【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】種結晶上での結晶成長速度を大幅に向上させることができ、かつ長時間継続して結晶成長を行うことができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料１０１を溶媒１０２に溶解して溶液１０２または融液を作成する工程、溶液１０２または融液を攪拌する工程、及び溶液１０２または融液中で第１３族金属窒化物結晶の成長を行なう工程、を備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶液１０２または融液を攪拌する工程において、攪拌により溶液１０２または融液に投入される動力が０．０２Ｗ／ｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】 不純物が少ない希土類ハライド材料を製造する原料精製器具および原料精製装置を提供する。また、上記の装置により精製した原料を使用してシンチレーション検出器に用いられるシンチレーション単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る希土類ハライド原料の精製装置は、シンチレーション検出器に用いられるシンチレーション単結晶の育成に使用する原料を精製するためのものであり、被処理原料および石英を主原料とする不純物付着体を収容する原料収容部と前記原料収容部に収容された原料を溶融するための電気炉などの加熱装置と精製済み原料通過部と精製済み原料の収容部からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｄ−プシコース結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、過飽和を利用することによってＤ−プシコース溶液からＤ−プシコース結晶を製造する方法に関する。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む硝酸を用いずに、シリコン原料の表面に付着した異物又は表層に拡散した異物等を効率良く除去する。
【解決手段】シリコン原料に清浄化水溶液を適用することによりシリコン原料の表面を清浄化する。清浄化水溶液はマイクロバブル状態のオゾンと液中に溶存するオゾンとフッ化水素酸とを含み、上記マイクロバブルが平均直径１〜１００μｍで１〜２０体積％のボイド率で清浄化水溶液中に分散する。清浄化水溶液中のフッ化水素のモル濃度を[ＨＦ](ｍｏｌ／リットル)とし、オゾンマイクロバブルのボイド率及び平均直径をそれぞれｆ(体積％)及びｄ(μｍ)とし、フッ化水素とマイクロバブルの混合比率に関する指数をＡとするとき、清浄化水溶液がフッ化水素とマイクロバブルを[ＨＦ]／（[ＨＦ]＋１００ｆ／ｄ）＝Ａで規定する組成で含みかつ混合比率指数Ａが０．０５〜０．３である。 （もっと読む）

【課題】低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１５とＳｉを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層１６とを接触させることによって、基板１５上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板１５との接触部とは反対側の融液層１６の表面１６ｂ側から、Ｓｉを含む分子とＣを含む分子とを含むプラズマ１７を供給し、かつ融液層１６の基板１５との接触部における温度を融液層１６の表面１６ｂにおける温度より低くする。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の多結晶シリコンの乾燥方法を提供する。
【解決手段】洗浄液で洗浄した塊状の多結晶シリコン（ナゲット１２）の乾燥方法であって、前記多結晶シリコンに前記多結晶シリコンまたは前記洗浄液の吸収帯域の波長を有する電磁波を照射して前記多結晶シリコンを昇温し、前記昇温により前記多結晶シリコン表面に付着した洗浄液が気化する間に前記電磁波の照射を停止することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットの製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝内に装入したシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記坩堝内にシリコン原料を装入するシリコン原料装入工程Ｓ０２と、前記シリコン原料と前記坩堝の底面部との接触面積を増大させるシリコン密接層を形成するシリコン密接層形成工程Ｓ０１と、前記坩堝を加熱して前記坩堝内のシリコン原料を溶解し、前記シリコン融液を生成する加熱溶融工程Ｓ０３と、前記坩堝を冷却して、前記坩堝内のシリコン融液を凝固させる凝固工程Ｓ０４と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを１×１０^−５ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により原料融液から単結晶を成長させる際、インゴットの尾部の凸形状を小さくすることができる単結晶引き上げ装置、単結晶引き上げ方法及び製造された単結晶を提供する。
【解決手段】底部及び底部周縁から立ち上がる壁部を有し、アルミナ融液（原料融液）３００を収容する坩堝２０と、坩堝２０を加熱する加熱コイル（加熱手段）３０と、坩堝２０の壁部の外側を含む第１の領域に配置された断熱容器（第１の断熱部材）１１と、坩堝２０の底部の外側中央部を含む第２の領域に配置され、断熱容器１１より熱伝導性が低い断熱部材（第２の断熱部材）１６と、坩堝２０に収容されたアルミナ融液（原料融液）３００から柱状の単結晶２００を引き上げる引き上げ棒（引き上げ手段）４０と、を備える単結晶引き上げ装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 添加物を含むことなく、優れた蛍光出力を得ることができるシンチレータ用結晶を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシンチレータ用結晶。
ＣｅＸ_ｙ （１）
（一般式（１）中、ＣｅＸ_ｙは母体材料の化学組成を示し、Ｘはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、ｙは下記式（Ａ）：
２．５≦ｙ＜３．０ （Ａ）
で表される条件を満足する数値を示す。） （もっと読む）

【課題】紫外・真空紫外（ＵＶ／ＶＵＶ）領域における透過率が十分高く且つ耐レーザー性や耐ＵＶ／ＶＵＶ性に優れたフッ化物単結晶、それを実現可能とするフッ化物の熱処理方法及びフッ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物であるフッ化物５を、脱酸素機能を有するスカベンジャーとともに、気密化可能な加熱炉１００内に収容する収容ステップと、気密化した加熱炉１００内から排気して当該加熱炉内１００の圧力を１×１０^−１Ｐａ以下にしてからスカベンジャーの昇温を開始する昇温開始ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃低い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を停止する排気停止ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃高い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を再開する排気再開ステップと、を有する。 （もっと読む）

本発明は、｛［（２Ｓ，５Ｒ，８Ｓ，１１Ｓ）−５−ベンジル−１１−（３−グアニジノ−プロピル）−８−イソプロピル−７−メチル−３，６，９，１２，１５−ペンタオキソ−１，４，７，１０，１３−ペンタアザ−シクロペンタデカ−２−イル］−酢酸｝の新規な固体物質、それらを生成するための方法、および医薬品における前記固体物質の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】低圧又は常圧で良質の第１３族金属窒化物結晶の製造方法、及び前記製造方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１３族金属を含有するイオン源と、窒素を含有するイオン源とを、好ましくは溶融塩２中で反応させて第１３族金属窒化物結晶を得る第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶融塩２として、ハロゲン化Ｌｉかハロゲン化Ｎａの少なくとも一方を用い、ＬｉかＮａの少なくとも一方を生成する。 （もっと読む）

物理的気相輸送成長システムは、ＳｉＣ原料及びＳｉＣ種結晶を間隔を隔てて収容する成長チャンバと、該成長チャンバ内に配置された少なくとも一部がガス透過性の覆いとを備えている。該覆いは、該ＳｉＣ原料を含む原料区画と該ＳｉＣ種結晶を含む結晶化区画とに該成長チャンバを分離する。該覆いは、該結晶化区画において該ＳｉＣ種結晶上へのＳｉＣ単結晶の昇華成長中に発生する気化ガスと反応可能な材料で形成され、該ＳｉＣ種結晶上への該ＳｉＣ単結晶の成長中に追加のＣ源として振舞うＣを有する気化ガスを生成する。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、ＭｇＯ（１００）基板のＭｇＯ（１００）面上に形成されたＢａＺｒＯ₃の薄膜上に、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）