【課題】窒化物系化合物半導体素子、ＳＯＳ（ｓｉｌｉｃｎ−ｏｎ−ｓａｐｐｈｉｒｅ）デバイス等を作製する際のエピタキシャル成長法に好適な均一なステップ−テラス構造を有するサファイア単結晶基板をその傾斜角度に関わらず効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】（０００１）面からの傾斜角度４が調整された主面を有し、かつ表面研磨されたサファイア単結晶基板を、不活性ガス雰囲気下、又は１０容量％以下の酸素分圧を有する酸素ガス及び不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下に熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥を抑制して良好な表面性を有するとともに、凹凸の表面段差を小さく抑制したエピタキシャル層を形成することができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板は、同一の結晶方位をもつＩＩＩ−Ｖ族窒化物系の半導体単結晶により構成されている。結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、出発基板の自由面に沿って広がる少なくとも１つの厚い表面領域がＧａＮからなる出発基板からＧａＮ薄層を作製するための方法に関する。上記方法は、以下のステップ：ヘリウムおよび水素原子を用いて基板の上記自由面に衝撃を与えるステップであって、第一にヘリウムが上記厚い表面領域の厚さに注入され、その後水素が注入され、ヘリウムドーズ量および水素ドーズ量がそれぞれ１．１０^１７原子／ｃｍ^２〜４．１０^１７原子／ｃｍ^２で変化するステップと、出発基板の残余部に対して、自由面とヘリウムおよび水素注入深さとの間に位置する厚い領域の部分全体の分離を誘発するために、出発基板に破断プロセスを施すステップと、を含む。このヘリウムは、有利に少なくとも水素のドーズ量と等しいドーズ量で注入されるが、単独注入することもできる。
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【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造時アニール処理後にスリップが発生しない半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を成長させた後に、前記半絶縁性ＧａＡｓ単結晶をスライス加工して得られた半絶縁性ＧａＡｓウエハにおいて、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハ面内の転位密度（以下、ＥＰＤと称する）が、
３０，０００個／ｃｍ²≦ＥＰＤ≦１００，０００個／ｃｍ²
であり、かつ、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハの半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハ面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、
｜Ｓｒ−Ｓｔ｜≦１．８×１０^-5
である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル欠陥の発生がなく、酸素析出物密度の面内均一性が良好で、かつｌＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果にすぐれたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶を引上げ育成する工程で、引上げ後の１１００℃から９００℃の温度範囲を３．０℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して、高温酸化処理時に発生する酸化誘起積層欠陥が１×１０²／ｃｍ²以下の性状を有するシリコン単結晶を得る。この単結晶よりウェーハを切り出した後、７００℃以上、９００℃未満の温度で３０分から４時間までの熱処理を施し、その後に鏡面研磨する。このウェーハの主面にエピタキシャル層を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板上に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクが堆積されている、方法に関する。
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【課題】製造が容易で優れた品質の窒化ガリウム単結晶基板を製造できる表面加工方法、及び窒化ガリウム単結晶基板を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１１０の表面加工方法は、支持台上に位置する窒化ガリウム原板の上面及び底面を平坦化する工程、平坦化された窒化ガリウム原板に波長３７０〜８００ｎｍの光を照射する工程、窒化ガリウム原板の透過率を測定する工程、及び透過率が６５〜９０％であるか否かを確認する工程を含む。この表面加工方法において、窒化ガリウム単結晶基板１１０の両面の損傷層の厚さ比率（ＤＬａ／ＤＬｂ）は０．９９〜１．０１である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの製造にあたり、オートドーピングを有効に防ぎ、かつ、パーティクルの発生を十分に低減すると共に、シリコン単結晶基板の十分な強度を担保するシリコン単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主鏡面及び裏面を有するエピタキシャル成長用半導体ウェーハにおいて、該ウェーハは、シリコン単結晶基板からなり、該シリコン単結晶基板の外周側面と前記主鏡面及び裏面の間に面取り部をそれぞれ備え、少なくとも前記裏面及び裏面側の面取り部にＣＶＤ膜を成長させる工程を施した後に、主鏡面側の面取り部に回り込んだＣＶＤ膜を機械的に除去し、最大高さ粗さ（Rｚ）が０．３μｍ以下の鏡面に仕上げたことを特徴とするエピタキシャル成長用半導体ウェーハを提供する。 （もっと読む）

超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたＩＩＩ族結晶。ＩＩＩ族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のＩＩＩ族窒化物、非晶質ＩＩＩ族窒化物、ＩＩＩ族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は５５０℃以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのＮＨ₃分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、ＮＨ₃分解は反応容器をＮＨ₃で充填した後に更なるＮ₂圧力を加えることによって回避できる。
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【課題】SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板を両面ラップ研磨してSiC単結晶基板を製造する際に、SiC単結晶基板に生じる反りを軽減することができるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、１３００℃以上２０００℃以下の温度で焼鈍熱処理を施す。焼鈍熱処理の雰囲気は、炭化珪素非腐食性ガス雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製に供用可能なウェハ面積部分を増大し、かつ大口径化に伴って増大する加工負荷を回避できる炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】ウェハの特定の方位端に総面積の小さい加工欠損部、あるいは非対称な形状を有するノッチ状の加工欠損部を有する炭化珪素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための高品質炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイス等に用いられる部品の生産性を向上させる。
【解決手段】 四角柱状に加工された結晶体からなる複数のブロック体を積み重ねつつ並べた状態に接合するブロック体接合工程と、接合された前記複数のブロック体の外周を切断して所定の厚さのウェハを形成する切断工程と、から構成されることを特徴とし、結晶体がアズグロウン人工水晶からなり、直接接合又は紫外線硬化性接着剤により接合されており、切断がＡＴカットとなるカットアングルでなされる。 （もっと読む）

ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法による結晶成長の際に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成する。ピット１０ｐでは、その底部Ｐから主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒが存在するので、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置に好適な結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して凝固させることによって、不純物が偏析した突起部１０５を有する結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の突起部１０５を研磨加工によって除去する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理が短時間化かつ低温化したとしてもゲッタリング効果の低減を抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に配された、シリコン基板の厚みよりも薄いエピタキシャル層１０３とを備え、シリコン基板１０１におけるエピタキシャル層１０３に隣接する隣接部位１０２は、機械的損傷が与えられることにより生じた積層欠陥を有する。この積層欠陥はゲッタリングサイトとして機能する。したがって、エピタキシャル層１０３の表面に素子活性領域を形成することとすれば、素子活性領域とゲッタリングサイトとの距離を短縮することができ、熱処理が短時間化かつ低温化したとしてもゲッタリング効果の低減を抑制することができる。 （もっと読む）