【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】精度良く温度測定を行うことができ、かつ、原料の未昇華を防止し、結晶性の良いＳｉＣを生産性良く成長させることができるＳｉＣ成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ原料を収容するルツボ及び前記ＳｉＣ原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記ＳｉＣ原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にＳｉＣを結晶成長させるＳｉＣ成長装置であって、前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであるＳｉＣ成長装置。 （もっと読む）

【課題】たとえ反応容器が破損した場合であっても、耐圧性容器の内壁が腐食されることなく良質な窒化物結晶を得ることができる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器２に原料５、酸性鉱化剤、およびアンモニアを充填して密閉した後、耐圧性容器１内に該反応容器を設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気において結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に、前記酸性鉱化剤または前記酸性鉱化剤から発生する酸と反応して反応生成物２３を生じる物質を存在させる。 （もっと読む）

【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するＣＺ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が２以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】混合融液から外部へのフラックスの蒸発を防止してＩＩＩ族窒化物結晶を製造可能なＩＩＩ族窒化物結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族金属とフラックスとを含む融液が保持された保持容器１０１を内在した反応容器１０３と窒素ガスボンベ１０５とを結ぶ配管１０４内に溶融Ｎａ１１２の滞留部を形成し、該滞留部によって配管１０４を一時的に閉塞する。これにより、結晶成長中の時間内（数１０〜数１００時間）では、保持容器内の融液中に含まれるフラックスの減少を防止することができ、その結果として、従来よりも低コストかつ高品質で、大型のＩＩＩ族窒化物結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】超高純度、極小数キャリア寿命の単結晶シリコンの連続的かつ急速な成長用のシステム及び方法に関する。
【解決手段】単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶／溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも原料フッ化金属が溶融を開始してから種結晶体を原料溶融液に接触させるまでの間は、種結晶体の原料溶融液に接触させる部分（先端部）を炉内の高温領域に待機させて、各種揮発成分の種結晶先端への凝縮・付着を防止する。具体的には、原料フッ化金属の融点未満かつ（融点−４００℃）以上の温度となる位置ｃにて待機させる。さらにスカベンジャーを用いる場合には、スカベンジャーの溶融及び／又は分解が開始するよりも前に当該位置にての待機を開始させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等の光デバイスや電子デバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の結晶製造装置は、原料を含む反応容器１０１と、前記原料と反応して結晶を形成させる気体を前記反応容器に供給する供給管１０８と、前記反応容器１０１の周囲に設けられた加熱用ヒーター１１１と、前記加熱用ヒーター１１１および前記反応容器１０１を覆う外側容器１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された坩堝に残存する残存シリコン融液を除去して冷却過程における坩堝の割れを防止し、坩堝の再利用を図ることが可能な残存シリコン融液の除去方法、単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンの製造装置及び残存シリコン融液吸引器を提供する。
【解決手段】チャンバ１１の内部に配置された坩堝２０内に残存したシリコン融液Ｍを除去する残存シリコン融液の除去方法であって、吸引した残存シリコン融液が貯留される貯留空間を備えた本体部７２と前記貯留空間に連通するノズル部とを備えた残存シリコン融液吸引器７０を、ノズル部が坩堝２０内の残存シリコン融液Ｍに浸漬されるようにして配置し、チャンバ１１内にガスを導入してチャンバ１１内の圧力を昇圧し、チャンバ１１内と前記貯留空間内との差圧によって、残存シリコン融液Ｍを前記貯留空間へと吸引することを特徴する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、タンパク質、核酸などの生体分子の結晶を、効率的に育成させるための装置およびその方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、（a）結晶化溶液中で生体分子の結晶化を行い；（b）結晶化溶液中の生体分子の結晶の成長が遅くなるかまたは停止した後に、添加溶液を結晶化溶液中に供給して、結晶化溶液中の生体分子濃度を上昇させかつ沈殿剤濃度を低下させ；そして（c）結晶化溶液中での生体分子の結晶化をさらに進行させて、結晶育成を継続させる；ことを特徴とする、生体分子を蒸気拡散法によって結晶育成させる方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心軸周りに等配された複数の引下げ用の坩堝１１と、坩堝１１各々を巻回す複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、を有する構成とし、加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを各コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの軸心に対して同一方向に電流が流れるように各々直列に接続し、単一の電力導入端２１より複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有する回路に電力を投入する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のネックからショルダにおける結晶前半の単結晶化率を向上できるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置を提供する。
【解決手段】容器１１と、粉末が浮遊した試験用液体１０の表面上に表面張力により浮遊される円盤１３とをそれぞれ独立して回転させた状態で、容器１１の外部から試験用液体１０に対して水平方向に光源１４から光線を照射し、試験用液体１０の表面の映像を上方から光学計測装置１５で観察し、試験用液体１０の表面に発生する楕円形の境界層１７を記録、解析し、解析したデータから経時的に変化する楕円形の境界層１７の直径の最大値および最小値からなるパラメータΔが０．２３以下の範囲となるときの容器１１の回転数、円盤１３の回転数、及び容器１１の底面内壁形状を特定する。 （もっと読む）

【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】分注処理の所要時間を短縮し得る分注装置を提供する。
【解決手段】この分注装置１は、分注する結晶化プレート１００の複数のウェル１０４に対応するように配される複数のカバーガラス２００を載置する載置部６６を有し、その載置部６６に載置される複数のカバーガラス２００を保持しつつ反転させて結晶化プレート１００の上面に被せるカバーガラス反転機構６７を備えている。そして、このカバーガラス反転機構６７は、複数のカバーガラス２００を真空吸着して保持する複数の吸着パッド５７を有し、この複数の吸着パッド５７は、格子状に配列された各ウェル１０４に対応する位置毎に配設されている。 （もっと読む）

【課題】
引き上げ単結晶の育成条件に応じて、複数の反射法から最適の反射法を選択することにより液面レベルの測定を確実にしかも容易に行える方法を提供する。
【解決手段】
液面レベルの求め方が異なる複数の測定法を設定し、熱遮蔽物と単結晶の外周面との間にある所定位置と単結晶の外周面との間隔とを対応づけた情報を予め作成し、製造条件に応じて間隔を決定し、決定した間隔に対応する測定法を情報から選択し、選択した測定法で前記融液液面の液面レベルを測定している。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上げ後の石英ルツボおよび石英ルツボ内に残留した多結晶シリコンを、前記石英ルツボを支持した黒鉛ルツボを破壊することなく、その内から安全かつ効率的に回収する方法及びその装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引上げを終了した後、石英ルツボ２およびシリコン融液の残湯が冷却して固まった多結晶シリコン３を支持する黒鉛ルツボ１を左右開閉式のテーブル９の上に載置し、テーブル９を左右に機械的に開くことで２分割可能な黒鉛ルツボ１を左右に開かせ、黒鉛ルツボ１内に支持されていた石英ルツボ２および該石英ルツボ２内の多結晶シリコン３をテーブル９の下に設置した回収容器４内に落下させることで、石英ルツボ２及び多結晶シリコン３を回収する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、用いるフラックスの純度を高く確保しつつ、フラックスの材料コストを節約し、更に作業効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウム（Ｎａ）精製装置１３０には、精製後のＮａを液体状態で保持するＮａ保持管理装置１４０が設けられており、このＮａ保持管理装置１４０には、１００℃に維持された液体Ｎａ供給管１３９を介して、液体Ｎａが供給される。更に、このＮａ保持管理装置１４０は、自身の内部空間を満たすアルゴン（Ａｒ）ガスの状態を管理するためのＡｒガス精製装置１４１を有している。したがって、Ｎａ精製装置１３０から供給される精製後の液体のＮａは、液体Ｎａ供給管１３９，Ｎａ保持管理装置１４０，配管１４９を介して、所望のタイミングで蛇口１２１の開閉操作に基づいて自在に坩堝ｃの中に取り出すことができる。 （もっと読む）