ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の単結晶ダイヤモンドの表面粗さR_qが約10nm以下であるソリッドステートシステム、ソリッドステートシステムの調製方法及び約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶ダイヤモンドのスピントロニクス用途での使用を開示する。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数Ｘ帯の振幅（強度）ｙを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表層の高い完全性と、ウェーハ表層近傍での従来と同等以上のゲッタリング機能とを備えたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】急速加熱炉を用い、シリコンウェーハを、アンモニアあるいは窒素ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒間熱処理してウェーハ内部に空孔を注入し、これに連続してウェーハを酸素ガスの雰囲気下、１１５０℃、１秒間熱処理し、高濃度の空孔や空孔クラスターに格子間シリコンを注入して対消滅させた。その直後、５０℃／秒でウェーハを急冷する。これにより、ウェーハ表層領域の品質を高め、かつ従来と同等のウェーハ表層近傍のゲッタリング機能とを備えたシリコンウェーハが得られた。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの少なくとも表層のボイド欠陥を消滅させるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに対して、ランプ式急速加熱炉を用い、非酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で４５秒間の第１熱処理を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の内壁酸化膜が除去される。その後、連続してランプ炉内でウェーハを酸化性ガスの雰囲気下、１１５０℃で１０秒熱処理し、ボイド欠陥に格子間シリコンを注入する第２熱処理工程を施す。これにより、少なくともウェーハ表層のボイド欠陥の消滅速度が促進し、このボイド欠陥が消滅される。更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。 （もっと読む）

【課題】高い平坦度が得られる半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１の直径φを４５０ｍｍ、厚みｔを９００μｍ以上１１００μｍ以下とする。また、半導体ウェーハ１の局所的な平坦度を示すＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ Ｆｒｏｎｔｓｉｔｅ ｌｅａｓｔ ｓＱｕａｒｅｓ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ ｓｉｔｅ Ｒａｎｇｅ）を２５ｎｍ以下、全面の平坦度を示すＧＢＩＲ（Ｇｒｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ ｆｏｃａｌ ｐｌａｎｅ Ｒａｎｇｅ）を０．１μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転位欠陥の少ない良質の大口径｛０００１｝面ウェハを、再現性良く製造し得るための炭化珪素単結晶育成用種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】成長面に、幅が０．７ｍｍ以上２ｍｍ未満である溝を有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いた昇華再結晶法により、該種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する、炭化珪素単結晶の製造方法で炭化珪素単結晶を成長させて得られた種結晶付き炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴットの口径が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから得られる炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化した後に仕上げ研磨(ポリッシュ)で表面の酸化膜を除去することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 （もっと読む）

【課題】空孔リッチのＶ領域、ＯＳＦ領域、そしてＮｖ領域の中でＣｕデポジション法により検出される欠陥の発生するＤｎ領域、また格子間シリコンリッチのＩ領域のいずれにも属さず、かつ、従来に比べてより確実に酸化膜の経時破壊特性であるＴＤＤＢ特性を向上させることができるシリコン単結晶ウエーハ、および、その安定した製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

切断されたまま、又は一部工程の終了した、多結晶シリコンウェハなどのバンドギャップ材料からルミネセンス画像を撮影する（２）一方法（１）が開示される。この画像は次に処理されて（３）、バンドギャップ材料中にある転位などの欠陥に関する情報を提供する。得られた情報は、バンドギャップ材料から製造される太陽電池の、開放電圧、及び短絡電流のような、種々の主要パラメータの予測に利用される（４）。この情報は、バンドギャップ材料の分類へも利用することが可能である。この方法は、バンドギャップ材料中の欠陥密度の低減を目的とする、アニールなどの追加プロセス工程の調整又は効果の評価に利用することも可能である。
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【課題】基板の表面に複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各デバイスにヒートシンクを効率よく接合することができる光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク材の表面に複数の光デバイスを区画するストリートと対応する位置にヒートシンクの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成するヒートシンク材溝形成工程と、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面とヒートシンク材の表面を対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、該ウエーハをストリートに沿って切断し個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハ分割工程と、該ウエーハの基板の裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ヒートシンク材の裏面を研削して裏面に溝を表出させ、個々の光デバイスと対応したヒートシンクに分割するヒートシンク材分割工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、セコエッチング法では検出できない点欠陥の凝集体をさらに低減すること。
【解決手段】シリコン単結晶インゴット内での格子間シリコン型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｉ〕とし、空孔型点欠陥が支配的に存在する領域を〔Ｖ〕とし、格子間シリコン型点欠陥の凝集体及び空孔型点欠陥の凝集体の数がセコエッチング法で検出下限値以下であるパーフェクト領域を〔Ｐ〕とするときに、パーフェクト領域〔Ｐ〕からなるインゴットから切り出されたシリコンウェーハＷを、雰囲気ガスＧ１中で熱処理する熱処理工程を有し、前記雰囲気ガスを、不活性ガス及び還元性ガスの少なくとも一方とし、前記熱処理の温度を、１１００℃以上とする。 （もっと読む）

【課題】特性の優れたデバイスを再現性よく製造することのできるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化ガリウム基板は、加速電圧が１３ｋＶ以上の電子が照射された際に得られるカソードルミネッセンスのスペクトルのうち、窒化ガリウムのバンドギャップに対応する波長における第１のピークの第１の強度が、第１のピークより長波長側に観測される第２のピークの第２の強度の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ加工工程、デバイス工程の条件に即して、所望ゲッタリング能力を有するシリコンウエーハを得ることができるように、簡単かつ確実に、初期酸素濃度、不純物濃度あるいは抵抗率、熱処理条件とされるチョクラルスキー法による単結晶製造工程の条件を決定する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶から製造されて固体撮像素子のデバイス製造に供されるシリコン基板の製造方法であって、
素子特性として白傷欠陥の発生密度の上下限値とされる白傷条件と、測定された白傷欠陥の発生密度とを比較して、シリコン基板における初期酸素濃度、炭素濃度、抵抗率、引き上げ条件に起因するシリコン基板の内部状態を決定する。 （もっと読む）

本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットあるいは、ウエハのような断片を製造する方法を開示する。アンモサーマル法によるウエハ成長における着色問題を解決するために、本発明は、ＩＩＩ族窒化物インゴットのアンモサーマル法による成長、インゴットのウエハへのスライス、ウエハの解離あるいは分解を避ける方法によるウエハのアニールからなる。このアニールプロセスは、ウエハの透明度を改善する、および／またはウエハから汚染を除去するのに効果的である。
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【課題】成長用基板を繰り返し使用し、製造コストを低くすることができる窒化物半導体基板及び窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素、窒化ガリウム、及び窒化アルミニウムのうちのいずれかからなる単結晶基板を成長用基板１０とし、成長用基板１０上に窒化アルミニウムからなる剥離層１１と、窒化ガリウムからなる半導体層１２を形成する。あるいはさらにIII−Ｖ族窒化物半導体層を形成する。表面に半導体素子を形成した後、剥離層１１を溶解除去することにより、成長用基板１０を分離、除去する。 （もっと読む）

【課題】より多くの窒化物半導体素子を提供できるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。単結晶窒化ガリウム基板７の主面は鏡面仕上げされており、窒化ガリウム基板７の主面は、窒化ガリウム基板７のエッジから３ミリメートル以内の第１の領域と、第１の領域に囲まれた第２の領域とを有する。基板１の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板のＣ軸との成すオフ角度は、第１の領域内の第１の点で最小値をとる。窒化ガリウム基板７の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板７のＣ軸との成すオフ角度は、主面の第２の領域にわたってゼロより大きい。 （もっと読む）

【課題】従来のアイデアル・カット・ダイヤモンドの明るさと輝きを、その大きさ(直径)は保持したまま、さらに明るく輝くダイヤモンドおよびダイヤモンド形状の宝飾品およびそのカット方法を提供する。
【解決手段】ガードル２と、ガードル２の上部にテーブル５を備えたクラウン３が形成され、ガードル２の下部にパビリオン４を形成するダイヤモンド１やダイヤモンド形状の宝飾品であって、キューレット角は９８．５度、パビリオン角は４０．７５度、上部クラウンの角度は、これはガードル２近辺のダイヤモンド１のチップ（割れ）に対する強度等も考慮して、１９．００度から２７．００度の間、とする。 （もっと読む）

【課題】表面における結晶軸のばらつきが少ないＧａＮ基板の製造方法、ＧａＮ基板及びこのＧａＮ基板を用いて作製した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１の製造方法は、ＧａＮ単結晶からなる基板１の表面を、基板１表面における結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきに基づいて凹型の球面状に加工する工程を有する。ＧａＮ基板１の表面を凹型の球面状に加工することで、加工後のＧａＮ基板１表面において、法線ｎ_０，ｎ_１に対する結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少する。また、結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきが減少したＧａＮ基板１を用いて半導体デバイスを製造することにより、一つのＧａＮ基板１から作製される複数の半導体デバイスのデバイス特性を均一にできるため、半導体デバイスを作製する際の歩留まりを高めることができる。 （もっと読む）