【課題】所望の比抵抗を有する導電性III族窒化物単結晶基板を低コストで製造することができる導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性III族窒化物単結晶基板の製造方法は、ＧａＣｌガス、ＮＨ_３ガス、及びＮ_２又はＡｒにより所定の濃度に希釈されたＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスをＧａＮ単結晶基板に供給し、４５０μｍ／ｈｏｕｒより大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度でＧａＮ単結晶基板上にＧａＮ単結晶を成長させると共に、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスが所定の濃度に希釈されたことによるＮＨ_３ガスとの反応の抑制により、ＧａＮ単結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０^−２Ωｃｍ以下となるようにＳｉＨ_２Ｃｌ_２ガスに含まれるＳｉがＧａＮ単結晶にドーピングされることを含む。 （もっと読む）

【課題】切断面に割れや欠けを生じさせること無く単結晶基板を切断可能であり、かつ、切断時に単結晶基板に強いダメージが加わることが無い単結晶基板の切断装置、単結晶基板の切断方法を提供する。
【解決手段】カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも外側領域まで、レーザ光源装置１２からレーザー光線ＬＲを照射する。このレーザー光線ＬＲの照射幅ｔ２は、カッティングライン２５の加工幅ｔ１よりも広くなるように設定する。即ち、レーザー光線ＬＲは、カッティングライン２５のエッジを越えて、半導体チップ２０の形成領域の端部まで細長く照射する。この照射によって単結晶が多結晶化または非晶質化した改質領域Ｓｎを形成し、そこをブレード１１で切断する。 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱の研究用の基板を提供する。
【解決手段】基板は、銀、金、白金、銅及び／又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆されている、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいる。ウィスカーは、半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成している。被覆金属の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、好ましくは７０ｎｍ〜８０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの抵抗率及び成長させるエピタキシャル層の厚さと、ミスフィット転位の発生有無との関係を特定し、所望する抵抗率及びエピタキシャル層の厚さの指定を受け付け（ステップＳ１）、ミスフィット転位が発生するか否かを判定し（ステップＳ２）、発生すると判定した場合に、ゲルマニウムと赤燐をドープすることにより所望の抵抗率となるウェーハのためのシリコンインゴットを生成し（ステップＳ４）、ウェーハを切り出し（ステップＳ７）、受け付けたエピタキシャル層の厚さ以下のエピタキシャル層を形成する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。
具体的には、１２００℃以上１４００℃以下で５〜２０時間保持するインゴットアニール処理を施されたＮＧＯ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】低温保護層の成長プロセスを省略でき、ＧａＮ系半導体基板の製造コストを低減できるとともに、低温保護層の品質のばらつきによる影響を排除できる窒化物系化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍに制御された成長用基板上に、窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。例えば、成長用基板をエピタキシャル成長装置に投入した後、成長用基板の平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍとなるようにアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部において、ボイド等の結晶欠陥を低減させることができ、また、デバイスプロセスにおける熱的応力等の負荷によるスリップの伸長を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素濃度が１．４×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上のシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３２５℃以上シリコンの融点以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】サファイアインゴットから切り出され表面および裏面が加工されてうねりが除去されるとともに均一な厚みに形成され表面に光デバイス層が積層されるサファイア基板の加工方法であって、サファイア基板の裏面側を研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを０．０１μm以下に仕上げる。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を低減可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射してシリコンウェーハ１０の表層部１１を加熱することにより、表層部１１Ａ内に存在する結晶欠陥部位の酸化物を溶融させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを低減させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を加熱していることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を縮小又は消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】表面粗さを０．０１μm以下に効率よく仕上げることができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に光デバイス層が積層される基板となるサファイア基板の加工方法であって、サファイアインゴットから切り出されたサファイア基板の一方の面側を研削装置のチャックテーブルに保持してサファイア基板の他方の面を研削し、サファイア基板の他方の面のうねりを除去する第１の研削工程と、第１の研削工程が実施されたサファイア基板の他方の面側を研削装置のチャックテーブルに保持してサファイア基板の一方の面を研削し、サファイア基板の一方の面のうねりを除去する第２の研削工程と、第２の研削工程が実施されたサファイア基板の一方の面または他方の面を裏面として研磨装置のチャックテーブルに保持し、サファイア基板の表面をシリカ粒子をゴム材で固めて構成した研磨パッドによって乾式研磨し、面粗さを０．０１μm以下に仕上げる表面研磨工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成される表層のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面に電子線を照射することによりシリコンウェーハ１０の表層部１１を溶融させた後、溶融させた表層部１１Ａを固化させることによって表層部１１Ａの結晶欠陥ａを消滅させる。本発明によれば、電子線の照射によってシリコンウェーハの表層部を溶融させていることから、レーザ光を用いる場合と比べ、表面から深い領域に存在する欠陥を消滅させることが可能となる。しかも、レーザ光を用いる場合のように、ビーム径を大きく絞り込む必要もないことから、高い生産性を確保することも可能となる。 （もっと読む）

【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが小さく、エピタキシャル膜の表面上のヘイズレベルが小さく、より微小サイズのＬＰＤについても検出可能であるエピタキシャルウェーハを提供することができ、さらに、ピット状欠陥の発生が低減されたエピタキシャルウェーハを提供を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程（図１(ａ)）後、前記エピタキシャル膜の表面を酸化洗浄する酸化洗浄工程（図１(ｂ)）と、酸化洗浄工程後２４時間以内に、前記エピタキシャル膜の表面を研磨するエピ後研磨工程（図１(ｃ)）とを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面に適度の濃度の酸素が残存し、空孔欠陥や微小酸素析出物等が消失した無欠陥層を有し、しかもゲッタリング能力をも発揮し得るシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶から得られるシリコンウェーハに、塩素が含まれる酸化性雰囲気にて熱処理を施し、少なくとも表層域における欠陥を消失させる。 （もっと読む）

【課題】面内抵抗が均一なＦＺ法（フローティングゾーン法）によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯からシリコン単結晶１０を成長させるＦＺ法により不純物をドープしたシリコン単結晶インゴットから得られるシリコンウェーハの製造方法であって、製品ウェーハの抵抗保証直径Ｗ１よりも25mm以上大きな直径Ｗで、前記シリコン単結晶１０の直胴部１２を形成する工程と、該直胴部１２の外周面１２ａを製品規格直径Ｗ２まで研削する工程とを含む。前記不純物は、リン、又はボロンであり、前記不純物のドーピングは、前記溶融帯に前記不純物をガスドープする。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの発光強度を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。したがって、半導体デバイス１００の発光強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。
【解決手段】ｐ型ウェーハで、炭素がドープされ、アルゴンガス、水素ガス、あるいはそれらの混合ガス雰囲気中にて処理温度１１００〜１２５０℃、処理時間１〜５時間とされるの熱処理により、表面から付加さ方向への抵抗分布が、０．１〜１０ｋΩｃｍ程度のｐ型表面領域と、深さ方向に抵抗値が上昇下降してピークを有するピーク領域と、酸素ドナーによるｐ／ｎ型反転深度領域とを有し、前記ピーク領域におけるピーク位置がウェーハ表面からの深度１０〜７０μｍの範囲とされる。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性と良好な表面平坦性とを兼ね備えた窒化物半導体自立基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供すること。
【解決手段】円筒形高圧ベッセルを使用してＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法であって、結晶化領域内にＩＩＩ族窒化物シード結晶を装填し、強化剤領域内にＩＩＩ族含有供給源を装填するステップと、アルカリ金属含有鉱化剤が酸素または水分に最小に曝露される態様で、高圧ベッセル内に鉱化剤を装填するステップと、高圧ベッセルを密封するステップと、高圧ベッセルを１×１０^−５ミリバールより低い圧力までポンプするステップと、高圧ベッセルをアンモニアで充填するステップと、結晶化領域の温度を５００℃より上で傾斜をつけるステップと、に記載された温度条件を、結晶を成長させるのに十分長い間、維持するステップと、アンモニアを放出して結晶成長を停止させるステップと、高圧ベッセルを密封解除するステップとを含む、方法。 （もっと読む）