【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、つまり、タンパク質が結晶化する過程をその場観察することができる結晶化プレートを提供することを目的とする。
【解決手段】柱状空間を具備するリング体と、タンパク質の結晶化に必要な沈殿剤を収容し、上記リング体に設けられているリザーバと、タンパク質の結晶が生成される部位であり、上記リング体に設けられている結晶生成部と、上記リング体の柱状空間に設けられる光源の光が、上記結晶生成部に達し、上記結晶生成部からの光を反射する反射手段とを有し、上記リザーバが上記リング体の外周近傍に設けられ、上記結晶生成部が上記リング体の内周近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程（1）、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程（2）、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程（3）、超電導物質への変換を行う本焼成工程（4）を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみｃ軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンに結晶化反応系の１つ以上の成分を曝露することによって、いろいろな結晶形成、構造形成又は相形成／相変化の反応経路又はシステムに影響を及ぼし、コントロールし、及び／又は導く新しい方法に関する。
【解決手段】第一の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・パタンを結晶化反応系に印加することができる。第二の様態では、少なくとも１つのスペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンをコンディショニング結晶化反応系に印加することができる。スペクトル・エネルギー・コンディショニング・パタンは、例えば、反応容器とは別の場所で（例えば、コンディショニング反応容器で）印加することができる、又は反応容器において（又は、に対して）、しかし他の（又は全ての）結晶化反応系関与物質が反応容器に導入される前に、印加することができる。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶中に欠陥の発生や不純物の混入を防止することにより結晶品質の改善を図ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に結晶９０を成長させる際に、結晶９０中の格子欠陥の欠陥準位に対応する波長を含む光を結晶成長時に照射し、照射した光に基づいて格子欠陥に対して近接場光を発生させ、発生させた近接場光による近接場光相互作用に基づいて格子欠陥を構成する不純物３３又は欠陥周辺の原子を脱離させる。 （もっと読む）

【課題】確度の高い蛋白質結晶化条件に効率よく到達して蛋白質結晶を作製することができる蛋白質溶液の処理装置および蛋白質結晶の作製方法を提供する。
【解決手段】刺激付与工程（ＳＴＡ）において、蛋白質溶液を含む混合液３を収納した複数の容器２のうちの特定の容器２内の混合液３への結晶化促進のための刺激付与を開始した後、他の容器２内の混合液３への刺激付与を所定の時間間隔を置いて順次開始し、特定の容器２について結晶化に関連して生じる変化が検出されたならば、全ての容器２内の混合液３への刺激付与を停止し、刺激付与時間の異なる混合液３を結晶化条件選別のためのサンプルとして準備する。これらのサンプルを保管工程（ＳＴＢ）において所定条件下で保管し、混合液３中に生成された結晶核を成長させて、観察工程（ＳＴＣ）にて結晶化促進度合いを観察することにより、結晶化促進のための至適な刺激付与時間を見いだすことができる。 （もっと読む）

【課題】基板との界面において歪みを抑制しつつ室温下で窒化ガリウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ１１内に設置された基板１３に対して、室温下でIII族原料ガスとしてのトリメチルガリウムガスとＶ族原料ガスとしてのアンモニアガスを１：１０００以上の流量比率で同時に供給し、更に基板１３に対して波長２２０ｎｍ以下の光を照射する。これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 （もっと読む）

【課題】光照射によりパターン化シード層を形成するとともに、パターン化シード層上に形成されたＺｎＯウィスカーパターン、それらの作製方法及び用途を提供する。
【解決手段】ＺｎＯウィスカーパターンを作製する方法であって、基板上に酢酸亜鉛水和物又は硝酸亜鉛水和物の層の領域と無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層の領域を形成し、これを酸化亜鉛が析出する所定の温度の反応系に浸漬してシード層の無水酢酸亜鉛又は無水硝酸亜鉛の層をＺｎＯナノ粒子又は単結晶の結晶層に変えるとともに、該ＺｎＯ結晶層の上にＺｎＯウィスカーを結晶成長させることによりＺｎＯウィスカーパターンを作製することからなるＺｎＯウィスカーパターンの作製方法、ＺｎＯウィスカーパターン及びその高伝導性部材。
【効果】デバイス作製に有用なＺｎＯウィスカーパターンを提供できる。 （もっと読む）

【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板１１上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子２０を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子２０を含む非単結晶膜１２を成膜し、この非単結晶膜１２が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜１２を加熱し、無機結晶粒子２０の一部を結晶核として非単結晶膜１２を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜１を製造する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法であって、また穏やかな条件で、溶液中に結晶核を発生させ、結晶を生成する方法を提供する。
【解決手段】結晶化対象の溶質が溶解している溶液（クリシン過飽和溶液２１）に対し、連続波レーザー光２４を集光させて照射し、溶質の結晶を生成させる。連続波レーザー光２４の波長は３５５〜１２００ｎｍであり、かつ強度は１ＭＷ／ｃｍ^２〜１ＧＷ／ｃｍ^２である。また、溶液（クリシン過飽和溶液２１）は過飽和溶液であり、溶質はタンパク質または有機物である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】炭酸塩からなる異方性構造を有するナノ構造体を効率良く提供し、所望の異方性構造に容易に制御できるナノ構造体の合成方法およびその合成装置を提供する。
【解決手段】本発明の合成装置は、溶液反応漕１および反応漕１の上部に配置したレーザー発生部２、原料固定部３，反応漕２の上部もしくは側面部に配置した光発生部４、溶液攪拌装置５、ガス導入管６、超音波発生部７および合成系全体を遮光する暗箱８を備える。本発明は、レーザー若しくは超音波を用いた極限エネルギー状態の形成に加え、連続的な光照射を併用する。これにより、低コストで簡素な合成装置を利用しながら、原料、雰囲気、プロセス因子等を制御するだけで炭酸塩からなる異方性ナノ構造体を合成することできる。 （もっと読む）

【課題】大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】中空状の単結晶原料２１と種結晶２２との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯３１を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、種結晶２２を保持することができる種結晶保持部１９と、エネルギー伝送路となる中空部を有する単結晶原料を種結晶２２に対して接触可能に保持することができる原料保持部１１，１８と、ハロゲンランプ１７及び楕円鏡１６より構成され、溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより溶融帯を加熱する第１加熱部と、レーザー光源４１から光ファイバー４２を介し、単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて溶融帯へ第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギー（レーザー）を照射することにより溶融帯３１を加熱する第２加熱部とを備える。 （もっと読む）

光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】確度の高い蛋白質結晶化条件に効率よく到達して蛋白質結晶を作製することができる蛋白質結晶作製装置及び蛋白質結晶作製方法の提供
【解決手段】容器に設けられた複数のウェルのうちスクリーニング用のウェル内の蛋白質溶液に蛋白質結晶作製用の光を照射し、蛋白質結晶作製用の光が照射された後の蛋白質溶液の濁度を計測して、濁度検出の検出結果に基づいて最も高い確率で結晶化が期待される濁度を与える光の照射条件を求めて、この照射条件を結晶作製用の光の照射条件を結晶化条件として設定する。次いで結晶作製用のウェルに設定された結晶化条件に基づいて結晶作製用の光を照射して、蛋白質溶液内に結晶核を生成させ、この結晶核を成長させて蛋白質結晶作製を行う。 （もっと読む）

InGaN などの材料の成長面に、走査鏡などで所望の位置へと導いた小径レーザービームを当てて露光させる。露光点での物性を変更できる。或る実施形態においては、レーザーにあてた箇所で、選択した材料のモル分率を低減する。或る実施形態においては、材料を、MBE室内もしくはCVD室内で成長させる。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材１０上に（１１１）結晶面を有する金属膜１４を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に金属酸化物膜２０を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に形成された金属酸化物膜２０の温度を２５〜６００℃に維持し、金属酸化物膜２０に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶の製造方法（結晶化方法）に見られる欠点を解消して、簡便に、再現性良く、汎用的に、巨大分子結晶を製造できる新規な方法及びその製造装置を提供すること。さらに、前記の方法により巨大分子結晶を提供すること。
【解決手段】巨大分子及び非電解質ポリマーを含む溶液に紫外光を照射することにより、巨大分子結晶の核形成及び／又は結晶成長をさせる工程を含むことを特徴とする巨大分子結晶の製造方法。巨大分子の溶液に多光子励起が可能な強度の可視光を照射することにより、巨大分子結晶の核形成及び／又は結晶成長をさせる工程を含むことを特徴とする巨大分子結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径｛0001｝面ウェハを、再現性良く低コストで製造し得るためのSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶１２を成長させる際に、成長する炭化珪素単結晶１２の電子濃度を１×１０^１９ｃｍ^−３以上６×１０^２０ｃｍ^−３以下と高くした状態で単結晶１２の一部もしくは全部を成長させることにより、炭化珪素単結晶１２の転位欠陥を低減させ、高品質で大口径な炭化珪素単結晶インゴット１２を得る。 （もっと読む）