【課題】アモノサーマル法で成長させたアズグロウン状態の窒化物単結晶の結晶品質をそのままの状態で評価できるようにすること。
【解決手段】反応容器内で成長温度を５００℃以上にして窒化物単結晶を成長させた後に、成長温度から降温しながら窒化物単結晶に対して表面処理を施し、表面処理が施された窒化物単結晶の表面を評価する。 （もっと読む）

【課題】種晶の入れ替えにかかる時間を顕著に短縮し、生産性を向上し、更に繰り返し的な冷却及び再加熱による変形及び寿命減少を防止すること。
【解決手段】本発明のサファイア単結晶成長装置は、アルミナを収納しアルミナが溶融される第１チャンバーであって上面に挿入口が形成されている第１チャンバーと、第１チャンバーの挿入口と連通するように第１チャンバーの上部に設けられた第２チャンバーと、第２チャンバーを通過して第１チャンバー内に下降するか、または第１チャンバーから上昇する種晶ロッドであって終端に種晶が設けられた種晶ロッドと、第２チャンバーの下端に設けられ挿入口を開閉するチャンバー遮断部とを含み、種晶の入れ替えのために種晶ロッドの終端が上昇し第２チャンバーの内部に収納されれば、チャンバー遮断部は、挿入口を閉鎖することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル欠陥がテイル部付近の直胴部で発生することを防止できる窒素ドープエピウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度Ｖ［ｍｍ／ｍｉｎ］と、融点〜１３５０℃までの結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ［℃／ｍｍ］との比をＶ／Ｇ［ｍｍ^２／℃ｍｉｎ］≧０．２５に設定し、かつ、８００〜７５０℃の温度領域の冷却速度Ｃｖ≧１．７℃／ｍｉｎとする。 （もっと読む）

【課題】アニール後の残留ボイド、およびアニールウエハに形成した酸化膜のＴＤＤＢ特性劣化を回避し、シリコン単結晶に含有可能な窒素濃度範囲を拡張することが可能となるアニールウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】アニールウエハの製造方法では、結晶引上速度Ｖと結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇとの比であるＶ／Ｇについて、Ｖ／Ｇが０．９×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以上２．５×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以下となるように制御するとともに、結晶引上炉内の水素分圧を３Ｐａ以上４０Ｐａ未満とする。シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位
及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハ及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【解決手段】 対角長が１０ｎｍ〜５０ｎｍのＢＭＤを含むシリコンウエハであって、
前記シリコンウエハ表面から深さ５０μｍ以上の位置に存在する前記ＢＭＤの密度が１×１０^１１／ｃｍ^３以上であり、かつ、前記ＢＭＤの形態として、ＢＭＤを取り囲む面全体における｛１１１｝面の比率が０．３以下であることを特徴とする、シリコンウエハである。 （もっと読む）

本発明は、基板（８２）上の半導体性の修飾されたグラフェン層（８３）を含む修飾された構造（８０１）を製造する方法に関し、
− 少なくとも１つの基板（８１）を含む初期構造体（８００）の供給、
− 前記基板上のグラフェン層（８２）の形成、
− 原子状水素（８５）の照射による初期構造体（８００）の水素化のステップを含み、
前記グラフェンの水前記素化ステップは、１００から４０００Ｌａｎｇｍｕｉｒｓの間の照射量で行われ、修飾されたグラフェン層を形成することに特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ２０に、ルツボ２０の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ２０およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ２０に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ２０を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂（クラック）が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上の窒化物半導体単結晶を準備しＳ１０，Ｓ２０、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するＳ３０。前記被覆基板を１３００℃より高い温度下において２０時間以上の熱処理Ｓ４０を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するＳ５０。これにより、直径が４０ｍｍ以上、厚さが１００μｍ以上であり、転位密度が５×１０^６／ｃｍ^２以下であり、不純物濃度が４×１０^１９／ｃｍ^３以下であり、最大荷重が１ｍＮ以上５０ｍＮ以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが１９．０ＧＰａ以上である窒化物半導体自立基板。 （もっと読む）

【課題】凝集真性点欠陥を実質的に含まない軸対称領域を有する単結晶シリコンインゴットを成長させる方法を提供する。
【解決手段】(i)空孔が優勢な真性点欠陥である直径一定部分内に領域を形成し、(ii)インゴットの側表面を加熱して、領域における空孔の濃度を減少させる、加熱表面から領域へ向かう内向きの、熱誘導性のシリコン自己格子間原子流束を生じさせ、さらに(iii)領域の形成と領域における空孔濃度の減少の間の時間に、空孔点欠陥の、凝集欠陥への凝集が起こる温度T_Aを超える領域の温度を維持することを含んでなるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能とするシリコンウェーハとその製造方法とを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法により育成する引き上げ工程と、スライスされたウェーハを鏡面加工する鏡面処理工程とを有し、前記引き上げ工程において、シリコン単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成するとともに、このシリコン単結晶からスライスされたウェーハ外周部において同心円状に分布する空孔優勢な無欠陥領域であるＰｖ領域がウェーハ外周部から径方向２０ｍｍ以内の領域に存在せず、それ以外の領域が、格子間シリコン優勢な無欠陥領域であるＰｉ領域からなるように引き上げる。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

本発明は人工結晶分野の低温β−ＢａＢ_２Ｏ_４単結晶、その育成方法およびそれによる周波数変換器部品を提供する。溶融塩法を採用し本単結晶が得られる。この単結晶は完全にＢＢＯ潮解性が強い欠点を克服し、ほとんど潮解しない。本単結晶のダブル周波数の効果と光損傷限界値はＢＢＯ結晶に比べかなり改善され、かつ硬度も著しく増加している。この単結晶はショア硬度が１０１．３で、モース硬度が６であることに対し、ＢＢＯはショア硬度が７１．２で、モース硬度が４である。可視光―紫外線光エリアの透過率曲線のテストにより、この単結晶のカットオフ波長が１９０ｎｍで、吸収開始波長が２０５ｎｍである。これらはＢＢＯの性能より優れていて、ＢＢＳＡＧがレーザー非線形光学分野、紫外線、深紫外線周波数変換器部品などにおいて将来性がある。 （もっと読む）

【課題】種子結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶を形成した後の降温過程において、種子基板との界面近傍で生じるクラックが効果的に抑制され、歩止り向上が図れる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上部に開口部を有し、内部空間の底面側に原料を収納する反応室と、該開口部を塞ぐサセプタとからなる加熱炉本体、前記加熱炉本体の外側に配された温度調節手段、及び前記内部空間へ外部からプロセスガスを導入するガス供給手段を備えた窒化アルミニウム単結晶の製造装置において、原料を加熱して昇華させ、種子基板上に所定の膜厚の単結晶を成長させた後、前記種子基板の温度を降温させる第一降温工程Ａと、温度を保持する等温保持工程Ｂと、さらに温度を降温させる第二降温工程Ｃとを順に行うことによりクラックが抑制される。前記等温保持工程は、前記種子基板の温度が１３５０℃以上１５００℃以下となった際に行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が７０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、その育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向に沿って温度勾配のある結晶成長炉内で育成後、前記結晶成長炉内で単結晶の融点未満の均一な温度に再加熱され、冷却することにより製造されたフッ化物単結晶１０であって、断面が直径７０ｍｍ以上の略円形状を有し、波長２４８ｎｍ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅１０^５ｓｈｏｔ、周波数１００ＨｚのＫｒＦレーザーを前記断面の中心部に照射した前後の透過率の変化値が、０．００≦（ΔＴ_２−ΔＴ_１）≦０．２０（ΔＴ_１は前記断面の中心部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値、ΔＴ_２は前記断面の外周部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値）の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】凝集空孔欠陥や酸化誘起積層欠陥を実質的に有さず、かつ高い酸素含有量を有する単結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）成長速度ｖ、（ii）平均軸方向温度勾配Ｇ_０、及び(iii）凝固温度から約７５０℃への結晶の冷却速度を制御することによって、側表面６から半径方向内側へ延びており、シリコン格子間原子が優勢な真性点欠陥である第１の軸対称領域８、及びその第１の軸対称領域８から半径方向内側へインゴットの中心軸へ延びる第２の軸対称領域を有するセグメントを生じさせることを含んでなるシリコンインゴットの製造方法において、ｖ、Ｇ_０及び冷却速度を制御して、第１の領域８に凝集真性点欠陥を生じさせながら、それ以外ではそのような欠陥の生成に適する酸化処理にウエハを付し、冷却速度を更に制御してこのセグメントから得られるウエハに酸化誘起積層欠陥が生じることを制限する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、半導体素子のアクティブ領域が形成されるシリコンウェーハの前面から背面までの酸素析出物の濃度プロファイルが、前面及び背面から所定深さで各々第１ピーク及び第２ピークを示し、前記前面及び背面から各々第１ピーク及び第２ピークに達する前にデヌードゾーンが形成され、前記第１ピーク及び第２ピーク間のバルク領域で酸素析出物の濃度プロファイルが凹状であることを特徴とする制御された酸素析出物分布をもつ。 （もっと読む）

【課題】高品質で、クラックのない大きな単結晶を成長させることができ、且つ単結晶の生産性の良い結晶成長方法、およびそれに用いる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明の結晶成長方法は、反応容器内で原料液と原料ガスとを加熱して反応させることによって、前記原料液と前記原料ガスとの化合物の単結晶を得る結晶成長方法であって、前記単結晶と前記原料液とを分離した後に、冷却を開始する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。
【解決手段】鉄を含む窒化ガリウム層５１を基板５０上に形成する。次に、基板５０上に形成された窒化ガリウム層５１を８００℃以上で５分以上加熱し、降温速度を５０℃／分以下とする熱処理を行なう。また、窒化ガリウム層の表面は、（０００１）面から０．０３°以上傾斜させておく。以上により、比抵抗が１×１０^６Ω・ｃｍ以上で、クラックの発生率が低い窒化ガリウム層を形成できる。 （もっと読む）