【課題】本発明の目的は、高温工程によるスリップ発生を完璧に制御し、素子の活性領域には均一且つ充分なＤＺ及びＣＯＰフリー(free)領域を提供するとともに、バルク領域には高密度のＢＭＤを有するシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの代表的な構成は、本発明に係るシリコンウェーハは、前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハは１Ｅ１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 乃至１Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３範囲の窒素濃度を有し、前記ウェーハの前面及び後面の表面から少なくとも深さ８μｍまでの領域は、ウェーハを所定の深さまで研磨した後測定した、０．０６５μｍ以上のサイズを有する欠陥に関するＬＰＤＮ（Light Point Defect Non-cleanable）の個数がウェーハ当たり２０個以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｎバルク結晶を製造する方法であって、IIIは、周期表のIII族のうちＡｌ、Ｇａ及びＩｎから選択された少なくとも１つの元素を指し、前記III−Ｎバルク結晶を、気相エピタキシーによって基板又はテンプレート上に成長させ、前記III−Ｎバルク結晶の成長速度を、リアルタイムで測定するIII−Ｎバルク結晶の製造方法である。エピタキシャル成長の間、成長速度のその場での測定及び動的制御によって、実際の成長速度を本質的に一定に維持する。その結果、良好な結晶の質と成長方向及び／又はそれに垂直な平面内における均等な配列とをそれぞれに有するIII−Ｎバルク結晶及びそれに付随して分離され個別化された単一のIII−Ｎ結晶基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】前記方法は、半導体ウェーハを結晶から分離し、半導体ウェーハの前面および裏面から材料を切除する連続加工工程で処理し、以下の加工工程：
機械的加工工程、半導体ウェーハを酸化し、半導体ウェーハの前面からフッ化水素を含有するガス状エッチング剤を用いて２０〜７０℃の温度で材料を切除するエッチング工程、および半導体ウェーハの前面を研磨する研磨工程を有し、その際半導体ウェーハの前面を研磨する加工工程が全体として５μｍ以下である材料の切除を生じる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶基板をより平坦あるいは凹形状に加工するＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１のＧａ面１ｇに予め加工歪を与えた後、その基板１を平坦なプレート２にＧａ面１ｇが接触するように無荷重で貼り付け、基板１のＮ面１ｎを加工歪フリーの平坦加工し、プレート２から基板１を取り外し、取り外した基板１をプレート２にＮ面１ｎが接触するように荷重をかけて貼り付け、Ｇａ面１ｇを加工歪みフリーの平坦加工し、プレート２から基板１を取り外して仕上げる加工方法である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の反りを低減することができるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法およびその方法により製造されるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】下地基板１上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）の組成式で表わされる化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２を下地基板の温度を低下しながら成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２上にＡｌ_yＧａ_1-ｙＮ（０≦ｙ＜ｘ）の組成式で表わされる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物結晶層３を１ｍｍ以上の厚さに成長させる工程と、第２のＩＩＩ族窒化物結晶層３からＩＩＩ族窒化物結晶基板５を形成する工程と、を含む、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法とその方法により製造されるＩＩＩ族窒化物結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸（光軸）を高精度に、且つ簡易な作業で決定することが可能な球状又は半球状の単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料となる単結晶のＺ軸方向を予め測定し、このＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を有する板状の単結晶母材２を切り出す。この単結晶母材２のＸ−Ｙ平面に、単結晶母材２とは識別可能な板状の識別材３を接合して接合材４０を得る。この接合材４０分割して、製造しようとする球状体６を包含する大きさの多面体４１を切り出した後、これを球状に形成する。形成された球状体６では、単結晶体からなる水晶部６１と識別材からなる識別部６２との接合面６３がＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を示す目印となる。また、識別部６２を剥離することで、Ｘ−Ｙ平面をオリエンテーションフラット６３ａとする球状体６１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線やそれ以外の手段による精密測定を行うことなく、フッ化物単結晶表面の（１１１）面からの方位のずれを十分簡易に把握することができるフッ化物結晶の熱処理方法を提供する。
【解決手段】多孔質部材７を備える基台６Ｃ上に、（１１１）面とのなす角度が−１５〜＋１５°である平滑面を有するフッ化物の単結晶１１を、平滑面と多孔質部材７とが対面接触するように載置した状態で、熱処理炉１０内において最高温度が１０００℃以上となるように単結晶１１に加熱処理を施すフッ化物結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】 表層が無欠陥層であり、かつバルク部には酸素析出物等のゲッタリングサイトが十分に存在し、優れたゲッタリング能力を有するとともに、表層のドーパント汚染を極めて低く抑制した窒素ドープアニールウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素ドープアニールウェーハの製造方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法により窒素をドープしたシリコン単結晶を育成し、該育成されたシリコン単結晶をスライスしてシリコン単結晶ウェーハとし、該スライスされたシリコン単結晶ウェーハに、水素ガス、不活性ガスのうちいずれか１以上を含む雰囲気下で熱処理を施した後、該熱処理を施したシリコン単結晶ウェーハに鏡面研磨を施すことにより、熱処理中に前記ウェーハ表面から汚染ドーパントが拡散した領域を除去し、窒素ドープアニールウェーハを製造することを特徴とする窒素ドープアニールウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面１０ｃの反対側の面である裏面１０ｒの反りｗ_(R)が−５０μｍ≦ｗ≦５０μｍであり、裏面１０ｒの面粗さＲａ_(R)をＲａ_(R)≦１０μｍ、裏面１０ｒの面粗さＲｙ_(R)をＲｙ_(R)≦７５μｍとすることができる。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができるＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。また、その方法により得られるＡｌＮ結晶８、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスである。 （もっと読む）

複数の粒子を有する多結晶金属窒化物を含む組成物が提供される。これらの粒子は、拝金粒子サイズ、傾斜角度、不純物含有、気孔率、密度、及び金属窒化物における金属の分子分率、のような特徴の一つかそれ以上の柱状構造を有する。金属窒化物は、窒素含有材料が第ＩＩＩ族金属とチャンバー内で反応し、金属窒化物を生成して、少なくともチャンバー内の第ＩＩＩ族金属の導入、窒素含有材料とハロゲン化水素のチャンバーへの流入の工程からなる方法を介して生成される。第ＩＩＩ族金属が原材料材料として原材料注入口を通じてチャンバーに導入されて、第ＩＩＩ族金属窒化物グループの準備の方法が提供される。

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【課題】異種基板上に半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に第１半導体結晶４を気相成長させる工程と、第１半導体結晶４を異種基板から切り離す工程と、切り離された第１半導体結晶４の切り離された側の表面を研削して加工変質層７を形成し、該加工変質層７上に第２半導体結晶８を成長させる工程と、第１半導体結晶４と第２半導体結晶８とを含む積層体をスライスする工程と、を含む。ここで、第１半導体結晶４の厚みをｈ１とし、第２半導体結晶８の厚みをｈ２としたとき、ｈ１／ｈ２は、０．０１以上１００以下であることが好ましく、０．１以上１０以下であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーとの密着度を良くし、かつＧａＮ自立基板の反りを減らすことにより、窒化物半導体素子の良品歩留率を向上させることができる自立した窒化ガリウム単結晶基板とその製造方法、および窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】表面（Ｇａ面）２が鏡面に研磨され、かつ裏面（Ｎ面）３の算術平均粗さＲａをラップ後のエッチング処理により１μｍ以上、１０μｍ以下（気相成長装置の基板ホルダーと面接触する粗さ）としたＧａＮ自立基板１を用いて、窒化物半導体素子を気相成長法により製造する。 （もっと読む）

高い導電率及び移動度を有するドープされたＡｌＮ結晶及び／又はＡｌＧａＮエピタキシャル層の製造を、例えば、複数の不純物種を含む混晶を形成し、この結晶の少なくとも一部を電気的に活性化させることによって達成する。 （もっと読む）

【課題】厚いエピタキシャル層を形成する場合でも、平坦性に優れ、かつ抵抗率の均一性にも優れたエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハを容易にかつ低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、少なくとも、裏面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を用い、該基板の表面にシリコンからなるエピタキシャル層を成長させる工程と、スピンエッチャーを用い、前記シリコン基板を回転させるとともに該基板の裏面に、前記シリコン酸化膜よりもシリコンに対するエッチング速度が大きいエッチング液を供給することにより、前記エピタキシャル層の成長の際に前記基板の裏面及び面取り部に形成されたシリコンをエッチングして除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性ＧａＡｓウエハの研削加工に起因するマイクロクラックを除去し、アニールの際のスリップを防止する。
【解決手段】ＧａＡｓインゴット１０より切り出された半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１の外周縁部１３に研削加工により面取り部１２を形成し、この半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１にイオンを打ち込んだ後、アニール処理するようにした半絶縁性ＧａＡｓウエハ製造方法において、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハの前記面取り部１２を含む外周縁部１３に所定量の鏡面研磨加工を施して前記研削加工によって発生したマイクロクラックを除去することにより、アニールの際のスリップを防止する。 （もっと読む）

本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法は、（Ａ）サファイア基板１０のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、離間したシード層１１を複数形成した後、（Ｂ）頂面が、Ａ面であり、且つ、サファイア基板１０のＲ面に対して略平行な状態にあるＧａＮ系化合物半導体層１２，１４を、各シード層１１から横方向エピタキシャル成長させ、次いで、（Ｃ）ＧａＮ系化合物半導体層１２，１４の頂面１４Ａを研磨して、サファイア基板１０のＲ面に対して傾斜した状態とする工程を具備する。 （もっと読む）

ＳｉＣの高品質単結晶ウェハが開示される。このウェハは、少なくとも直径約３インチ（７５ｍｍ）と、４°オフ軸のウェハに対して、約５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチ（６．２５ｃｍ^２）の連続した表面領域とを有する。また、本発明は、ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法を提供し、該方法は、３インチよりわずかに大きい直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、０００１平面に対して約２°と１２°の間の角度で、該ブールをスライスして、ウェハにするステップであって、該ウェハは、各ウェハ上に、５００ｃｍ^−２未満の底面転位密度を有する少なくとも１平方インチの連続した表面領域を有する、ステップとを包含する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板の製造方法及びその方法を用いて製造した基板を提供する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド基板の製造方法は、凹部となる第１の領域と、該第１の領域を取り囲む第２の領域とを含む主面を有するシリコン基板を用意し、第１の領域の凹部深さよりも板厚の厚い単結晶ダイヤモンド種基板を、第１の領域に載置する載置工程と、気相合成法を用いて前記単結晶ダイヤモンド種基板から気相合成ダイヤモンド層を形成すると共に、前記第２の領域上にも気相合成ダイヤモンド層を形成して互いを接続する接続工程と、単結晶ダイヤモンド種基板上の気相合成ダイヤモンド層全部と、第２の領域上の気相合成ダイヤモンド層の全部又は一部を機械的に研磨して双方を実質的に平坦化する研磨工程とを経ることを特徴とする。 （もっと読む）