【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体１を酸処理し加熱して得られ、結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体１の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体１を合成する。前駆体１を３時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、Ｋ源及び／又はＮａ源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】形成される炭化シリコン層の結晶性を悪化させることなく、従来に比べて生産性を向上させることができる炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にシリコン酸化層２を形成し、シリコン基板１内にシリコン酸化層２を通して炭素イオンを注入することによりシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成し、シリコン基板１からシリコン酸化層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させ、シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成し、熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させて、ＳｉＣウエハ１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】固相エピタキシーを生じさせて前駆体部を単結晶化し単結晶構造体を得ることにより、微細構造体の形状を保持し均一に単結晶化してペロブスカイト型酸化物単結晶構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子単結晶基板の表面に所定のペロブスカイト型酸化物と同じ金属成分を含む被覆層を形成する工程Ｓ１と、微細構造化したペロブスカイト型酸化物の前駆体を被覆層の表面に密着させた接合体を形成する工程Ｓ２と、接合体を熱処理することにより固相エピタキシーを生じさせて前駆体を単結晶化する工程Ｓ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ペロブスカイト型酸化物の前駆体と種子単結晶との複合体を熱処理により前駆体に固相エピタキシーを生じさせて単結晶化することにより、所望の組成のペロブスカイト型酸化物単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程Ｓ２と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程Ｓ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】幅が微細なパターンで、かつ、アスペクト比の高い柱状の形状を有する微細酸化物構造体を精密に形成することができる微細酸化物構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状の孔が形成された鋳型を用意する工程Ｓ１と、酸化物粒子を界面活性剤で被覆する工程Ｓ２と、界面活性剤で被覆した酸化物粒子を液中に分散させる工程Ｓ３と、液中に鋳型を配置する工程Ｓ４と、液中の界面活性剤で被覆した酸化物粒子を鋳型中に沈降固化させる工程Ｓ５と、鋳型を取り除く工程Ｓ６と、鋳型を除去した酸化物粒子を焼成する工程Ｓ７とを具備する。 （もっと読む）

【課題】原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。
【解決手段】単結晶の原炭化珪素基板１０上に、９０ａｔｍ％以上のＳｉ原子からなるシリコン供給部３０を形成するシリコン供給部形成工程と、Ｓｉ原子を１０ａｔｍ％以下とし、熱分解してＣ原子を供給可能な炭素供給部４０を形成する炭素供給部形成工程と、シリコン供給部３０および炭素供給部４０が形成された原炭化珪素基板１０を１８００℃以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理後において、原炭化珪素基板１０に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層５０を残して、低転移欠陥炭化珪素層５０上の熱処理生成物６０を除去する熱処理生成物除去工程とを有してなる半導体基板１００の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】異常粒成長現象が発生する多結晶体における単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】異常粒成長が起こる多結晶体のマトリックス粒子の平均粒径を調節し、これにより異常粒子の個数密度を減少させ、極めて制限された個数の異常粒子だけを生成するか、または、異常粒子の生成を異常粒成長の駆動力の保障範囲内に抑える。この結果、極めて制限された個数の異常粒子だけ、または種単結晶だけを多結晶体中へと成長させ続け、５０ｍｍより大きい単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】従来にない極めて高品質で大面積の単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給してＳｉＣ単結晶９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する工程を含み、原料供給管６先端の内径がＳｉＣ種結晶４の結晶径の８０％以上となるように加工されている単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム単結晶を種結晶上に成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法で、窒化アルミニウム単結晶の製造を絶え間なく連続的に行うことを可能とする方法を提供する。
【解決手段】種結晶３として、炭化珪素、サファイア、又は、窒化アルミニウム等からなるウルツ鉱型の結晶構造を有する単結晶を用い、種結晶３上に窒化アルミニウム単結晶を成長させてなる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、窒素を含む雰囲気中に加熱状態で保持されている種結晶３表面に向けて、アルミニウム原子を含有する化合物超微粒子と炭素含有超微粒子、及び又は、炭素原子と窒素原子を含有する化合物超微粒子を供給し、種結晶３表面、及び又は、近傍において、還元窒化させ、窒化アルミニウム単結晶を種結晶３上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに安定して連続成長させる単結晶ＳｉＣ製造方法、及び、その方法で得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】高温加熱保持することができる坩堝内にＳｉＣ単結晶を成長させるためのＳｉＣ種結晶３及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管を配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスと共に原料供給管を通してＳｉＣ種結晶上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、配置工程において、ＳｉＣ種結晶をＳｉＣ種結晶に応力がかからないように保持手段１、２により原料供給管の末端近傍に配置し、かつ、成長工程において、単結晶ＳｉＣ製造用原料としてＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子の原料３成分を供給する単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来にない極めて高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその製造装置並びにその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４’が固定されたサセプタ５’及び不活性ガス供給管６’を坩堝２’内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２’内に単結晶ＳｉＣ製造用原料７’を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４’上に供給して単結晶ＳｉＣ８’を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料７’がＳｉＣ粒子である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ドメインの混在のない高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、成長工程において、ＳｉＯ₂粒子と、カーボン（Ｃ）粒子と、少なくとも１つの特定粒子とを供給し、特定粒子は、融点及び／又は昇華点が９００℃以上２，４００℃以下である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化珪素の製造に適したカーボン及びシリカの一次粒子を含むスラリ、球状二次粒子、及び単結晶炭化珪素の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン及びシリカを分散媒に添加して混合物とする混合工程、及び、得られた混合物を湿式ジェットミル処理する分散工程を含むカーボン・シリカ含有スラリの製造方法、引き続いて、得られたスラリを噴霧乾燥する噴霧工程を含むカーボン・シリカ含有略球状二次粒子の製造方法、引き続いて、高温雰囲気とした坩堝３２内に原料供給管３６、３６’を通して二次粒子を種結晶３４表面上に供給する結晶成長工程を含む単結晶炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子を利用する、単結晶ダイヤモンドを合成するためのHPHT法に関する。アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子及び上記方法で得られる合成単結晶ダイヤモンドについても述べる。成長表面は、該成長表面の平面内の＜100＞又は＜110＞方向に沿って実質的に整列している。 （もっと読む）

【課題】安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良された単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ９製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ９製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる工程を含み、単結晶ＳｉＣ９製造用原料が、ＳｉＯ粒子及びカーボン粒子である単結晶ＳｉＣ９の製造方法、及びこの製造方法により得られる単結晶ＳｉＣ９。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ種単結晶上に目詰まりすることなく良好に輸送可能な単結晶ＳｉＣ製造用原料と、その製造方法を提供し、また、その原料を用いて高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる方法、及び、その結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】シリカとカーボンの各１次粒子から実質的になる２次粒子であって、２次粒子形状が直径１〜９０μｍの略球形である単結晶ＳｉＣ製造用原料、並びに、シリカ粒子、カーボン粒子及び溶媒からなるスラリを製造する工程、及び、蒸発装置内でスラリを噴霧乾燥造粒させてシリカとカーボンを含有する２次粒子を製造するスプレードライ工程を含む、単結晶ＳｉＣ製造用原料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成長速度が速く、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣの製造方法及び製造方法に好適に使用可能な製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種単結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、加熱保持されたＳｉＣ種単結晶４に、原料供給管６を通して単結晶ＳｉＣ製造用原料を外部から供給する工程、及び、ＳｉＣ種単結晶４上に単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、坩堝２が鉛直方向上部に開口部を有する単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＳｉＣの混入を防止した高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる単結晶ＳｉＣの製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣ、さらに、多結晶ＳｉＣの混入を防止し、高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させることができる単結晶ＳｉＣの製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種単結晶４が固定されたサセプタ５及び外部から単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を、坩堝２の中に配置する工程、高温雰囲気とした坩堝２内に、単結晶ＳｉＣ製造用原料を原料供給管６を通してキャリアガスＡと共に供給して、単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料供給管６とＳｉＣ種単結晶４との距離をＬ（ｍｍ）、キャリアガスＡの線速をＳ（ｍｍ／ｓｅｃ）としたとき、Ｌ／Ｓ（ｓｅｃ）≦３を満たす単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）