【課題】炭素添加したシリコン融液を用いてシリコン単結晶を育成する方法において、シリコン単結晶の外周部における炭素濃度の低下を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。また、面内ＢＭＤ密度を均一化した、高いゲッタリング能力を有し得るシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液１３をるつぼ１２中に準備し、るつぼ１２中のシリコン融液１３に対して磁束密度０．２〜０．４Ｔの磁場を印加しつつ、シリコン融液１３に接触させたシリコン種結晶１７を、０．５２〜０．８４ｒａｄ／ｓの回転速度で回転させながら引き上げて、シリコン種結晶１７上にシリコン単結晶１６を育成することを含む、シリコン単結晶１６の製造方法。また、その製造方法で製造したシリコン単結晶１６のインゴットを用いたシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、窒素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされる熱処理により、表面から深さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新たな真空紫外発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式ＬｉＬｕ_１−ｘＴｍ_ｘＦ_４で表わされ、ｘが０．０００１〜１、より好ましくは０．００５〜０．１の範囲である金属フッ化物結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長によって製造された塊状のサファイア単結晶の結晶欠陥の除去を図り、塊状のサファイア単結晶から得るサファイア製品の収率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】塊状のサファイア単結晶であるサファイアインゴットを製造する「サファイア単結晶成長工程」Ｓ１０１を行う。次に、サファイア単結晶成長工程Ｓ１０１にて得られたサファイアインゴットに対して加熱処理を施す「インゴットの加熱工程」Ｓ１０２を行う。その後、加熱処理が施されたサファイアインゴットに対して機械加工を施す「インゴットの加工工程」Ｓ１０３を行う。ここで、インゴットの加熱工程Ｓ１０２において、大気以上の酸素濃度に高められた雰囲気中によってサファイアインゴットの加熱を行う。こうすることで、サファイアインゴットに機械加工を行う際に生じる、サファイアインゴットのクラックの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件をフィードバック調整する。これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積をシリコンウェーハ４０の面積の１０％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる微傾斜窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】＜０００１＞方向から、


方向または


方向に主に向かって約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板はオフカットスライスおよびラッピングまたは微傾斜へテロエピタキシャル基板上の成長により形成する。 （もっと読む）

【課題】発光量を増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。ＺｎＯ系単結晶の組成は（Ｚｎ_1-x-yＭｇ_xＣｄ_y）Ｏ[０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７]である。 （もっと読む）

本発明は、表面改質により超精密切削加工を行う新規技術に属し、具体的に陽子ビームアシストによる脆性材料の超精密加工方法に関する。本発明は、陽子ビームにより対象物の表面を照射して改質アシスト加工を行う超精密加工技術であり、超精密加工脆性材料の加工精度と表面粗さを著しく向上し、カッターの摩耗を大幅に低減させることができる。本発明は以下のステップを含む。a)シミュレーションソフトウェアを利用して、切削深さ、表面粗さまたはその他の加工要求に従って加工パラメータをシミュレートし、b)イオンビームにより被加工の単結晶脆性材料に衝撃を与えまたは照射することにより、超精密切削加工を行い、c)超精密切削技術により、イオンビーム衝撃した単結晶材料に対して超精密切削加工を行い、d)加工した材料の表面特徴を示す品質を測定し、加工表面品質の改善状況を対比する。本発明は主に単結晶脆性材料の加工に応用される。
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【課題】シリコンウェーハの表層の酸素濃度を低減し、ウェーハ工程で表層の酸素析出物を消滅させるとともに、デバイス工程で酸素のドナー化を防止でき、また、シリコンウェーハの内部の空孔濃度を増加し、ウェーハ内部のゲッタリング能力を向上でき、更に、研磨時のダメージを除去できる、シリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶からスライスされたシリコンウェーハを、酸素と塩素とを含む雰囲気中において、８００℃以上シリコンの融点未満の熱処理温度で０．１秒以上６００秒以下の処理時間で熱処理する塩素空孔注入処理工程Ｓ４を有するシリコンウェーハの製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴット成長表面に現れる｛0001｝ファセット面の面積が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、基板の全面積領域が成長時の｛0001｝ファセット領域に相当するインゴット部分で構成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供すること。
【解決手段】基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてＧａＮ成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。これもＧａＮ基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】｛0001｝ファセット領域が大きなインゴットを作製し、そのインゴットを切断・研磨することにより、少なくともエッジエクスクルージョン領域を除く基板の全領域がインゴットの｛0001｝ファセット領域に相当する部分で構成される炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。（２）転位制御種結晶１０は、オフセット角θが１°以上１５°以下である成長面を備えている。（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。（４）螺旋転位領域１４は、高品質領域１２となる一次種結晶の一次成長面の一部に、螺旋転位領域１４を形成するための後退部を形成し、少なくとも後退部上にＳｉＣ単結晶を予備成長させ、成長面のオフセット方向ｃ端部に螺旋転位領域１４が含まれるように、一次種結晶の表面を鏡面研磨し、成長面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】刃の厚さを極薄に形成しても剛性を充分に確保でき、耐摩耗性が高められ、安定して精度よく被切断材を切断加工できる切断ブレード、切断ブレードの製造方法及び切断加工装置を提供する。
【解決手段】円形薄板状をなす基材１の外周縁部の切刃を用いて、被切断材を切断加工する切断ブレード１０であって、前記基材１が、ダイヤモンドで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程を複雑化させることなく、また、高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、実用的な大きさのＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】 大気圧よりも高い圧力を有する反応容器内で、少なくともＩＩＩ族金属を含む融液とフラックスと窒素原料からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させて該ＩＩＩ族窒化物結晶から基板を製造するＩＩＩ族窒化物基板の製造方法において、前記ＩＩＩ族窒化物の種結晶を前記反応容器内に配置する工程と、結晶成長中、前記窒素原料を前記反応容器の外部から供給する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶を前記種結晶に対して成長させる工程と、前記ＩＩＩ族窒化物結晶を切断してＩＩＩ族窒化物基板を作成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＦＬＡアニール処理によるミリ秒アニールでも割れ耐性を有するウェーハを提供する。
【解決手段】鏡面加工されたシリコンウェーハの熱処理によって、シリコンウェーハ各点で生じる応力をＳ（ＭＰａ）、シリコンウェーハ裏面に存在する傷の大きさをＣ（μｍ）とするとき、応力Ｓ×傷の大きさＣ≦３５００（ＭＰａ・μｍ）を満たすようなシリコンウェーハを検査によってスクリーニングし、このスクリーニングをパスしたシリコンウェーハを、最高温度が１１００℃以上シリコンの融点以下で処理時間が１μ秒から１００ｍ秒程度までの条件とされる熱処理工程を有する半導体デバイスの製造プロセスに供する。 （もっと読む）

【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を５０℃／秒以上１４５℃／秒以下として、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）