【課題】従来の粒状多結晶シリコンは、用途によっては、粒状物を再装填するのに用いられる工程に関わりなく、純度が低すぎる。
【解決手段】本発明の流動性チップは、化学的気相成長法で製造されかつ０．０３ｐｐｍａを超えないレベルのバルク不純物と１５ｐｐｂａを超えないレベルの表面不純物とを有する多結晶シリコン片で構成される多結晶シリコン片群であって、しかも制御された粒度分布を有しかつ概して非球状モルフォロジィを有する多結晶シリコン片群から成る。 （もっと読む）

【課題】低過冷度型の結晶を高い割合で含む球状シリコン結晶を、高い再現性をもって得ることを可能とする、球状シリコン結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料に、AlPの微粉末を添加する工程、及び、AlPの微粉末を含む溶融シリコン材料の液滴を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶中のカーボン濃度の再現性が良好で、高濃度の酸化炭素ガスを発生させることが容易で、かつ炉外部から一酸化炭素ガスを供給する必要のないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】るつぼ１内に、ＧａＡｓ原料４および酸化ホウ素５が充填され、るつぼ１内で蒸発した酸化ホウ素５に起因したガス状物質と反応するように固体カーボン６が配置され、ＧａＡｓ原料４が加熱溶融された後に固化されて、カーボンが添加されたＧａＡｓ単結晶が形成される。ＧａＡｓ原料４にはるつぼ１内に充填される前に予めカーボンが添加されている。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光透過用光学部材、特に液浸式露光装置のラストレンズとして有望な、２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶ）の透過性、及びレーザー光照射による損傷等が少なく、レーザー耐性に優れたＢａＬｉＦ_３単結晶体を提供する。
【解決手段】Ｍｇ及びＫを含有するＢａＬｉＦ_３単結晶体であって、これらの含有比率がモル基準でＭｇ／（Ｌｉ＋Ｍｇ）が０．００１〜０．０２の範囲にあり、Ｋ／（Ｂａ＋Ｋ）が０．００１〜０．０２の範囲にある。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】熱対流を用いた水熱合成法によって、容易にかつ育成期間の長期化を避けながら不純物の低減化を図ることができ、光学部材として好適な人工水晶を得ることのできる人工水晶の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの含有量を２．７ｐｐｍ以下、ナトリウムの含有量を１．１ｐｐｍ以下、カルシウムの含有量を０．１ｐｐｍ以下、鉄の含有量を０．０４ｐｐｍ以下、リチウムの含有量を０．８ｐｐｍ以下に抑えた育成用原料を用い、そして水晶種子のＺ方向への成長速度を０．１ｍｍ／日以上０．３ｍｍ／日以下に設定して育成することにより、アルミニウム、ナトリウム、カルシウム、鉄、リチウムの量が、夫々０．０４２ｐｐｍ以下、０．００２１ｐｐｍ以下、０．０００５ｐｐｍ以下、０．０００４ｐｐｍ以下、０．０１１ｐｐｍ以下の光学部材用人工水晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】工業的に適用可能な比較的低圧の条件下で、不純物の少ない高品質の窒化物、特に、窒化ガリウムの結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】バルブ１を付属する反応容器３内に、原料を充填後、バルブ１を介して、外気に触れることなく窒素含有溶媒を反応容器３内に導入し、結晶を得る窒化物結晶の製造方法。反応容器３内への不純物の混入が抑制され、結果として結晶性の高い、高品質な塊状窒化物結晶が簡易でかつ安全に効率よく得られる。 （もっと読む）

粒状多結晶シリコンの充填物により搬送される不溶性ガスの量を制御するプロセスを提供する。当該プロセスは、（ｉ）供給コンテナを粒状多結晶シリコンで充填する工程と、（ii）シリコンの融点付近の温度、約１バール（約１００ｋＰａ）の圧力で、溶融シリコンに対する溶解度少なくとも約５×１０^１３原子／ｃｍ^３を有する、モル分率少なくとも０．９のガスを含む雰囲気を上記供給コンテナ内で形成する工程と、（iii）上記充填された供給コンテナ内の圧力を低減する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む原料シリコン融液(2)から、いわゆる方向凝固法により、シ
リコン方向凝固物(4)を得、これ(4)から粗シリコン領域(45)を切除して、歩留率の目標値
(Ｙ₀)で、目標最大アルミニウム濃度(Ｃ_10max)以下の精製シリコン(1)を得ることのでき
る方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｃ_10maxと、Ｙ₀とから、あらかじめ、下式（１）を満
足する基準温度勾配(Ｔ₀)および基準凝固速度(Ｒ₀)を求める。
ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ₀）＋Ｋ₂｝
×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ₀×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝
×｛Ｋ₇×Ｔ₀＋Ｋ₈｝−Ｋ₉…（１）
〔ｋは、式（２）
Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−Ｙ₀）^k'-1…（２）
（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）
を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

【課題】冷却設備を用いることなく容器を冷却し、高純度のアンモニアを高い精度で該容器に充填することができる液化アンモニアの充填方法を提供する。
【解決手段】凝縮器にガスアンモニアを供給する供給工程と、凝縮器においてガスアンモニアを液化アンモニアにする液化工程と、凝縮器において生じた液化アンモニアを容器に供給して、容器内に液化アンモニアを充填する充填工程と、容器への液化アンモニアの出入りを停止した状態で、アンモニア充填装置内に存在する総アンモニア量Ｍ１と容器以外のアンモニア充填装置内に存在するアンモニア量Ｍ２を求める計測工程と、計測工程において求めたＭ１とＭ２の差と、容器内への液化アンモニア予定充填量（ＭＣ）との差（Ｍ１−Ｍ２−ＭＣ）に相当する量の液化アンモニアを容器から排出する充填量調整工程と、を含むことを特徴とする液化アンモニアの充填方法。 （もっと読む）

【課題】容器を効率よく冷却し、高純度のアンモニアを高い精度で充填することができる液化アンモニアの充填方法を提供する。
【解決手段】凝縮器２にガスアンモニアを供給する供給工程と、凝縮器２においてガスアンモニアを液化アンモニアにする液化工程と、凝縮器２において生じた液化アンモニアを容器３に供給し、液化アンモニアの気化による潜熱によって容器３を冷却する冷却工程と、冷却工程において液化アンモニアの気化によって生じたガスアンモニアを凝縮器２に供給する循環工程と、凝縮器２において生じた液化アンモニアを容器３に供給し、容器３内に液化アンモニアを充填する充填工程とを含む液化アンモニアの充填方法。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ０．５ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＢａＬｉＦ_３単結晶体を融液成長法で製造した際に、結晶中心部と周辺部で真空紫外光の透過率が異なりやすいという問題を解決し、真空紫外光透過用の光学部材を作製するための原材料として用いることの可能な、光透過率の均一性に優れたＢａＬｉＦ_３単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＢａＦ_２とＬｉＦとＫＦとからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ｌｉ／（Ｂａ＋Ｌｉ＋Ｋ）が０．５２〜０．６５の範囲にあり、かつＫ／（Ｂａ＋Ｋ）が０．００２〜０．０４０の範囲にある原料溶融液を用いてＢａＬｉＦ_３単結晶体を育成する。得られる単結晶体は、通常、Ｋ／（Ｂａ＋Ｋ）が０．００１〜０．０１０の範囲でＫを含む。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ０．５ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】鉄が添加されており半絶縁性のＧａＮ基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属塩化水素気相装置１１のサセプタ上に、（０００１）面を有するサファイア基板といった基板１を配置する。次いで、フェロセンといった鉄化合物のソース１３からの鉄化合物ガスＧ_Ｆｅと塩化水素ソース１５からの塩化水素ガスＧ１_ＨＣｌを混合器１６において反応させて、塩化鉄（ＦｅＣｌ_２）といった鉄含有反応物のガスＧ_{ＦｅＣｏｍｐ}を生成する。この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_{ＦｅＣｏｍｐ}、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない多結晶アルミナからのサファイアへの変換方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯドープされた多結晶アルミナから構成されるセラミック物品を約８０質量ｐｐｍ〜約８０００質量ｐｐｍの酸化ホウ素でドープして、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を形成させ、酸化ホウ素ドープされたセラミック物品を、結晶粒成長を誘発し、かつ多結晶アルミナをサファイアに変換するのに十分な温度と時間で焼結させる。 （もっと読む）

【課題】成長するＳｉＣ単結晶への金属不純物の混入を少なくでき、ＳｉＣ単結晶が所望の結晶形以外の異種多形になることを防止する。
【解決手段】超高純度原料２ａと高純度原料２ｂとを併用しつつ、ＳｉＣ単結晶４の成長初期の段階には超高純度原料２ａの昇華ガスにより結晶成長が行われるようにし、成長初期以降には高純度原料２ｂの昇華ガスにより結晶成長が行われるようにする。このようにすることで、超高純度原料２ａと高純度原料２ｂとを併用しても成長するＳｉＣ単結晶４への金属不純物の混入を少なくでき、ＳｉＣ単結晶４の成長初期に所望の結晶形以外の異種多形になることを防止できる。これにより、超高純度原料２ａのみによってＳｉＣ単結晶４を成長させる場合と比べて原料コストを削減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤダイヤモンド層を提供すること。
【解決手段】研磨工具へのインサートとして用いるためのＣＶＤダイヤモンド層であって、
（ｉ）層が少なくとも０．０５原子％の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること；及び
（ii）長さ１８ｍｍ、幅２ｍｍ及び厚さ１．４ｍｍ以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも６００ＭＰａの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも３００ＭＰａの平均引張り破断強度を特徴とするＣＶＤダイヤモンド層。 （もっと読む）