【課題】酸液による酸洗工程の後の水洗工程において、酸液の除去の完了を簡単に、かつ、精度良く判断することが可能な多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置、並びにその洗浄によって高品質の多結晶シリコンを製造する方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンの洗浄方法であって、酸液による酸洗工程Ｓ４と、この酸洗工程Ｓ４の後に純水で洗浄する水洗工程Ｓ５とを有し、該水洗工程Ｓ５では、純水を貯留した水洗槽に前記多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも１回以上前記水洗槽内の純水を入れ替えて、前記多結晶シリコンの表面に残留した前記酸液の除去を行うとともに、前記水洗槽中の純水の電気伝導度Ｃを測定し、前記電気伝導度Ｃの測定値によって前記水洗工程Ｓ５の終了を判断することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物や斑点を低減した良質の多結晶シリコンを得ることができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】酸を満たした状態の複数の酸槽２〜６に多結晶シリコンＳを順次浸漬しながら洗浄する多結晶シリコン洗浄装置であって、各酸槽２〜６の液温は、隣接する酸槽の後段位置の酸槽が前段位置の酸槽と同じかもしくは低く設定され、かつ、最も前段位置の酸槽２よりも最も後段位置の酸槽６の方が低温に設定され、各酸槽２〜６に、その液温を一定に維持する温調手段１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】抗電界Ｅｃが小さく残留分極Ｐｒが大きいビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも１つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶（Ａ）を形成する工程と、結晶（Ａ）を、酸素分圧が１気圧以上の雰囲気下において熱処理する熱処理工程とを含む。ビスマス供給用材料に含まれるビスマスの純度は、９９．９９９モル％以上である。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板１０を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３に窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、１０５０℃以上１２５０℃以下の雰囲気温度下、２μｍ／ｈｒ以下の結晶成長速度で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】サブグレインや気泡の発生を抑制して、効率的に高品質なc軸方位の酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内に配置した坩堝３に単結晶製造用の原料を入れて加熱コイル５により加熱溶融し、前記原料が溶融した融液６から単結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、原料である酸化アルミニウムの純度を99.99%以上のものを用い、酸素を0.2〜1.0体積％含有する不活性ガス雰囲気中で酸化アルミニウム単結晶を育成する。また、結晶製造装置における坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φ_Wとの比を、0.4以上、0.6以下とすることにより、結晶育成中の融液の対流を効率的に制御すことができ、高品質な結晶の製造に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＲＥ_２ＢａＯ_４とＢａ_ｘ−Ｃｕ_ｙ−Ｏ_ｚ系混合原料との固液反応を用いることにより、ＲＥ１２３系酸化物超電導体を形成する方法は、低温で保持部材が金属シースの単芯線材または多芯線材を形成する方法であったが、臨界電流Ｉｃおよび臨界電流密度Ｊｃの値が低く、しかもそれらの再現性に乏しいという課題があった。
【解決手段】少なくともＲＥ_２ＢａＯ_４とＢａ_ｘ−Ｃｕ_ｙ−Ｏ_ｚ系原料とを含む混合原料を保持部材の内部に保持した状態で、混合原料を加熱することにより、ＲＥ_２Ｏ_３を含む複合相前駆体を形成する工程と、複合相前駆体を形成する工程を行なった後に保持部材の内部に保持された複合相前駆体を加圧することにより、複合相前駆体を緻密化する工程と、緻密化された複合相前駆体に、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行なう工程とを備える、ＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】大きなファラデー効果が得られ、かつ、優れた結晶性のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜にビスマスを多量に固溶することが可能なガーネット単結晶基板、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】サマリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、及び、ガリウムの酸化物を原子比で、Sm:Sc:Ga=3:p:q(ただし、0≦p≦2.0,3.0≦q≦5.0)の量比で混合した混合物を用いて、不活性ガス中に酸素を体積基準で0.5%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気中で、チョクラルスキー法により、ガーネット単結晶を育成する。結晶育成に用いる原料の純度は99.9%以上であることが好ましい。前記ガーネット単結晶は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を液層エピタキシャル法で形成するための基板として用いられる。 （もっと読む）

【課題】連続チャージＣＺ法（チョクラルスキー法）を用いたシリコン単結晶の育成方法において、転位のない長尺の単結晶を育成することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、単結晶引き上げ用の石英坩堝２でシリコン単結晶１１を育成しながら、シリコン原料融解用の石英坩堝２１で固体シリコン原料を融解し、このシリコン融液３０を単結晶引き上げ用の石英坩堝２に供給するシリコン単結晶の育成方法において、シリコン原料融解用の石英坩堝２１に収容するシリコン融液３０にバリウム化合物を添加、または、シリコン原料融解用の石英坩堝２１から単結晶引き上げ用の石英坩堝２にシリコン融液を導く石英管２７、およびシリコン原料融解用の石英坩堝２１のうちの少なくとも一方の内表面にバリウム化合物を塗布する。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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さまざまな品質のシリコン原料を使用してシリコンインゴットおよび結晶を形成する技術が記載される。共通の特徴は、所定量のゲルマニウムを溶融物に添加し、それぞれの結晶シリコン材料のシリコン格子にゲルマニウムを取り込むように結晶化を実行することである。ゲルマニウムがこのように取り込まれることで、シリコン材料のそれぞれの特性、主に、材料強度が向上する。これにより、太陽電池の製造およびこれらの太陽電池からのモジュールの作製におけるこのような材料の適用に好ましい効果を及ぼす。ゲルマニウム濃度が（50〜200）ppmwの範囲のシリコン材料は、材料強度の向上を示しており、この場合の最良の実用範囲は、生成された材料の品質に依存する。

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【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】内部に含まれる窒素濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法による炭化珪素単結晶の製造装置１において、加熱コイル７−１の下端部付近が炭化珪素原料２の表層部の側方に配置されるように加熱コイル７−１を上方に移動させ、炭化珪素原料２の表層部のみを炭化珪素が昇華する温度以上の温度とし、所定時間保持することにより、炭化珪素原料２の表層部のみが炭化した、多孔層８を形成させる。この多孔層８は分子篩効果を有するので、炭化珪素単結晶の成長に必要な構成要素のみを通し、窒素等の不純物を通さない。この後、加熱コイル７−１を下方に移動させ、炭化珪素原料２全体を炭化珪素が昇華する温度とすることにより、炭化珪素の種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。なお、多孔層８と同様の特性を有する多孔板を炭化珪素原料２の表層部に設置しても、上述の効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】低不純物汚染（高純度）の多結晶シリコンロッドであってかつ単結晶化効率の高いＦＺ用多結晶シリコンロッドの製造を可能とする方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコンインゴット１０のショルダ部１０ｓおよびテイル部１０ｔを切り落として得られたボディ部１０ｂから平板状シリコン１１を切り出し、更に、短冊状に切断してシリコン棒（芯線）１２を得る。このようにして切り出した芯線の表面は、切断加工時に生じた残留歪みを除去する目的で、エッチング処理を施すことが好ましい。結晶成長軸方位が＜１００＞の場合、晶壁線（ｈ１〜ｈ４）は４本となるが、シリコン棒（芯線）１２は、その面が、晶壁線と特定範囲のオフアングルθを成すように切り出される。このときのオフアングルθは、５度乃至４０度の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥が少なく結晶性に優れた、不純物を含有する炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】成長結晶中への不純物元素の添加方法として、不純物元素又はその化合物からなる固体原料を、珪素および炭素からなるSiC原料中に不均一に配置することで、結晶成長の初期から中期における成長結晶中の不純物濃度を漸増させて同時期における成長を安定化させ、高品質の不純物元素含有炭化珪素単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】溶液法により４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を安定して平坦成長させることができる４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液を溶媒とし、これにＣを溶解させた溶液から４Ｈ−ＳｉＣ種結晶上に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、
上記溶媒として、Ｓｉ融液にＴｉとＡｌ、Ｓｎ、Ｇｅのいずれか１種である元素Ｘとを添加したＳｉ−Ｔｉ−Ｘ３元溶媒を用い、４Ｈ−ＳｉＣ種結晶のＳｉ面上に、１７８０℃以上の成長温度で４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を成長させることを特徴とする４Ｈ−ＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン原料として使用されないシリコン原料を精製して、単結晶シリコン製造用結晶原料又は単結晶シリコンインゴット（シリコン単結晶）を製造する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）において、シリコン原料１３をルツボ１ａ内で溶融した後、この溶融液１１からＣＺ法によりシリコンインゴット５ａを育成する際に、育成されるシリコンインゴット５ａとシリコン溶融液１１間に電圧を印加し、単結晶シリコン製造用結晶原料５ａを製造する。また、（ｂ）においては、シリコン原料１３を溶融して育成した原料用シリコンインゴット５ｂを溶解した後、このシリコン溶融液からＣＺ法により単結晶シリコンインゴット１４を引上げる際に、育成される単結晶シリコンインゴット１４とシリコン溶融液間に電圧を印加する。シリコンインゴット５ａ，１４を正極（＋極）とし、＋５０Ｖ以下の電圧を印加するのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】酸素ドナーのような不純物を含み、不純物濃度の高いシリコン原料（リサイクル原料）であっても、所望の（制御された）電気抵抗率を有するシリコンインゴットを容易に、かつ優れた量産安定性をもって得ることができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料の電気抵抗率を測定し、得られた電気抵抗率の測定値に応じて、該シリコン原料を分類する工程および前記電気抵抗率の測定値に応じて、ボロン（Ｂ）の添加量を算出してボロン（Ｂ）を含む材料をシリコン原料に添加する工程を含む、制御された電気抵抗率を有するシリコン単結晶インゴットを融液成長法により製造することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）