【課題】結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、製品（蛍石結晶）の透過率を高めることができる、新たな蛍石結晶の製造方法を提案する。
【解決手段】フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ａを得、得られた溶融凝固体Ａの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ｂを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Ｂの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】転位密度を低減した結晶成長用のサファイアシードの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、サファイア単結晶からなり、その(0001)面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードの製造方法であって、前記サファイアシードの側面が、｛1-100｝面±１０°以内の結晶面となり、かつ前記サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードを用意する工程と、該サファイアシードに対して所定の熱処理を施す工程と、を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

水素、炭素源及び酸素源を含む雰囲気中で、基板上でのダイヤモンドの堆積を起こすために十分な圧力及び温度において基板を提供し、マイクロ波プラズマ球を設定することを含む、マイクロ波プラズマ支援化学気相堆積によりダイヤモンドを製造する方法であって、ダイヤモンドを４００ｔｏｒｒ超の圧力下で少なくとも２００μｍ／時間の成長速度において実質的に窒素を含まない、又は少量の窒素を含む雰囲気から堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却固化する半導体粒子の製造方法を改良し、質量と寸法形状のバラツキが小さい球状の半導体粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体粉末を含む所定質量の小固形体を造粒操作により作製し、これを加熱して、小固形体内の半導体粉末群を溶融させて一体化することにより、球状溶融体を形成し、これを冷却固化する。上記小固形体は半導体粉末相互間をバインダーで結合させたものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】育成結晶のアニール、ポーリングを行いながら、連続的に単結晶を引き上げる酸化物単結晶育成装置、及び安定した温度環境化で結晶育成を行い、育成収率の向上ならびに、坩堝、耐火物の寿命を向上させることにより育成コストを大幅に低減するタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１の加熱室内に設置された坩堝９に原料酸化物を間接加熱して、得られた酸化物融液に単結晶引き上げ軸３の種結晶を接触させた後に、不活性ガス雰囲気中で種結晶を回転させながら引き上げて酸化物単結晶を育成、成長させるための酸化物単結晶育成装置において、加熱室の外周に配置された加熱コイル４と、加熱コイル４に高周波電流を供給する高周波電源を有するメインチャンバー１の上方に、温度調節用ヒーター１３とポーリング用電極１５を有する上部チャンバー１２、１６が移動可能に複数個配設されている。 （もっと読む）

（ａ）温度勾配の存在下でＳｉＣ単結晶を種結晶上に成長させる物理的蒸気輸送（ＰＶＴ）工程であって、ＳｉＣ単結晶の初期の成長部分が、ＳｉＣ単結晶の後期の成長部分よりも低温下であるような工程を含むＳｉＣ単結晶の製造方法。一旦成長すると、該ＳｉＣ単結晶は、逆の温度勾配の存在下で焼きなまされ、そこでは、該ＳｉＣ単結晶の後期の成長部分が、ＳｉＣ単結晶の初期の成長部分よりも低温下とされる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ−ＶＩ族の固体の半導体材料の沈殿物を除去するアニーリング法を提供する。
【解決手段】アニールによってＩＩ−ＶＩ族固体の半導体材料２中に含まれる沈殿物３を除去するための方法である。固体の半導体材料２が合同の昇華固体の半導体材料２であり、下記の一連の段階が実行される。固体の半導体材料２は温度Ｔまで不活性ガスフロー８の下で加熱される。温度Ｔは、ＩＩ−ＶＩ族化合物／ＶＩ族元素の共晶に対応する第１の温度Ｔ_１と、最大の合同の昇華温度に対応する第２の温度Ｔ_２との間にある。固体材料２は、沈殿物３を除去するのに十分な期間に中性ガスフロー８の下で、この温度Ｔで保たれる。固体の半導体材料２は、冷却中に固体材料２がその合同の昇華線に合致するような割合で、温度Ｔから周辺温度まで不活性ガスフロー８の下で冷やされる。沈殿物３の無い固体の半導体材料２が回収される。 （もっと読む）

【課題】所望の欠陥領域あるいは所望の無欠陥領域を有するシリコン単結晶を容易に歩留まりよく製造できる半導体単結晶の製造装置及び製造方法を実現すること。
【解決手段】半導体単結晶内部におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥制御をおこなうための半導体単結晶の製造装置であって、単結晶内部におけるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥状態に影響を与える結晶製造時の熱履歴をリセットする熱履歴リセット温度に前記単結晶を加熱維持するリセット加熱手段１２と、単結晶を前記熱履歴リセット温度から降温して前記Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥状態を所望の状態とする熱履歴を再付与する熱履歴再付与手段とを有する半導体単結晶の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】所望の欠陥領域あるいは所望の無欠陥領域を有するシリコン単結晶を容易に歩留まりよく製造できる半導体単結晶の製造装置及び製造方法を実現すること。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げながら成長させる単結晶引上げ装置を用いて引き上げた前記シリコン単結晶に熱処理を行うための熱処理炉１０と、前記熱処理炉１０内の温度を制御する制御手段１１とを備え、前記制御手段１１は、前記シリコン単結晶が欠陥リセット温度となるように前記熱処理炉１０を制御する第１制御と、前記第１制御後に、所望の欠陥領域あるいは所望の無欠陥領域を有するシリコン単結晶を前記シリコン融液から成長させるときの温度履歴を前記シリコン単結晶に与えるように、熱処理時間に対する前記熱処理炉内の第１方向の温度勾配を制御する第２制御とを行う半導体単結晶の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】真空紫外域において、高透過率及び高屈折率を有する光学素子を提供する。
【解決手段】光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、真空紫外光に使用される光学素子であって、スカンジウムを含むフッ化物で構成されることを特徴とする光学素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】単結晶、特に生長片、とりわけ魚尾状パターンの生長片を生じないか、あるいは問題となる程度まで生じない高溶融性酸化物結晶を提供する。
【解決手段】所定方位をもつ高均質低応力単結晶を、ａ）結晶原材料の融点以下の温度に保持された単結晶を溶融液中に浸漬して固体・液体相境界面を形成し、 ｂ）単結晶が所定の結晶方位へ生長するように、工程ａ）において溶融液中に浸漬された単結晶を溶融液からその液面に対して垂直に引き抜き、 ｃ）工程ｂ）において結晶を引き抜きながら熱を取り除き、 ｄ）工程ｂ）において、制御可能な回転速度で、結晶及び溶融液を互いに対して回転させ、 ｅ）るつぼ内部において少なくとも１つの特徴的表面温度を検出し、及び ｆ）少なくとも１つの特徴的表面温度の温度変動が検出された時、回転速度を増減して少なくとも１つの特徴的表面温度を制御し、かつ結晶と溶融液との間の相境界面が平面状となるように調節する。 （もっと読む）

【課題】非ダイヤモンド結晶から高圧高温（ＨＰ／ＨＴ）で欠陥又は歪みを除去する方法及び改良結晶を用いた電子装置を提供する。
【解決手段】１以上の欠陥を含む結晶及び反応条件下で超臨界流体となる適当な圧力媒体を用意し、結晶及び圧力媒体を高圧セル内に入れ、高圧セルを高圧装置内に置き、単結晶中の欠陥又は歪みを除去するのに十分な高い圧力及び温度の反応条件下で十分な長さの時間処理する。改良結晶上に、例えばエピタキシャル半導体層の設層、パターン形成及び金属化を行い電子装置を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】 タンタル酸リチウム結晶をマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、リチウム、水素化マグネシウム、水素化アルミニウム、水素化リチウムから選ばれる１種又は２種以上の物質と共にキュリー温度より低い温度Ｔで非酸化雰囲気中にさらすことを特徴とする導電率が増加したタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
【効果】 本発明によれば、均一で再現性よく、導電率が１×１０^-10Ω^-1・ｃｍ^-1以上のタンタル酸リチウム結晶を簡単かつ確実に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高温において十分な組織安定性を有し、これによって十分な高温強度を有して実用に足る（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドの作製方法、並びにこの（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドを提供する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法により（Ｍｏ_０．８５Ｎｂ_０．１５）Ｓｉ_２なる組成の多結晶状のバルク体１から、２．５ｍｍ／時間以下の結晶化速度で、平衡状態図におけるＣ４０の固相線上における液相濃度（Ｃ_ＬＥ）と固相濃度（Ｃ_Ｂ）との平衡状態が維持されるようにして凝固させ、Ｃ４０単相の結晶３を得る。次いで、この結晶３に対して非酸化性雰囲気で加熱処理を施すことにより、Ｃ４０相からＣ１１ｂ相を晶出させ、Ｃ４０相とＣ１１ｂ相とからなる（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドを得る。 （もっと読む）

本発明は、種付け昇華システムにおいて炭化ケイ素の高品質のバルク単結晶を製造する方法の改良である。第一の態様において、この改良は、結晶成長の最初の１ミリメートルにおいて高濃度の窒素原子を添加することによって、成長しつつある結晶におけるマクロステップの数を減少させることを含む。 （もっと読む）