【課題】 水晶板などの圧電素板をエッチング加工する際に使用する湿式のエッチング装置で、被加工物である水晶板などの圧電素板が均一にムラが無くエッチング処理ができる装置を実現することを目的とする。
【解決手段】 課題を解決するために本発明は、エッチング溶液を蓄える容器の中に、圧電素板を格納し揺動する受皿を配置し、前記受皿の下方から前記エッチング溶液を噴射する噴射口を有し、前記受皿の上部には一定間隔で細線を配置した構造を有するもので、従来の回転式のエッチング装置の欠点を改善したもので、エッチング溶液中に圧電素板を格納する受皿を設けて、前記受皿の下方からエッチング溶液を受皿に向けて噴射することで、受皿の中の圧電素板が水流により浮き上がり、受皿の上部に配置する細線で圧電素板の向きを変え、上述の動作を連続的に行うことで、受皿に格納する圧電素板を効率よく回転させることにより課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】 成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】 アニールウェーハにとって必要不可欠なウェーハ表面におけるＳＳＤ（表面の非常に幅広く、浅い形状の凹状欠陥；Surface Shallow Defect）以外のボイド欠陥の低減や、バルク内のゲッタリング源としてのＢＭＤ（バルク微細欠陥；Bulk micro defect）の生成を保証しつつ、ＳＳＤを確実に低減させるようにして、アニールウェーハの品質を安定させる。
【解決手段】 シリコンウェーハをアニールすると、ＳＳＤの核となる酸素と窒素に関連した析出物の密度（数）が増大するとの知見に基づき、シリコン単結晶の引上げ成長の過程で、酸素濃度、窒素濃度、冷却濃度という３つのパラメータを制御して上記析出物の密度（数）を減らし、これによりＳＳＤを減らすことができる。あるいは、アニール後にウェーハ表面を所定の深さまで研磨を施すことによってもＳＳＤを減らすことができる。 （もっと読む）

ＳｉＣの高品質単結晶ウェハを開示する。ウェハは、直径が少なくとも約３インチであり、歪みは約５μｍ未満であり、反りは約５μｍ未満であり、全厚さ変動は約２．０μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。
【解決手段】 下地基板の上に規則正しく種パターンを設けてその上にファセットよりなるピットを形成し維持しながらＧａＮをファセット成長させファセット面よりなるピット底部に閉鎖欠陥集合領域Ｈを形成しそこへ転位を集めてその周囲の単結晶低転位随伴領域Ｚと単結晶低転位余領域Ｙを低転位化する。閉鎖欠陥集合領域Ｈは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗が制御された低転位密度のＩＩＩ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１をエピタキシャル成長させる成長工程と、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１を裁断および／または表面研磨してＩＩＩ族窒化物半導体基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを形成する加工工程とを含み、上記成長工程において、第１のＩＩＩ族窒化物半導体層１１に、不純物元素としてＣ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、ＶおよびＳｂからなる群から選ばれる少なくとも１種類の元素を１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上添加する。 （もっと読む）

本発明は、種基板を使用してc面配向のGaN又はAl_xGa_1-xN基板を製造する方法に関する。この方法では、種基板として正方晶系（100）又は（-100）配向のLiAlO₂ 種基板を使用し、窒素化合物含有雰囲気中、LiAlO₂ の分解温度よりも低温度で窒化を行い、温度500 ~ 700℃ でGaCl又はAlCl 、あるいはGaClとAlClの混合物を窒素化合物含有雰囲気に添加することによって核形成層を成長させ、核形成層上に、900℃〜1050℃ の温度範囲でGaCl又はAlCl 、もしくはGaCl/AlCl混合物を窒素化合物含有雰囲気中で使用するハイドライド気相成長法（HVPE）によって単結晶性のc面配向GaN層又はAl_xGa_1-xN層を成長させて、基板を冷却する。 （もっと読む）

【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）

少なくとも約３インチの直径と、約２０００ｃｍ^-2未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^-2未満のマイクロパイプ密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを開示する。
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【課題】 基板処理装置において取扱いが容易であり、且つ、ダイヤモンドの気相成長温度と同程度の高温にも耐えられるダイヤモンド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド基板１０は、第１の領域ｒ１と第１の領域ｒ１を取り囲む第２の領域ｒ２とを含む主面３ａを有する基板３と、主面３ａの第１の領域ｒ１上に設けられた板状の単結晶ダイヤモンド部５と、主面３ａの第２の領域ｒ２上に設けられた層状の多結晶ダイヤモンド部７とを備える。単結晶ダイヤモンド部５は、多結晶ダイヤモンド部７によって基板３に固定されている。基板３は、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、石英、モリブデン、ニオブ、タングステン、ムライト及びコージライトのうち少なくとも一つの材料を含有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶体およびＧａＡｓ基板の外周に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム独立基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウムと異なる材料から成る基板９上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体２４から窒化ガリウム独立基板を製造する方法であって、成長によって、基板９および窒化ガリウム結晶体２４の側面上に窒化物堆積物２６が形成される。この方法は、窒化物堆積物２６を外周加工により除去する工程と、この外周加工の後に、基板９を窒化ガリウム結晶体２４から剥離して、基板９および窒化ガリウム結晶体２４を互いに独立させる工程とを備える。 （もっと読む）

実質的に表面欠陥がない基体の上に化学蒸着により成長したダイヤモンドから、化学蒸着によって、単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する方法。化学蒸着によりホモエピタキシャル成長した前記ダイヤモンド及び前記基体は、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離し、化学蒸着による単結晶ダイヤモンドの大面積プレートを製造する。
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本発明は、ダイヤモンド担持半導体デバイス（２００）、およびそれを形成するための方法を提供する。１つの局面では、ダイヤモンド層（２０４）のデバイス表面（２１０）のために意図された構成に逆に適合するように構成された界面表面（２１２）を有する型（２２０）が提供される。次いで、無力なダイヤモンド層（２０４）が、型（２２０）のダイヤモンド界面表面（２１２）の上に堆積され、基材（２０２）が無力なダイヤモンド層（２０４）の成長表面（２２２）に接合される。次いで、型（２２０）の少なくとも一部が取り除かれ、型のダイヤモンド界面表面の構成に逆に対応する形状を受けた、ダイヤモンドのデバイス表面（２１０）が露出される。型（２２０）は、最終のデバイスを製造するために薄くされる適切な半導体材料から形成され得る。必要に応じて、半導体材料が、型（２２０）の除去のあと、ダイヤモンド層（２０４）に結合され得る。
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サファイアを含むいろいろな単結晶が開示される。単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。
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本発明は、少なくとも０．０１８モル／ｋｇの、フッ化物の状態で存在する２価の陽イオンＭがドーピングされている、特に単結晶の形をしている、結晶性のフッ化リチウムに関する。イオンは、Ｍｇ^２＋、Ｚｎ^２＋又はＣｏ^２＋であることができる。このフッ化物は、高い反射性と、それから放出される強い放射線とを有することができ、また、この放射線は、とりわけ希土類ハロゲン化物タイプの高速光シンチレータによって効果的に受容することができる。この物質は、元素分析の目的のため、Ｘ線蛍光放射線用のモノクロメータとして特に有用である。 （もっと読む）

空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）