【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、平坦な主面１ｍを有し、少なくとも主面１ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、主面１ｍに最も近い（ｈｋｉｌ）面１ｎ（ここで、ｉ＝−（ｈ＋ｋ）であり、ｈ、ｋおよびｌはそれぞれ−９以上９以下の整数）の反りの曲率半径が２ｍ以上である基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安定的に調達が可能なシリコン原料を用いて、半導体用のシリコン単結晶の製造に適した原料を効率良く製造できるシリコン単結晶製造用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１ａ内の融液３からＣＺ法によりシリコン単結晶４を引き上げる。その後、石英ルツボ１ａ内に残存している残存シリコン融液３ａに、シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を供給して溶融し、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】β−Ga₂O₃結晶中に他の元素を強制的に混入させて特性を向上させたナノ構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 （もっと読む）

【課題】 坩堝内で貯留される融液の表面に浮遊する異物を、容易にしかも確実に除去する異物除去方法を提供する。
【解決手段】 シリコン原料を坩堝５内で融解させてシリコン融液３を貯留する融解工程と、シリコン融液３の表面に浮遊する異物６をシリコン融液３表面の中心部に集めて、異物６周辺のシリコン融液３表面の一部を固化させて異物固化物を形成する固化物形成工程と、固化物形成工程で形成される異物固化物を回収する固化物回収工程とを含む異物除去方法とする。 （もっと読む）

補償されたシリコン原料からシリコンインゴットを形成する際に抵抗率を制御する方法が、補償され改質された金属級シリコン原料を調製して溶融させてシリコン融液を形成する。補償され改質された金属級シリコン原料によりｐ型優勢の半導体が得られる。このｐ型半導体について、当該方法がホウ素およびリンの濃度を評価し、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムを添加する。当該方法はさらに、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムと一緒にシリコン原料を溶融させてシリコン融液を形成し、このシリコン融液から一方向凝固を実行し、アルミニウムまたは／およびガリウムを添加することにより、シリコンインゴット全体に亘ってシリコンインゴットの抵抗率を均一に維持する。個々のインゴット中でシリコン原料の抵抗率が小さくなる（典型的には０．４Ωｃｍよりも小さく）なる場合、釣り合いの取れた量のリンをアルミニウムまたは／およびガリウムに場合によっては添加することができる。抵抗率が非常に小さい（典型的には、０．２Ωｃｍ付近および０．２Ωｃｍより僅かに小さい）場合には、リンの添加が必要になる。
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【課題】高級感のあるイエローグリーンからブルーサファイアの発色を示したサファイア単結晶を得ること。
【解決手段】Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、酸化物換算でＦｅ０．５質量％〜５．０質量％,Ｔｉ０．０４質量％〜３．０質量％,Ｎｉ０．５質量％〜５．０質量％含有し、上記Ｆｅ,Ｔｉ,Ｎｉの一部がイオン化して固溶していること。 （もっと読む）

【課題】工程能力を下げることなく所望の抵抗率の単結晶を製造可能な単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１を利用した単結晶６の製造時における偏析の影響、揮発性ドーパントの蒸発面積、引き上げ速度の影響を考慮に入れて、ドーパント蒸発速度を算出するための蒸発速度式を導出する。引き上げ時の所定のタイミングにおいて、蒸発速度式から算出されるドーパント蒸発累積量が所定量となる状態に、チャンバ３０のガス流量および炉内圧力を制御する。このため、蒸発速度式に基づき予想した単結晶６の抵抗率プロファイルと、実際の抵抗率プロファイルとの差異を小さくすることができる。また、揮発性ドーパントを後から添加しないので、作業者の負担の増加、製造時間の長期化、チャンバ３０内に付着するアモルファスの増大、単結晶化の阻害、チャンバ３０内清掃時の負担の増加を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】不純化合物析出物または不純化合物介在物、特に太陽電池の電気特性に影響を及ぼす炭化シリコンの形成を防止すること。
【解決手段】本発明の一態様は、結晶シリコン、特にはポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンを製造する方法および装置であって、シリコン出発材料の溶融物が形成され続いてシリコン溶融物は方向性凝固により凝固される。シリコン溶融物の上方に気体、液体、または固体の形態で相または材料が提供され、シリコン溶融物中の酸素、炭素、または窒素から選択される外来原子の濃度、すなわち凝固された結晶シリコンが制御可能である、および／または酸素ガス、炭素ガス、および窒素ガス、または酸素、炭素、および窒素から選択された少なくとも１つの元素を含むガス種から選択されるガス成分の分圧が、シリコン溶融物の上方におけるガス相において調整可能および／または制御可能である。 （もっと読む）

【課題】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法によって小傾角粒界（バウンダリー）の発生を抑制しながら効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、種結晶は、所定の結晶方位に切り出された酸化アルミニウム単結晶であり、種結晶中のＳｉ濃度を重量比で２０ｐｐｍ以下とする。これによりシーディング時に種結晶表面の融解が抑えられ、融液との境界で転位の発生が減少し、効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶ドメインの混在のない高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、成長工程において、ＳｉＯ₂粒子と、カーボン（Ｃ）粒子と、少なくとも１つの特定粒子とを供給し、特定粒子は、融点及び／又は昇華点が９００℃以上２，４００℃以下である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が極めて少なく、高品質で高歩留まりなシリコン単結晶、シリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶３であって、シリコン単結晶３の内部にＣｕ析出物が存在しないシリコン単結晶３、及びシリコン単結晶３から製造されたシリコンウェーハであって、ウェーハの表面及び内部にＣｕ析出物が存在しないシリコンウェーハ、並びにＣＺ法によるシリコン単結晶３の製造装置３０であって、単結晶育成炉内温度が１０００℃以上の部分で使用する石英製部品５のＣｕ濃度が１ｐｐｂ以下であり、且つ単結晶育成炉内温度が１０００℃未満の部分で使用する石英製部品１５，２１のＣｕ濃度が１０ｐｐｂ以下であるシリコン単結晶３の製造装置３０、及び製造装置３０を用いてシリコン単結晶３を育成するシリコン単結晶３の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長レートが高く、高品質の結晶が得られるIII族元素窒化物結晶の製造方法、およびIII族元素窒化物結晶を提供する。
【解決手段】III族元素、アルカリ金属およびIII族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８を加圧加熱し、III族元素、アルカリ金属および窒素を含む融液中でIII族元素および窒素を反応させ、種結晶２０を核としてIII族元素窒化物結晶を成長させるIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、結晶成長容器１８を加圧加熱する前に、沸点がアルカリ金属の融点よりも高い炭化水素を添加するものである。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶の基板を還元処理してＬＴ基板を得る際、処理バッチ間における体積抵抗率のばらつきが低減されたＬＴ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｒ濃度が５００ｐｐｍ以下の原料融液８を用いたチョコラルスキー法等によりＬＴ単結晶７を育成し、ＬＴ単結晶７から作製された基板を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ_２Ｏ_３の混合粉末中において還元処理することにより、体積抵抗率が１０^１０Ω・ｃｍ未満に制御され、Ｚｒ濃度が１００ｐｐｍ以下であるＬＴ基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶の基板を還元処理してＬＴ基板を得る際、処理バッチ間における体積抵抗率のばらつきが低減されたＬＴ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ濃度が１００ｐｐｍ以下の原料を用いたチョコラルスキー法等により育成されたＬＴ単結晶から作製されたＮｂ濃度が３０ｐｐｍ以下であるＬＴ基板を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ_２Ｏ_３の混合粉末中において還元処理して体積抵抗率を１０^１０Ω・ｃｍ未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、酸素濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスから成る雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理装置および方法に関し、特に、光学および電子構成部品の製造、エピタキシャル堆積用の基板としての使用、ウェハ用などの用途に適したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産を提供する。好ましい実施形態では、これらの方法が、ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハ、特にＧａＮウェハを生産するように最適化される。具体的には、この方法は、反応室内で、１つの反応物としてのある量の気体ＩＩＩ族前駆体を、他の反応物としてのある量の気体Ｖ族成分と、１つまたは複数の基板上での半導体材料の持続的大量製造を提供するのに十分な条件下で反応させることを含み、気体ＩＩＩ族前駆体は、ＩＩＩ族元素として５０ｇ／時の質量流量で、少なくとも４８時間の間、連続的に供給される。この方法を実行するシステムも提供される。
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【課題】内部に含まれる窒素濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶を製造する。
【解決手段】減圧雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華しない温度に坩堝３を所定時間保持した後、アルゴンガス雰囲気下で炭化珪素原料２が昇華する温度に坩堝３を加熱することにより、炭化珪素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム系材料は、絶縁ゲート材料など先端電子材料として用いられることが見込まれているが、特に化学的性質の類似したジルコニウムの分離が困難であるため、電子材料用途に適した高純度ハフニウム材料は従来得ることができなかった。
【解決手段】本発明は、ＴＢＰ溶媒を用いた溶媒抽出法をベースとした方法によって、ジルコニウムおよびその他不純物元素が１重量ｐｐｍ以下の高純度ハフニウム材料およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）