【課題】非極性面及び／又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第１３族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、Ｏ濃度よりもＳｉ濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第１３族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の２つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 （もっと読む）

【課題】微細な構造を有する窒化物半導体結晶を広い範囲にわたって的確かつ簡便に測定できる方法を提供する。
【解決手段】分光結晶による発散角が１０arcsec以下であり、単色性が４．０×１０^-4以下であるビームを窒化物半導体結晶表面に照射してその反射光強度を検出器の各ピクセルごとに検出するステップを、ビームの窒化物半導体結晶表面に対する入射角を変えながら、Ｘ線トポグラフ像の強度が０超になる開始角度から０以下になる終了角度までの間を少なくとも１０点以上について実施し、それによって得られた入射角と検出光強度の関係から各ピクセルごとのロッキングカーブを得て；窒化物半導体結晶を測定面内において１８０°回転させた後に同じ測定を繰り返し；得られた各ピクセルごとのロッキングカーブから、窒化物半導体結晶表面における結晶面の傾きのずれ（Δθ）と結晶面間隔の伸縮（Δｄ／ｄ）を分解して算出する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物支持基板およびＩＩＩ族窒化物薄膜が実質的に同一の化学組成を有していても、ＩＩＩ族窒化物支持基板上にＩＩＩ族窒化物薄膜が配置されているか否かを評価することができるＩＩＩ族窒化物複合基板およびその評価方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板１は、ＩＩＩ族窒化物薄膜２１の任意に特定されるａ軸２１ａと、ＩＩＩ族窒化物薄膜２１のａ軸２１ａに最も近いＩＩＩ族窒化物支持基板１０のａ軸１０ａとの間のずれ角Δφが０°より大きくかつ６０°より小さい、および、ＩＩＩ族窒化物薄膜２１のｃ軸２１ｃと、ＩＩＩ族窒化物支持基板１０のｃ軸１０ｃとの間のずれ角Δψが０°より大きくかつ９０°より小さい、の少なくとも一つのずれ角の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対して＜１１−２０＞方向または＜１−１００＞方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が０．１°以上１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する準備工程（Ｓ１０）と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる成膜工程（Ｓ２０）とを備える。成膜工程（Ｓ２０）では、オフ角方向においてベース基板の＜０００１＞方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に（０００１）ファセット面５を有する領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】基底面転位が高度に配向しているＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な３つの＜１１−２０＞方向に配向している１又は２以上の配向領域を有するＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、｛０００１｝面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を容易かつ精度良く取得する。
【解決手段】結晶化指数取得装置１では、微結晶シリコン膜の理論誘電関数を複数の部分誘電関数モデルの合成として表現し、微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数κが、複数の部分誘電関数モデルのうち、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルの振幅に基づいて設定される。そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ３により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。これにより、微結晶シリコン膜の結晶化指数κを容易かつ精度良く求めることができる。 （もっと読む）

【課題】主面上に良質な結晶を成長させることが可能なIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】Ｃ面以外の面を主面とするIII族窒化物半導体基板（１）であって、主面とＣ面の交線方向（ｘ方向）における主面のチルト角分布Ｗ１と、その交線に直交する方向（ｙ方向）における主面のチルト角分布Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）が１未満であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】イオン性結晶の表面エネルギーの大小を簡便に比較する方法、および、イオン性結晶の成長方向の評価方法を提供する。
【解決手段】一対の充分広い表面、並びに充分な厚さを備えるイオン性結晶について、その表面に現れるイオンには補正した電荷を、当該結晶の内部に位置するイオンには形式電荷をそれぞれ適用し、且つエワルド法を用いて当該一対の表面を有するイオン性結晶が備える構造のエネルギーを評価すればよい。このようにして最もエネルギーが低い表面を特定することにより、イオン性結晶の結晶成長方向が予測できる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させることなくウェーハの全数検査をすることが可能であり、且つ、ウェーハの平坦度に影響を及ぼすことなくウェーハ主面の傾斜方位を把握・管理することが可能である、シリコンウェーハの主面の傾斜方位の検出方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの主面に対し、ウェーハ中心位置を軸中心として該エピタキシャルウェーハを回転させながら、レーザー光が斜入射する条件でレーザー光を照射し、ウェーハ表面で散乱した光を捉える暗視野ウェーハ表面検査装置でＨａｚｅ Ｍａｐを作成し、Ｈａｚｅ Ｍａｐにおけるエピタキシャルウェーハの円周方向のＨａｚｅ値の変動からシリコンウェーハ主面の傾斜方位を求める。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を低減させ、かつ製造歩留まりを向上することができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と炭化物層１１の上部のIII族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層１２を得る工程とを含む。III族窒化物半導体層１２を成長させる工程は、炭化物層１１の上部にファセット構造を形成しながら、３次元成長により第一のIII族窒化物半導体層１２１を成長させる工程と、第一のIII族窒化物半導体層１２１上に２次元成長により第二のIII族窒化物半導体層１２２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物系結晶基板の製造の際に基板面内にオフ角のばらつきが存在していることを考慮した上で、III−Ｖ族窒化物系半導体エピタキシャル成長用に好適なIII−Ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法は、θ°のオフ角のついた基板を下地基板とし、下地基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の厚膜を成長させた後、III−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の厚膜を下地基板から剥離させ、低指数面から特定の方向に±β°のばらつきを持ってα°だけ傾いた表面を持つIII−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の自立基板を製造する方法であって、剥離後の自立基板の直径をＤ、自立基板裏面の反りの曲率をＲとしたとき、次式の関係を満たすようにIII−Ｖ族窒化物系半導体単結晶の厚膜を成長させる。
α±β ＝ ｎ・θ ± ｓｉｎ^−１（Ｄ／２Ｒ） （ｄｅｇ） ここで、ｎは、定数。 （もっと読む）

単結晶体の結晶方位を解析する工程と、前記単結晶体の選択された結晶方向と前記単結晶体の第１の主外面の面に沿う結晶方向の投影との間の方位差角を計算する工程とを有する、単結晶体の結晶方位を変化させる方法が開示される。前記方法は、前記第１の主外面の少なくとも一部から材料を除去して前記方位差角を変化させる工程をさらに有する。
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【課題】結晶中の転位の挙動に違いが出ることにより、転位の屈曲が起こらずＧａN層の表面まで貫通してしまうこと、及び、ピットが閉塞しないなど、ＧａN層表面の平坦化に影響が出ることに対し、ＡｌＧａN中間層なしで凹凸を形成すること。
【解決手段】半導体成長用基板と、該半導体成長用基板の主面上に形成された第１の窒化ガリウム層と、該第１の窒化ガリウム層上に形成された第２の窒化ガリウム層とを有するエピタキシャル基板において、上記第１の窒化ガリウム層のａ面またはｍ面が上記半導体成長用基板の主面に平行であって、上記第１の窒化ガリウム層と第２の窒化ガリウム層との界面は上記半導体成長用基板の主面に対して非平行であること。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線やそれ以外の手段による精密測定を行うことなく、フッ化物単結晶表面の（１１１）面からの方位のずれを十分簡易に把握することができるフッ化物結晶の熱処理方法を提供する。
【解決手段】多孔質部材７を備える基台６Ｃ上に、（１１１）面とのなす角度が−１５〜＋１５°である平滑面を有するフッ化物の単結晶１１を、平滑面と多孔質部材７とが対面接触するように載置した状態で、熱処理炉１０内において最高温度が１０００℃以上となるように単結晶１１に加熱処理を施すフッ化物結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【解決手段】単結晶ウエハ１の外周の角に面取り部１ａを設けている。この面取り部１ａと単結晶ウエハ１の主面１ｄとのなす角度ψが、容易破断面１ｅと主面１ｄとのなす角度θよりも小さくなるように加工されている。
【効果】面取り部１ａのカケ等の割れが容易破断面１ｅに沿って進む際、それが単結晶ウエハ１の外周に向かいやすくなるので、単結晶ウエハ１に大きなクラックが生じることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＶＰＥ法による窒化物系半導体のエピタキシャル成長速度を高める新たなエピタキシャル成長方法を提供する
【解決手段】ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 （もっと読む）

Ｔａ_２Ｏ_５含有層の形成方法を提供する。蒸着室内へ基板を配置する。ＴａＦ_５とＨ_２Ｏ及びＯ_３の少なくとも一方を含むガス状前駆物質を、基板上へＴａ_２Ｏ_５含有層を蒸着するのに有効な条件下で蒸着室内へ送り込む。基板を蒸着室内へ配置する。第一種物質を蒸着室内で基板上へ化学吸着してＴａＦ_５を含むガス状第一前駆物質から第一種物質単層を形成する。化学吸着された第一種物質をＨ_２Ｏ及びＯ_３の少なくとも一方を含むガス状第二前駆物質と接触させて第一種物質と反応させＴａ及Ｏを含む単層を形成する。化学吸着及び接触を、Ｔａ_２Ｏ_５を含む基板上へ材料塊を形成させるのに有効な条件下で連続反復する。
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ｃ軸が基板面に対して垂直に配向しているビスマス層状化合物が、組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが奇数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素であり、前記ビスマス層状化合物のＢｉが、前記組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３に対して、過剰に含有してあり、そのＢｉの過剰含有量が、Ｂｉ換算で、０＜Ｂｉ＜０．６×ｍモルの範囲である。
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