【課題】高い嵩密度でルツボに充填することができ、加熱溶融時にルツボを酸化させるこ
とがなく、ボイドの少ないサファイア単結晶が得られるαアルミナ粉末を提供する。
【解決手段】本発明のαアルミナ粉末は、純度が９９．９９質量％以上、比表面積が０．１〜２．０ｍ²／ｇ、相対密度が５５〜９０％、閉気孔率が４％以下、粒子径分布（ＪＩＳ Ｋ ００６９(1992)の乾式ふるい分け試験で求めた乾式ふるい分け粒子径の質量基準）において、粒子径７５μｍ未満の粒子が５質量％以下、粒子径２．８ｍｍを超える粒子が１５質量％以下、粒子径１００μｍ以上、８５０μｍ未満の領域に１つ以上の頻度極大を示すことを特徴とする（粒子径はＪＩＳ Ｚ８８０１(1987)で規定する標準篩のうちαアルミナ粉末が通過し得なかった標準篩の目開きの最大値）。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、製造方法が簡単であって製造コストの低い発光ダイオード、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起形状を有する金属酸化物半導体と、突起形状を有する金属酸化物半導体を被覆する金属化合物半導体からなり、いずれか一方がｐ型、他の一方がｎ型であることを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】低い温度で溶融し、飛び跳ねの生じにくい、炭素のドープ剤を使用することにより、炭素をドープしたシリコン単結晶の生産性を向上させ、製造コストを低減することを可能とするシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー（ＣＺ）法による炭素をドープしたシリコン単結晶の製造方法であって、ルツボにシリコン原料と、少なくとも炭素を含有したシリコンのドープ剤とを供給する工程と、シリコン原料とドープ剤とを溶融して原料融液とする工程を有し、ドープ剤中の炭素含有量が、ドープ剤中のシリコン含有量と炭素含有量の総和に対し、０．２原子％以上１．０原子％以下であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、ｃ面（｛０００１｝面）窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】本発明は特に、ＨＶＰＥを使用して窒化ガリウム単結晶厚膜のｃ面（｛０００１｝面）を製造する方法である。窒化ガリウム膜は、塩化水素（ＨＣｌ）ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】 例えば発光波長が２００ｎｍ以下の真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子材料を提供する。
【解決手段】 付活剤としてネオジウムを、フッ化バリウムリチウムに対して、０．００１〜１モル％程度含有するフッ化バリウムリチウム単結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子であり、電子線或いはＦ２レーザー等の適当な励起源と組み合わせることにより真空紫外光を発っする。 （もっと読む）

本発明は、ジーメンス法からのポリシリコンを、細断工具およびスクリーン装置を含む装置により細断し、分級し、こうして得られたポリシリコン断片を清浄化浴により清浄化することにより、高純度の分級されたポリシリコン断片を製造する方法であって、
細断工具およびスクリーン装置が、引続き意図的に清浄化浴によって除去されるような異質粒子でポリシリコン断片だけを汚染する材料からなる、ポリシリコンと接触する表面を例外なく有することを特徴とする、高純度の分級されたポリシリコン断片を製造する方法に関する。
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【課題】棒状結晶から多結晶シリコンを切断する際に、機械切断面に含有される金属不純物の濃度を抑制し、かつ切断時のクラック発生を防止することができる多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】シーメンス法で製造された棒状多結晶シリコンから切断され、棒状多結晶シリコンの長手方向に略垂直な機械切断面を有する多結晶シリコン１であって、機械切断面がエッチング処理を経ておらず、切断面における金属不純物の濃度として、Ｆｅ：０．０８ ｎｇ／ｃｍ² 以下であること、さらに、Ｃｕ：０．１２ ｎｇ／ｃｍ² 以下、Ｎｉ：０．０６ ｎｇ／ｃｍ² 以下、Ｃｒ：０．０８ ｎｇ／ｃｍ² 以下、Ｎａ：０．１２ ｎｇ／ｃｍ² 以下、Ｚｎ：０．０６ ｎｇ／ｃｍ² 以下またはＡｌ：０．１０ ｎｇ／ｃｍ² 以下のいずれかである多結晶シリコン１である。機械切断面には、クラックが無いことが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】異種基板１と、異種基板１上に成長した窒化物半導体結晶層３と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層３が、第１結晶層３１と、第１結晶層３１を下地層として成長した第２結晶層３２とを含んでおり、第２結晶層３２の少なくとも一部にはＭｇが添加されており、第１結晶層３１と第２結晶層３２との間にはマスク層Ｍが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層３が、更に、第２結晶層３２の上にＭｇ拡散防止層３３を含んでいる。 （もっと読む）

ドープされた及びドープされていない化学量論的な高純度の多結晶ＡｌＮセラミックスの製造が、例えばＡｌペレットを窒素ガスと反応させることによって行われる。このような多結晶ＡｌＮセラミックスは、高純度のＡｌＮ単結晶の製造で使用することができ、このＡｌＮ単結晶は、その導電性を増大させるためにアニールすることがでる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内部への水分流入を防止し、光学性能（透過率など）に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の内室ＩＲのガス圧が坩堝１０の外室ＯＲの圧力又は処理炉ＰＦの圧力よりも低い場合には、外蓋１４は内蓋１２に載置された状態を維持するので、坩堝１０の外部から坩堝１０の内室ＩＲへの水分などの流入を防止することができる。一方、坩堝１０の内室ＩＲのガス圧が坩堝１０の外室ＯＲの圧力又は処理炉ＰＦの圧力よりも高い場合には、外蓋１４が内蓋１２から持ち上がり、坩堝１０の内室ＩＲのガスは、開口部１２ａを介して、坩堝１０の外室ＯＲに排出され、更に、開口部１１を介して、坩堝１０の外部に排出される。このように、開口部１２ａを有する内蓋１２と、開口部１２ａを覆う外蓋１４とが、逆止弁の機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】分極制御特性や非線形光学特性および電気光学特性に優れた光学用途のニオブ酸リチウム単結晶と、その単結晶を用いた光素子、およびニオブ酸リチウム単結晶を安定に成長させる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率が０．５６〜０．６０である、Ｌｉが定比組成よりも過剰な組成の融液から育成されたニオブ酸リチウム単結晶であって、融液は、Ｍｇ元素を含み、ニオブ酸リチウム単結晶は、Ｍｇ元素をニオブ酸リチウム単結晶に対して０．１〜３．０ｍｏｌ％含み、ニオブ酸リチウム単結晶におけるＬｉ_２Ｏ／（Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｌｉ_２Ｏ）のモル分率は、０．４９０以上０．５００未満の間にあり、室温で分極反転するために必要な印加電圧が３．７ｋＶ／ｍｍ未満であり、ニオブ酸リチウム単結晶は、分極反転構造を利用した光素子用である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣエピタキシャル成長層２の成長工程が、積層に伴ってマイクロパイプが閉塞される第１のエピタキシャル成長層２ａを成長する閉塞層成長工程と、第１のエピタキシャル成長層２ａの途中に不純物濃度が３×１０^１９ｃｍ^−３以上の第２のエピタキシャル成長層２ｂを少なくとも一層成長する歪み層成長工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣエピタキシャル成長層２の成長工程が、積層に伴ってマイクロパイプが閉塞される第１のエピタキシャル成長層２ａを成長する閉塞層成長工程と、第１のエピタキシャル成長層２ａ上に積層してもマイクロパイプが維持される第２のエピタキシャル成長層２ｂを成長する非閉塞層成長工程とを少なくとも一つのマイクロパイプが閉塞し切らない間にそれぞれ１回又は複数回有している。 （もっと読む）

【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、ＣＶＤ工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。 （もっと読む）

還元剤、好ましくは、炭素質の作用物質の存在下で、水溶液中で予備精製したシリカの還元を用いる、光電池に適する高純度シリコンの調製方法であって、前記予備精製したシリカが光電池に適する少量のホウ素を有する方法が開示される。

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【課題】再生利用インゴットに含有される不純物量を正確に推定し、所望の比抵抗の単結晶を成長させる単結晶製造管理システム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の単結晶製造管理システムは、単結晶におけるスライスしてウェハとされない部分を再利用インゴットとし、他の単結晶の成長に用いる際の不純物量管理を行うものであり、再利用インゴットを採取した単結晶の他の部分の比抵抗プロファイルを記憶する比抵抗プロファイル記憶部と、再利用インゴットの結晶の成長軸方向両端の比抵抗，引き上げ開始時の不純物濃度，偏析係数，固化率及び補正係数から選択された１以上を含む変数からなる不純物濃度推定式と、比抵抗プロファイルとから再利用インゴット内の比抵抗プロファイル示すプロファイル式を求めるシミュレーション部と、比抵抗プロファイル式に基づいて、再利用インゴット内の不純物量を算出する不純物量算出部とを有する。 （もっと読む）

【課題】光学素子、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、光触媒等に利用可能な六方晶系の単結晶からなるナノチューブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫化カドミウム粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物をグラファイト製の坩堝に入れ、窒素ガス等の不活性ガス気流中において、１１００〜１２００℃で３〜５時間加熱することにより、六方晶系の単結晶からなる硫化カドミウムナノチューブを形成する。このナノチューブ内の一部には、スズを充填することができる。硫化カドミウム粉末の代わりにセレン化カドミウム粉末を用いることで、六方晶系の単結晶からなるセレン化カドミウムナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 不純物を低減して、リン分子を分子線として照射することができる分子線源および分子線源使用方法を提供する
【解決手段】 充填空間１１に赤リン材料を充填し、充填空間１１と精製空間１２とを連通させた状態で、充填部２１を第１気化温度ｔ１ｇに加熱して充填空間１１に存在する赤リンを昇華して、精製空間１２に白リンを凝縮する。次に精製空間１２と貯留空間１３とを連通させた状態で、精製部２２を第１気化温度ｔ１ｇよりも低い第２気化温度ｔ２ｇに加熱して精製空間１２に存在する白リンを気化して、貯留空間１３に白リンを凝縮する。このようにして貯留空間１３に生成した白リンを分子線の照射材料として用いて、リン分子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ厚膜１２は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部１３、Ｓｉドープ部１４を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、ＳｉドープＧａＮ厚膜１２の両面をそれぞれ１００μｍづつ研磨することにより厚さ４００μｍのＧａＮ自立基板１５が得られる。 （もっと読む）