【課題】低酸素濃度のシリコン単結晶において、Ｌ／Ｄ領域およびＢ−ｂａｎｄ領域を高感度に検出し得る手段を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶の検査方法。一態様は、チョクラルスキー法により育成された格子間酸素濃度（旧ＡＳＴＭ）が１２Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満のシリコン単結晶インゴットから切り出されたサンプルの表面を銅で汚染すること、上記汚染後のサンプルに、７００℃以上８００℃未満の温度域で５分間以上加熱した後に該温度域から２．５℃／分を超える降温速度で急冷する加熱冷却処理を施すこと、上記加熱冷却処理後の前記サンプル表面を選択エッチングすること、上記選択エッチング後のサンプル表面のピットが局在している領域をＬ／Ｄ領域として特定すること、を含む。他の態様は、異なる処理を施した２つのサンプルの対比結果からＢ−ｂａｎｄ領域を特定することを含む。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低いＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板は、気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）の成長方法で得られたＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の表面１３を加工することにより得られる平坦な主面３１を有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板３０であって、結晶成長の際、その雰囲気中に不純物を含めることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減し、ピット１０ｐ底部から主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒの密度が１０⁵ｃｍ^-2以下であり、結晶成長後において主成長平面１１の総面積に対するピット１０ｐの開口面１０ｓの総面積の割合が３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ガリウム極性面の粗研磨実施後の精密研磨実施中のクラック発生率を低下させることができる窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ成長装置１内にある基板ホルダ３に基板１１をセットする。反応炉内は常圧とし、ヒータ４により基板１１を加熱、昇温させる。初期核は、反応ガス導入管５によりＮＨ3ガスをキャリアガスであるＮ2ガスと共に導入し、金属Ｇａ６が載置された原料載置室７を有する反応ガス導入管８によりＧａＣｌガスをキャリアガスであるＮ2ガスとＨ2ガスと共に導入して、成長させる。初期核の形成後は、ＧａＣｌガス分圧とＮ2ガス分圧を高くした以外は初期核を形成した条件で結晶成長させる。得られる窒化ガリウム基板は、窒素極性面側の結晶成長時に平坦に成長した領域とファセット成長した領域との段差が７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 融液凝固法で育成したフッ化金属単結晶のレーザー耐性を向上させるための熱処理方法を提供する。
【解決手段】 気密化可能な熱処理炉を用い、その融点がＸ_melt℃であるフッ化金属単結晶をその融点未満の温度まで加熱した後、室温まで徐冷するフッ化金属単結晶の熱処理方法において、２５０℃以上、（Ｘ_melt−５００）℃以下の範囲にある所定の温度までは、真空排気下に昇温を行い、当該所定温度に到達した後にフッ素系ガスを熱処理炉内に導入するとともに、該熱処理における最高温度を（Ｘ_melt−３５０）℃以上、好ましくは（Ｘ_melt−１５０）℃以下とすることを特徴とするフッ化金属単結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】主面が（０００１）面から２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板上にＧａＮ結晶を成長させても、積層欠陥の発生が抑制されるＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主面１０ｍが（０００１）面１０ｃから２０°以上９０°以下で傾斜しているＧａＮ種結晶基板１０を準備する工程と、ＧａＮ種結晶基板１０上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備え、ＧａＮ種結晶基板１０の不純物濃度とＧａＮ結晶２０の不純物濃度との差が３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリング能力を十分に向上させたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態にて、当該表面にレーザーを照射して、表層部を溶融させた後、溶融させた表層部を固化させることにより、元素を表層部にドープすることを特徴とする。この製造方法によって得られる本発明のシリコンウェーハは、酸素、炭素、窒素の少なくともいずれか1種類以上の元素を高濃度に有する。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体基板の製造方法は、サファイア基板１０上に、ＧａＮ層１１と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２とが交互に積層された半導体成長層２０を形成する工程と、半導体成長層２０を、半導体成長層２０の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光リソグラフィー装置などに用いられるフッ化金属単結晶（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなど）のレーザー耐久性を、比較的短期間で、かつ高精度に評価する。
【解決手段】 ＡｒＦレーザー等の実際の使用条件での波長のレーザー光のパルス照射と、該レーザー光照射後の光透過率（Ｔ）の測定とを、試料に環境光の当たらない暗環境下で、繰り返して２回以上行い、パルス照射回数（Ｘ）と、初期値に比しての光透過率の低下から求めた差分吸光度の２００〜８００ｎｍの範囲での積分値（Ｙ）とから、Ｙ＝ａＸ＋ｂの関係を求める。得られる傾き（ａ）の大きさからレーザー耐久性を評価する。暗環境下で行うことにより精度が格段に向上する。なお傾きの小さなものほどレーザー耐久性に優れたフッ化金属単結晶である。 （もっと読む）

【課題】デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得る。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶に窒素をドープし、かつ、窒素の濃度を２×１０¹⁹ｃｍ^-3より多くする場合に、Ａｌも同時にドープすると共にＡｌ／Ｎ比が５％以上となるようにする。これにより、積層欠陥を低減することができる。さらに、Ａｌ／Ｎ比が４０％以下となるようにすることで、比抵抗を小さくすることができ、デバイスに望まれる比抵抗を得ることができる。したがって、デバイスに望まれる比抵抗を得つつ、積層欠陥を低減できるＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶１０から板状の結晶片を分離し、分離した前記板状の結晶片から窒化物半導体自立基板を作製するための窒化物半導体結晶構造において、レーザー光の照射による加熱分解で前記板状の結晶片に分離すべく、前記窒化物半導体結晶１０内に、該窒化物半導体結晶１０の成長時にバンドギャップの異なる組成の光吸収層２を単層または複数層形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長させるための単結晶基板であって、組成式Ｃａ_ｘＮｂ_ｙ１Ｔｉ_ｙ２Ｇａ_ｚＯ_１２（２．９＜ｘ＜３．１、０．９＜ｙ１＜１．１、０．９＜ｙ２＜１．１、２．９＜ｚ＜３．１）で表されるものであることを特徴とする単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】Ｈａｚｅ、表面粗さなどの表面品質が改善された、（１１０）基板を用いたシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、（１１０）面を＜１１２＞方向に０．１°以上、８°以下の範囲で傾斜させた面方位を持つシリコン単結晶ウェーハを準備する工程と、該準備したシリコン単結晶ウェーハの表面にシリコンホモエピタキシャル層を成長させる工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰ等のｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が表層域に存在しない、例えば直径４５０ｍｍの大口径のシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により３．０℃／分以下の冷却速度の下に育成したシリコン単結晶をスライスしてシリコンウェーハを製造するに当たり、該シリコンウェーハに非酸化性雰囲気中で熱処理を施し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を施し、シリコンウェーハの表面側にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在する欠陥層および該欠陥層の直下にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥層を形成し、その後前記欠陥層を研磨除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減できる単結晶の製造方法、および単結晶から結晶欠陥が発生した部位を効率よく検知して除去することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる過程において、検出される単結晶の直径と引き上げ速度の目標値に基づき、引き上げ速度の操作を制限するスパンおよびヒータ温度の設定値を演算し、引き上げ速度をスパン内で操作するとともに、ヒータ温度を設定値に操作して単結晶の直径を制御する際に、引き上げ速度の実績値から算出される移動平均の揺らぎを制御することを特徴とする単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】内部領域よりも格段に優れた品質の最表面（表層領域）を有する窒化物半導体基板、表面加工方法を工夫することによって最表面（表層領域）の歪みを開放し、高品質の層を最表面に設けることが可能な窒化物半導体基板の製造方法及びこれらを用いた窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長面となる表面とその反対側の裏面とからなる２つの主面を有する窒化物半導体基板において、表面に対して傾斜した特定の非対称面からの回折を利用して、表面から所定の深さの領域において対応する半値幅を得るＸ線ロッキングカーブ測定によって得られた、表面からの深さが０〜２５０ｎｍの表層領域の半値幅が、表面からの深さが５μｍを超える内部領域の半値幅よりも狭くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶インゴットから切り出された直後のウェハに存在するそり・うねりをウェハの両面研磨の際に効果的に除去し、フリースタンディング状態でもそり・うねりの無い研磨後のウェハを調製し、これによって欠陥密度の少ない良好な品質のウェハを製造することができる炭化珪素単結晶ウェハの製造方法を提供する。また、平均積層欠陥密度が３０cm^-1以下である良品質の炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶インゴットから切り出されたウェハ３を両面研磨装置のキャリア２内に保持させてウェハ表面を両面研磨し、次いで両面研磨後のウェハの表面に生成した加工変質層を除去して炭化珪素単結晶ウェハを製造するに際し、ウェハ厚さよりも厚さの大きいキャリアを用いてウェハの両面研磨を行う、炭化珪素単結晶ウェハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 （もっと読む）