【課題】炭素添加によりＯＳＦの形成を抑制し、酸素濃度の許容上限（濃度マージン）を高めることが可能になり、優れたゲッタリンク能力の無欠陥ウェーハを提供する。
【解決手段】ＣＺ法により製造され、結晶径方向の全面に亘りＣＯＰおよび転位クラスターからなるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を存在させることなく、かつ炭素濃度が５×１０¹⁵〜１×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２３−１９８１）であるシリコン単結晶から切り出されることを特徴とする半導体シリコンウェーハである。さらに、酸素濃度が１０×１０¹⁷〜１６×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２１−１９７９）であるシリコン単結晶から切り出されるのが望ましく、急速昇降温熱処理（ＲＴＡ）により、ウェーハ最表面に形成されたＤＺ層の境界面から深さ５０μｍまでの表層部にＢＭＤ最大密度が１×１０⁹個／ｃｍ³以上となるピーク位置を形成することができる。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】 金属元素等の不純物を低減し易いとともに、単結晶の歪みを小さく抑えることができ、より高品質な単結晶を製造し易い製造方法を提供する。
【解決手段】 固体バルク原料３０を溶融固化することによりかさ体積を減少させて、中間成形体４０を形成する前処理工程と、中間成形体４０を溶融して単結晶を成長させる育成工程とを備えた単結晶製造方法であり、前処理工程で固化の進行方向を制御して周囲の一部に不純物を偏析させることにより中間成形体４０を形成し、中間成形体４０の不純物濃度の高い部分４０ｂを除去した後、不純物濃度の低い部分４０ａを用いて育成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】平滑面を有し、Ｎ_２等により特性が劣化されていない、スピンフィルタ型トンネル磁気抵抗素子のコヒーレントトンネル機構でも高効率なスピン注入が可能な、安価で高品質の単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法を実現する。
【解決手段】真空槽３（３×１０^−６Ｔｏｒｒ）内に置いた基板表面に、鉄成分が９９．９５％の金属鉄を蒸着するとともに、基板１に向けて酸化源であるオゾン成分が９０％以上のオゾンガスを前記基板表面に供給し、前記基板１（温度：２５０℃以下）の表面に、前記鉄を酸化しながら単結晶絶縁酸化鉄膜を成膜する。 （もっと読む）

本発明は、半導体顆粒の製造方法に関し、半導体粉末が焼結及び／又は融解される工程を有している。粉末は、ナノメートル及び／又はマイクロメートルのサイズである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に完全に転位をなくした（無欠陥の）III −Ｖ族化合物半
導体層を形成することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素（Ｎ）をＶ族元素に対して１％〜１０％添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により育成され、化学式 Ｂｉ_ｘＮａ_ｙＰｂ_ｚＭ１_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｆｅ_５−ｗＭ２_ｗＯ_１２（式中のＭ１はＹ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種類以上の元素、Ｍ２はＧａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｔから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．５＜ｘ≦２．０、０＜ｙ≦０．８、０≦ｚ＜０．０１、０．１９≦３−ｘ−ｙ−ｚ＜２．５、０≦ｗ≦１．６）で示される磁性ガーネット単結晶である。 （もっと読む）

高純度ガリウムと高純度アンモニアとを制御条件下で管状反応器内において化合させることにより、高品質のＧａＮ粉末を生成する方法。制御条件下におけるアンモニアとガリウムの反応は多孔性ガリウム溶融物を生成するとともに、完全な反応をもたらし、化学量論的窒素濃度および六方晶系ウルツ鋼型構造を備えた高純度結晶性ＧａＮ粉末を生じる。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高抵抗率のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】 シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、シリコンを含む材料および炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、シリコンを含む材料および炭素を含む材料を加熱してシリコンと炭素とを含むガスを生成する工程と、シリコンと炭素とを再結晶させる工程とを含む炭化珪素単結晶の製造方法である。また、この製造方法により得られたＳｉＣ単結晶を所定の厚みに切断して得られたＳｉＣ基板である。 （もっと読む）

【課題】各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。
【解決手段】柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 （もっと読む）

不純物が捕捉される可能性を減らし、及び／又は成長結晶の望ましい化学量論比を確保する改善技術である。不純物除去の改善が掃去(scavenge)ガス、例えばフッ素ガス又はフッ化水素ガス、をアルカリ土類又はアルカリハロゲン化物の溶融体を通したバブリングによって得られ、より多くの揮発性ハロゲン化物及び溶融体中に含まれた酸素を除去することによって溶融体の純度を改善する。原材料を溶融後に反応させることにより、原材料中に捕捉されたあらゆる酸素または金属不純物が自由に掃去剤と反応する。アルカリ土類またはアルカリ金属が掃去ガス中のハロゲン化物と反応するので、望ましい化学量論比に達する。溶融体中の不純物量を低減すること、及び望ましい化学量論比の溶融体を使用することにより、この浄化した原材料から成長した結果物である塊の耐放射性及び透過特性が改善する。加えて、この方法は脱ガスに必要な時間も短縮できる。この方法はまた高純度のプレ溶融体を形成するためにも使用でき、このプレ溶融体はより高い純度の塊を成長させるために使用できる。 （もっと読む）

本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
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半導体デバイス、光導波路、および産業用用途などの用途における使用に適合したものであって、少なくとも一つがＣＶＤ法により形成される１以上のダイアモンド層を有する単結晶ダイアモンド構造の形態をもった単結晶ダイアモンド。ダイアモンド層は、互いに「格子適合」または「格子不適合」されていて、望ましいレベルの歪みを提供する。 （もっと読む）

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置や光発電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に変換効率特性に優れた高品質な結晶シリコン粒子101を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液中に炭素を高精度に且つ再現性良くドープできるシリコン単結晶製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】所定形状の炭素塊７をルツボ４内のシリコン融液Ｍに浸漬して、炭素塊７の表層部の炭素を溶出させることにより、融液Ｍ中の炭素濃度が目標値になるように炭素をドープするようにした。この方法によれば、所定の表面積を持つように高精度に形成した所定形状の炭素塊７を使用して、ルツボ４内の融液Ｍへの炭素塊７の浸漬深さ及び浸漬時間を調節することにより、炭素塊７から融液Ｍ中への炭素の溶出量を高精度に且つ再現性良く制御できる。 （もっと読む）

【目的】エピタキシャル成長面の凹凸が小さく、良好な特性を有し、生産性に優れた半導体エピタキシャル基板を提供する。
【構成】基板の結晶学的面方位が、１つの｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾きの大きさが0.05°以上0.6°以下である単結晶砒化ガリウム基板上にエピタキシャル成長により結晶が形成されており、エピタキシャル結晶の少なくとも一部がＩｎ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ結晶（ただし０＜ｘ＜１）であり、かつエピタキシャル成長が熱分解気相成長方法によって行われることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、かつ音速が小さいニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶を提供することである。
【解決手段】 酸化カリウムの含有量を、２６モル％〜３４モル％、酸化リチウムの含有量を１９モル％〜２７モル％、酸化ニオブの含有量を４５モル％〜５３モル％に、主成分の組成を設定したニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶における、酸化ニオブの５モル％以下（０を含まない）を、酸化モリブデンで置換する。また、単結晶の育成には、融液からの引き上げ法または引き下げ法を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスに使用される半絶縁性炭化ケイ素の基材と、その製造方法とに関する。基材は、１０^６Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１０^８Ω・ｃｍ以上、最も好ましくは１０^９Ω・ｃｍ以上、の比抵抗と、５ｐＦ／ｍｍ^２以下、好ましくは１ ｐＦ／ｍｍ^２以下の容量とを有する。基材の電気特性は、電気挙動を支配するためには充分に高いが、表面欠陥を回避するのには充分に低い濃度の、少量の深準位不純物の添加によって制御される。基材は、意図的に、５×１０^１６ｃｍ^３以下、好ましくは、１×１０^１６ｃｍ^３以下に低下された、浅準位ドナー及びアクセプタを含む、意図されないバックグラウンド不純物をある濃度で含む。深準位不純物は、周期表のＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＶＩＩＢ及びＶＩＩＩＢ族から成るグループから選択される金属の１つを含む。バナジウムが好適な深準位元素である。比抵抗と容量の制御に加えて、本発明の別の利点は、結晶全体にわたる電気的均一性の増加と、結晶欠陥の密度の低下である。
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