【課題】結晶成長面上に結晶性のよい半導体層を成長させることが可能な、裏面の反りの小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板は、結晶成長面の反対側の面である裏面に関して、反り曲面が最適平面に対して一方側に最も大きな変位値と最適平面との距離および他方側に最も大きな変位値と最適平面との距離の和として算出される裏面の長さ５．０８ｃｍ当りの反りｗ_(R)が、−３５μｍ≦ｗ_(R)≦４５μｍである。また、本半導体デバイスの製造方法は、基板として上記ＧａＮ結晶基板１０を選択し、このＧａＮ結晶基板１０の結晶成長面１０ｃ側に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物結晶層２０を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａおよび主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有する基板１１が準備される。そして、基板１１の主表面１１ａ上に、基板１１と異なる材料の窒化アルミニウム結晶１２が昇華法により成長される。そして、基板１１の一部を昇華法に用いる雰囲気Ａ１に対して密閉された状態から雰囲気Ａ１に開放された状態にすることにより、開放された状態において基板１１の少なくとも一部が昇華される。 （もっと読む）

【課題】ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム基板１０は、窒化ガリウム単結晶のファセット面成長により形成され、周囲の極性に対して反転した極性を有する欠陥部１２１と、Ｃ面成長により形成されるＣ面成長部１１０と、欠陥部１２１の成長面側の端部において外部に露出する欠陥上端１２４と、欠陥上端１２４からＣ面成長部１１０に向かってＣ面成長部１１０の表面の法線方向に沿って形成される垂直面１２６と、垂直面１２６とＣ面成長部１１０との間に形成される曲面部１２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来、ダイヤモンドの研磨は、輝きを増幅させる為カット数が多い立体的な研磨が多かったが、平面的なカットでダイヤモンド持つ透明性の美しさを幅広く表現させる。
【解決手段】平面的板状にカットしたダイヤモンドを様々な、平面的なデザインにカットしダイヤモンド自体の透明性や輝きを、斬新的で様々なデザインで顕現する。 （もっと読む）

異なる、かつ非直角の成長方向に、膜を互いの上部に重ねて成長させることによって、複数の膜を積み重ねるステップを含む、増加した表面積を有する高品質で自立型の無極性および半極性の窒化物基板を産生するための方法である。この方法は、（ａ）ＩＩＩ族窒化物を自立型（ＦＳ）ＩＩＩ族基板の第一面の上に成長させることであって、該ＩＩＩ族窒化物は無極性または半極性であり、該第一面は無極性または半極性の面であり、該ＦＳＩＩＩ族基板は、５００ミクロンを超える厚さを有する、ことと、（ｂ）該ＩＩＩ族窒化物の頂面を得るために、第二面に沿って該ＩＩＩ族窒化物をスライス、または研磨することであって、該第二面は無極性または半極性の面であり、該ＩＩＩ族窒化物の該頂面は、該無極性または半極性のＩＩＩ族窒化物基板を備える、こととを含む。
（もっと読む）

【課題】複数枚のＩＩＩ族窒化物単結晶基板を形成することができ、かつ、結晶成長を繰り返してもＩＩＩ族窒化物単結晶基板を切り出すことができる領域が減少しないＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、及びこの製造方法を用いて製造したＩＩＩ族窒化物単結晶からＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法は、成長方向に垂直で第１の所定の面積を有する第１の結晶面１２、及び成長方向に傾斜して第２の所定の面積を有する第２の結晶面１３を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、成長条件を制御して、第１の所定の面積及び第２の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、第１の結晶面１２及び第２の結晶面１３上にＩＩＩ族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】長時間プラズマエッチングを行っても均一なエッチングを行うことができるシリコン電極板を提供する。
【解決手段】シリコン電極板２にガス噴出孔５を設けてなるシリコン電極板において、前記ガス噴出孔５は、深さがシリコン電極板２の厚さよりも浅くかつ軸がシリコン電極板の厚さ方向になるように設けられている有底大径孔部分８と、この有底大径孔部分８の底部分からシリコン電極板２の厚さ方向に対して非平行な方向に向かってシリコン電極板の片面に貫通している複数の貫通細孔９とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】湾曲した窒化物半導体結晶から、面内および基板間で格子面方向のばらつきが少ない窒化物半導体基板を得る方法を提供する。
【解決手段】異種基板上にエピタキシャル成長させて得られた湾曲した窒化物半導体結晶１２の凹状の面にダイアモンド砥粒などにより研削を行って加工変質層１３を導入する。加工変質層１３の導入によって窒化物半導体結晶１２の曲率半径は大きくなり、面内各点での格子面方向［ｈｋｉｌ］若しくは［ｈｋｌ］が平行化される。この状態の窒化物半導体結晶１２から、表面１２ａから裏面１２ｂに向かってスライスして複数の基板１４を切り出す。このようにして得られた基板１４は、基板表面と特定の結晶格子面とが成す角度が基板の面内で略同じとなるため、湾曲した窒化物半導体結晶１２から、結晶格子面が揃った複数の基板１４を切り出すことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アズグロウンの状態での基板の反りを小さくすることにより、基板表面の面方位のばらつきを低減させることができるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びに当該基板を使用した基板面内均一性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板裏面の転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２以下であり、かつ厚さ方向において基板裏面から表面に至るまで転位密度が３×１０^６ｃｍ^−２／ｍｍ以下の割合で減少しているＧａＮ自立基板１０を用いて、その上にＧａＮ系半導体結晶からなるエピタキシャル層を形成して発光素子を形成する。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも３５ｃｍである少なくとも２つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストするための方法及び装置を提供する。これらの方法によれば、炭素が低含量のインゴットを成長させることができ、その結晶成長はキャスティング中のシード材料の断面積を増加させるように制御される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、半導体素子のアクティブ領域が形成されるシリコンウェーハの前面から背面までの酸素析出物の濃度プロファイルが、前面及び背面から所定深さで各々第１ピーク及び第２ピークを示し、前記前面及び背面から各々第１ピーク及び第２ピークに達する前にデヌードゾーンが形成され、前記第１ピーク及び第２ピーク間のバルク領域で酸素析出物の濃度プロファイルが凹状であることを特徴とする制御された酸素析出物分布をもつ。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に少なくともＩＩＩ族元素と窒素とアルカリ金属元素とを含む原料溶液５からＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板を短時間で効率よく製造する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶のバルク体から板状成形体を切り出し、研磨加工又は研削加工により板状成形体の両面を粗加工し、ブラスト加工により板状成形体の裏面側を粗面化加工する。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための低抵抗率炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、｛0001｝面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。 （もっと読む）

【解決手段】 ＥＰＤが低くなるような結晶成長プロセスを用いてウェハを製造するシステムおよび方法が開示されている。また、デバイス収率を高め得る第ＩＩＩ−Ｖ族／ＧａＡｓウェハを形成する、ウェハアニーリングプロセスが提供されている。一実装例によると、エッチピット密度（ＥＰＤ）が低い第ＩＩＩ族ベースの材料を製造する方法が提供される。さらに、当該方法は、多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を形成する段階と、当該多結晶第ＩＩＩ族ベース化合物を用いて垂直温度勾配凝固による結晶成長を実行する段階とを備える。その他の実装例は、第ＩＩＩ族ベース結晶を形成する際に温度勾配を制御して、エッチピット密度を非常に低くする段階を備えるとしてよい。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】不純化合物析出物または不純化合物介在物、特に太陽電池の電気特性に影響を及ぼす炭化シリコンの形成を防止すること。
【解決手段】本発明の一態様は、結晶シリコン、特にはポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンを製造する方法および装置であって、シリコン出発材料の溶融物が形成され続いてシリコン溶融物は方向性凝固により凝固される。シリコン溶融物の上方に気体、液体、または固体の形態で相または材料が提供され、シリコン溶融物中の酸素、炭素、または窒素から選択される外来原子の濃度、すなわち凝固された結晶シリコンが制御可能である、および／または酸素ガス、炭素ガス、および窒素ガス、または酸素、炭素、および窒素から選択された少なくとも１つの元素を含むガス種から選択されるガス成分の分圧が、シリコン溶融物の上方におけるガス相において調整可能および／または制御可能である。 （もっと読む）