【課題】半導体材料等に用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板の提供
【解決手段】主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶種基板１を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶（４、５）を成長させて全面一体化して得られたダイヤモンド単結晶基板であって、複数個のダイヤモンド単結晶種基板１の主面の面方位は｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、前記種基板から成長したダイヤモンド単結晶層が、第一の段階では少なくとも水素及び炭素を含む反応ガスを用いて、＜１１１＞方向の成長速度に対する＜１００＞方向の成長速度の比に√３をかけた値αが２．０以上３．０未満である条件で成長され、第二の段階では、少なくとも水素及び炭素と、さらに窒素、リン、フッ素、又は塩素の一つ以上を含む反応ガスを用いて、前記αが３．０以上である条件で成長されたダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】濾過、洗浄性が良好で、かつ蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な、不純物含量の低い、高純度酸化ガリウムを提供する。
【解決手段】ガリウムを含有する酸性水溶液と塩基性溶液を混合し、ｐＨを８〜１０の範囲に調整し水酸化ガリウムを得る工程と、得られた水酸化ガリウムをｐＨを８〜１０の範囲で８０℃以上の温度で１時間以上保持しオキシ水酸化ガリウムを得る熱処理工程と、該熱処理により得られたオキシ水酸化ガリウムを濾別、洗浄後、乾燥、焼成し酸化ガリウムを得る工程を含んでなり、かつ該水酸化ガリウムの熱処理工程における水酸化ガリウムと接触する部位に、フッ素含有樹脂を用いこれらの反応を行う。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶の提供。
【解決手段】 昇華させた昇華用原料を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させて、炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造され、最大直径が、前記種結晶の直径よりも大きい炭化ケイ素単結晶である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】好ましくは四フッ化炭素などのフッ素系ガスからなる気体スカベンジャーを用いて、回収した原料フッ化金属の精製を行う。該精製は、フッ素系ガスの存在下に原料フッ化金属の溶融後、一旦、真空排気し、その後再度のフッ素系ガスの導入と真空排気との繰り返しによって行うことが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属不純物、結晶欠陥（気泡）の少ないサファイア単結晶基板の製造方法およびサファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】サファイアインゴットの製造方法は、加熱炉内のるつぼ内に充填された固体の酸化アルミニウム（アルミナ）を、融点（２０５０℃）未満の温度において加熱して保持する固相での加熱工程（Ｓ１０１）、るつぼ内の酸化アルミニウムを、融解する溶融工程（Ｓ１０２）、酸化アルミニウムの融点より高い温度において加熱しつつ保持する液相での加熱工程（Ｓ１０３）、種結晶を回転させながら上方に引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程（Ｓ１０５）、アルミナ融液に肩部の下端部を接触させた状態で、種結晶を介して肩部を回転させながら上方に引き上げることにより、肩部の下方に直胴部を形成する直胴部形成工程（Ｓ１０６）を含む。 （もっと読む）

【課題】歪の小さいサファイア単結晶インゴット、サファイア基板およびサファイア基板に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】坩堝１５に、酸化アルミニウムと、ケイ素、ゲルマニウムおよびスズの少なくとも１つの元素からなる添加元素の酸化物を含み酸化アルミニウムに対し重量濃度で３０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲に設定された添加物とを投入し、坩堝１５内にて酸化アルミニウムおよび添加物を溶融してアルミナ融液３５を得た後、坩堝１５内のアルミナ融液３５から、酸化アルミニウムおよび添加物を含み且つサファイアの単結晶構造を有するサファイアインゴット３０を引き上げる。このとき、引き上げられたサファイアインゴット３０では、酸化アルミニウムに対し添加元素の重量濃度が２ｐｐｍ〜８０ｐｐｍとなる。 （もっと読む）

【課題】単位面積あたりのエッチピット密度（ＥＰＤ）で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にＳｉドーパントを挟み込んで、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂとした。当該Ｓｉドーパントを挟み込む位置は、当該ＧａＡｓ化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂ、液体封止剤３２をるつぼに投入し、単結晶成長装置１にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット３３を得る。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。このことにより、ブロック１１に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない高品質の金属窒化物、特に窒化ガリウムを効率よく得る方法を提供する。
【解決手段】 非酸化物材質のコンテナを用いることを特徴とする金属窒化物の製造方法。原料金属や生成する金属窒化物と接触するコンテナの材質を非酸化物とすることで、コンテナと原料金属や生成する金属窒化物との反応や固着を回避し、また、コンテナの材質由来の酸素の混入を防ぐことで結晶性の高い高品質な金属窒化物が得られる。一定以上の窒素源ガスの供給量と流速を確保することで極めて高い転化率で原料金属を窒化物に転化でき、未反応の原料金属の残存が少ない、金属と窒素が理論定比の金属窒化物が高い収率で得られる。得られた金属窒化物は酸素混入量も少なく金属と窒素が理論定比であるため、バルク結晶成長用の原料として極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】 単結晶全体で均一な不純物の含有濃度を有する炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素を含有する炭化ケイ素含有原料に所定の不純物２５を添加して昇華用原料１３を作製し、昇華用原料１３を坩堝７内に収容したのち、昇華用原料１３を加熱して発生させた昇華ガスによって炭化ケイ素からなる種結晶２３上に、不純物２５を含む単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。炭化ケイ素含有原料に対する不純物２５の添加量を変えて不純物の含有濃度が異なる複数の昇華用原料１３ａ，１３ｂを作製するステップと、複数の昇華用原料のうち含有濃度が低い昇華用原料１３ｂを加熱温度が高い坩堝７内の高温部Ｈに配置し、含有濃度が高い昇華用原料１３ａを加熱温度が低い坩堝７内の低温部Ｌに配置するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】品質の低下を抑制できる、ＳｉＣ結晶およびＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶１０は、Ｆｅの濃度が０．１ｐｐｍ以下であり、かつＡｌの濃度が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。ＳｉＣ結晶の製造方法は、以下の工程を備える。第１の原料として研磨用ＳｉＣ粉末を準備する。第１の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第１のＳｉＣ結晶を成長する。第１のＳｉＣ結晶を粉砕して、第２の原料を形成する。第２の原料を加熱することにより昇華して、ＳｉＣの結晶を析出することにより、第２のＳｉＣ結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 （もっと読む）

【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、ＧａＣｌガス、ＮＨ_３ガス、及びＮ_２又はＡｒにより所定の濃度に希釈されたＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをＧａＮ単結晶基板に供給し、４５０μｍ／ｈｏｕｒより大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度でＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ単結晶を成長させると共に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスが所定の濃度に希釈されたことによるＮＨ_３ガスとの反応の抑制により、ＧａＮ単結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−２Ωｃｍ以下となるようにＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスに含まれるＳｉがＧａＮ単結晶にドーピングされることを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく良質で、大型ウェハの切り出しが可能な大面積の４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予め、摂氏１８００度から摂氏２２００度程度の高温処理により高純度化処理を施し、純度を９９．９９％以上にした炭化珪素粉末を原料として使用する。このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する高品質の単結晶炭化珪素を、工業的規模で安定に供給し得る結晶製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、原料２となる炭化珪素粉末に窒化珪素粉末を混合する。その割合は、９０対１０から９９．５対０．５の範囲である。混合される窒化珪素は、分解、昇華温度が炭化珪素に近く、かつ炭化珪素単結晶中に窒素が取り込まれることによりＮ型の特性を示す。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜を備えた（１００）面方位を有するダイヤモンド半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 （１００）面から１０度以下のオフ角を持ち、エピタキシャル成長させるためのダイヤモンド基板と、前記基板上にリンをドープしてエピタキシャル成長させて形成したｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜とを備え、前記ｎ型ダイヤモンド半導体単結晶膜は、前記基板と同じオフ角ならびに（１００）面方位を有することを特徴とするダイヤモンド半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体膜へのＶ族元素のドーピング効率を向上させて、電子素子への実用に供することが可能なダイヤモンドのｎ型半導体膜を提供する。
【解決手段】気体におけるＡｓと炭素Ｃとの比率（Ａｓ／（Ａｓ＋Ｃ））が２ｐｐｍ〜５０００００ｐｐｍの範囲になるように炭素を含む原料ガスとＡｓドーパントガスを用い、マイクロ波パワーが３５０Ｗから７５０Ｗの範囲にあり、基板表面温度が７００℃から９００℃の範囲にあり、Ａｓ流量が１マイクロモル毎分から７５０マイクロモル毎分までの範囲にあるマイクロ波プラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）法によりｎ型ダイヤモンドが得られる。マイクロ波パワーが３５０Ｗから７５０Ｗの範囲で、移動度は２００ｃｍ2／（Ｖｓ）程度になり、ｎ型伝導が実現さる。ドーパントとしてＡｓの代わりにＳｂを用いても同様の効果が得られる。 （もっと読む）

本発明は、９９．９９％以上の純度を有するαアルミナに関する。このαアルミナは、大部分が８５０μｍ以上のサイズを有し、球形粒子（１）の形状をしている。本発明はまた、上記で定義したαアルミナの使用形態と、関連する合成方法および装置とに関する。
【参考図】図１
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【課題】シリコン単結晶のインゴットにおいて、結晶成長軸方向の抵抗率分布の傾きを小さくすることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決方法】チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 （もっと読む）