【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度の面内均一性を高めることができ、更には、ＢＭＤサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して前記第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、９００℃以上１２００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して前記第２の最高到達温度を保持した後、降温する第２の熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度、ＢＭＤサイズの面内均一性を高めることができ、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、７００℃以上９００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して保持した後、非酸化性ガス雰囲気中、第２の最高到達温度から１１００℃以上１２５０℃以下の範囲内の第３の最高到達温度まで昇温して第３の最高到達温度を保持した後、降温する。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Ｓｎを添加しながらβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又は前記β−Ｇａ_２Ｏ_３基板上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜を形成する工程と、第１の不活性雰囲気中で前記Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜に第１のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制し、ＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させ、サーマルドナーの発生も抑制することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により窒素ノンドープにてＶ−リッチ領域を有する酸素濃度が０．８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、Ｖ−リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、不活性ガス含有雰囲気中、１１００℃以上１２５０℃以下の最高到達温度で、３０分以上２時間以下保持する第１の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下保持する第２の熱処理をする。 （もっと読む）

【課題】４００℃を越える高い温度範囲でも使用することができ、さらにその抵抗率の温度依存性が小さい高温領域圧電素子用材料を提供する。
【解決手段】ＲＥ_３Ｇａ_５−ｘＡｌ_ｘＳｉＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５）、ＲＥ_３Ｔａ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）及びＲＥ_３Ｎｂ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）からなる群から選択される組成を有し、１００℃〜６００℃の範囲の抵抗率変化が１０^４以下であることを特徴とする。酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率（ｚ）を、前記育成工程における酸化性ガスのモル分率よりも低下させて冷却を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、インゴットを切断してＶ−リッチ領域からなるスライスウェーハを得る工程と、スライスウェーハの表裏面を平坦化処理し、更にエッチング処理する工程と、エッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下熱処理する工程と、酸化膜を除去する工程と、少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面の酸素濃度の低下及びＲＴＰ後のシリコンウェーハの表面の粗さの悪化を抑制することができると共に、ウェーハの表層部におけるＣＯＰ等のボイド欠陥を大きく低減し、かつ、ウェーハのバルク部に酸素析出物を高密度に形成することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷの表面Ｗ１側に不活性ガスを、裏面Ｗ２側に酸素含有ガスをそれぞれ供給し、１３００℃以上１４００℃以下の最高到達温度Ｔ１まで急速昇温し、最高到達温度Ｔ１にて保持した後、急速降温を行い、降温中、７００℃以上９００℃以下の温度Ｔ２で、前記不活性ガスを酸素含有ガスに切り替えて、ウェーハＷの表面Ｗ１側に酸素含有ガスを供給し、前記切り替えた酸素含有ガス中の酸素をウェーハＷの表面Ｗ１側に内方拡散させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸素富化過程を含む酸化物超電導バルク材料の製造方法において、十分に高い超電導特性を得ることのできる酸化物超電導バルク材料の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶状のＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（ＲＥはＹ又は希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素、−０．１≦ｘ≦０．１、６.８≦ｙ≦７．２）中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅が微細分散した酸化物超電導バルク材料の製造方法であって、溶融状態から徐冷中に結晶成長させた酸化物超電導バルク材料の酸素量を酸素富化過程において富化する前に、１０００Ｋ以上、１２５０Ｋ以下の温度で前記結晶成長させた酸化物超電導バルク材料を熱処理する酸素富化前熱処理過程を有することを特徴とする酸化物超電導バルク材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰ等のｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が表層域に存在しない、例えば直径４５０ｍｍの大口径のシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により３．０℃／分以下の冷却速度の下に育成したシリコン単結晶をスライスしてシリコンウェーハを製造するに当たり、該シリコンウェーハに非酸化性雰囲気中で熱処理を施し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を施し、シリコンウェーハの表面側にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在する欠陥層および該欠陥層の直下にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥層を形成し、その後前記欠陥層を研磨除去する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ製造後のデバイス作製工程においてスリップが発生することのないシリコンウェーハを提供するための熱処理方法を提供する。
【解決手段】デバイス作製工程において、シリコンウェーハが受ける熱応力に起因してシリコンウェーハにスリップが発生する限界である臨界せん断応力と、シリコンウェーハの製造段階で施す熱処理を経た該ウェーハにおける酸素析出物のサイズＬに対する残存酸素濃度Ｃ_ｏの比Ｃ_ｏ／Ｌとの相関を、デバイス作製工程の温度条件毎に予め求めること、シリコンウェーハを供する実際のデバイス作製工程の温度条件に対応する相関に基づいて、実際のデバイス作製工程においてシリコンウェーハが受けるせん断応力を超える臨界せん断応力に対応するＣ_ｏ／Ｌを求めること、該Ｃ_ｏ／Ｌ以上となる条件の下に熱処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部において、ボイド等の結晶欠陥を低減させることができ、また、デバイスプロセスにおける熱的応力等の負荷によるスリップの伸長を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素濃度が１．４×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上のシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３２５℃以上シリコンの融点以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、前記ウェーハの表裏面に酸素含有ガスを供給し、最高到達温度Ｔ１を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を７５℃／秒以上１２０℃／秒以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表面に適度の濃度の酸素が残存し、空孔欠陥や微小酸素析出物等が消失した無欠陥層を有し、しかもゲッタリング能力をも発揮し得るシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶から得られるシリコンウェーハに、塩素が含まれる酸化性雰囲気にて熱処理を施し、少なくとも表層域における欠陥を消失させる。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤ変形現象を低減又は除去し、同時にゲルマニウムリッチナノワイヤを製造する実行容易な方法を提供する。
【解決手段】基板２は、第１シリコン層３と、第１及び第２固定領域と少なくとも１つの接続領域を含む３次元パターンを形成するシリコンゲルマニウム合金系材料からなるターゲット層１を備える。第１シリコン層３は引張応力がかかり、及び／又は、ターゲット層１は炭素原子を含む。第１シリコン層３は接続領域において除去される。接続領域のターゲット層１は、ナノワイヤ８を形成するために熱酸化される。第１シリコン層３の格子パラメータは、第１シリコン層３の除去後、サスペンデッドビームを構成する材料の格子パラメータと同一である。 （もっと読む）

【課題】板状のサファイア単結晶であるサファイア基板に付着した異物の除去を行う。
【解決手段】サファイア基板１０を加熱装置２の炉室２１内に設けられる積載台２２に設置する。そして、大気中よりも酸素の濃度が高められた雰囲気ガスをヒータ２３によって加熱し、その雰囲気ガスを介してサファイア基板１０を加熱する。そして、サファイア基板１０の加熱によって、サファイア基板１０に付着している異物（有機物、無機物）が酸化することで、異物が気化する、あるいは異物とサファイア基板１０との密着性が低下する。その結果、サファイア基板１０に付着する異物が除去される。 （もっと読む）

【課題】セリウム低濃度側と高濃度側の蛍光出力差を十分に低減することができるシンチレータ用単結晶、その製造のための熱処理方法、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるセリウム付活オルト珪酸塩化合物を含むシンチレータ用単結晶。
Ｇｄ_{２−（ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚ）}Ｌｎ_ａＬｕ_ｘＣｅ_ｙＬｍ_ｚＳｉＯ_５ ……（１）
（一般式（１）中、ＬｍはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＬｎはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍを除くランタノイド系元素、並びにＳｃ、Ｙから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ａは０以上１未満の値を示し、ｘは１を超え２未満の値を示し、ｙは０を超え０．０１以下の値を示し、ｚは０を超え０．０１以下の値を示す。なお、ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚの値は２以下である。） （もっと読む）

【課題】結晶成長によって製造された塊状のサファイア単結晶の結晶欠陥の除去を図り、塊状のサファイア単結晶から得るサファイア製品の収率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】塊状のサファイア単結晶であるサファイアインゴットを製造する「サファイア単結晶成長工程」Ｓ１０１を行う。次に、サファイア単結晶成長工程Ｓ１０１にて得られたサファイアインゴットに対して加熱処理を施す「インゴットの加熱工程」Ｓ１０２を行う。その後、加熱処理が施されたサファイアインゴットに対して機械加工を施す「インゴットの加工工程」Ｓ１０３を行う。ここで、インゴットの加熱工程Ｓ１０２において、大気以上の酸素濃度に高められた雰囲気中によってサファイアインゴットの加熱を行う。こうすることで、サファイアインゴットに機械加工を行う際に生じる、サファイアインゴットのクラックの発生を抑制する。 （もっと読む）