザ光が照射される光学素子に用いられる人工水晶部材であって、人工水晶部材のＡｌ含有量が２００ｐｐｂ以下である人工水晶部材。また、Ａｌ含有量が２００ｐｐｂ以下およびＮａ含有量が１００ｐｐｂ以下である人工水晶部材。さらに、Ａｌ含有量が２００ｐｐｂ以下およびＬｉ含有量が１５０ｐｐｂ以下である人工水晶部材。 （もっと読む）

結晶塩酸デュロキセチン、結晶塩酸デュロキセチンを含有する組成物、およびそれらの製造方法。
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本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。
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【課題】大量生産に適したイットリウムアルミネート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】イットリウムアルミネート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム(セリア)膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】フラックス法による窒化ガリウムの製造において、易酸化性、易吸湿性物質である金属ナトリウムなどのフラックス成分を、反応段階まで、酸素や湿気から遮蔽して不要な酸化、吸湿を防止する方法を提供する。
【解決手段】易酸化性または易吸湿性物質である金属ナトリウム３、および金属リチウム５などのフラックス成分と金属ガリウムからなる原料２０の全体を金属箔２で隙間なく被覆し、種結晶基板６上に載置する。この状態で容器を結晶育成装置内に設置し、窒素で加圧しながら加熱することにより、原料２０および金属箔２が溶融し、種結晶基板６上に窒化ガリウム単結晶膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガーネット単結晶を用いた光学素子の製造方法に関し、光学素子に含まれるＰｂ量を削減し、あるいは完全に除去することができる光学素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶液を用いてＬＰＥ法によりガーネット単結晶を育成し、窒素ガス及び／又は水素ガスを用いて生成された還元雰囲気中でガーネット単結晶を熱処理し、熱処理したガーネット単結晶を用いて光学素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】昇華法による炭化ケイ素単結晶の成長方法において、種結晶成長表面と昇華用原料との距離を一定に保つために、昇華用原料粉体の表面を短時間で精度よく平坦化させることが可能な粉体表面平坦化治具を提供する。
【解決手段】円筒状の粉体を収容する反応容器２１の断面の円中心を通って上記反応容器の上部開口部の縁に懇架された懇架部２と、上記懇架部の中心部から上記反応容器の粉体側に伸びる回転軸４と、上記回転軸の懇架部側とは異なる側に設けられ、粉体表面に設置され、上記回転軸を軸に回転させることにより上記粉体表面の凸部を欠き取り上記粉体表面を平坦化する羽根部１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】任意形状を持つダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）の合成方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザーを多方向からグラファイトおよび六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）に照射し、瞬間かつ局所的に高温高圧環境を作り出し、グラファイトおよびｈ−ＢＮ上の集光点の位置を移動させることにより、合成点５が移動し、ミリオーダーの任意形状ダイヤモンドおよびｃ−BＮが合成される。またレーザー照射によりダイヤモンドおよびｃ−ＢＮを合成し、ダイヤモンドおよびｃ−ＢＮのコーティングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】特に屈折率のばらつきの無い、屈折率の均一性が高く、複屈折の低い、即ち歪複屈折の低い結晶を提供する。更に、元の結晶成長からの使用済み原料、廃棄物及びトリミング屑を再使用、再生利用する方法を提供する。
【解決手段】高純度で、大型、特に耐放射性であり、且つ固有複屈折率の低い単結晶を、結晶原料の溶融物を生成し、制御冷却して結晶に固化することにより製造する方法において、結晶原料として、成長結晶の破片及び／又は廃棄物を用い、破片及び／又は廃棄物が１）自然光での視覚観察下では無色であり、２）暗室内の白色光での照明下ではａ）赤及び／又は青みがかった蛍光を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、ｂ）拡散散乱を全く有しないか、あってもかろうじて知覚できるものであり、且つｃ）離散的散乱を全く有しないか、あってもｄｍ^３当り２個の散乱中心である僅かの離散的散乱を有するものとする。 （もっと読む）