【課題】結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、製品（蛍石結晶）の透過率を高めることができる、新たな蛍石結晶の製造方法を提案する。
【解決手段】フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ａを得、得られた溶融凝固体Ａの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ｂを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Ｂの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ３０であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部３２と、結晶成長部３２とネック部３８を介して連通して設けられた種子結晶４０の収納部３４とを備え、ネック部２８は、種子結晶４０の収納部３４よりも細く形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程及び設備によって、単一分極化された高品質なニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法により単一分極化されたニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成炉１０の内部空間１１ａにルツボ２２を配置し、ルツボ２２内に、ニオブ酸リチウムの単一分極化済みの種結晶ａ、及び原料ｂを収容し、育成炉１０の温度制御により、育成炉１０内にニオブ酸リチウムの融点以上となる高温部と該高温部よりも下方へ向かって徐々に温度が低くなり前記融点以下となる温度勾配部を形成し、前記高温部から前記温度勾配部へ向かってルツボ２２を所定の速度で下降することで、原料ｂに対しルツボ外から電界を加えることなく、原料ｂを単結晶化するとともに単一分極化するようにした。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア濃度を有し、かつ、高い結晶性を有するＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】種結晶１０、不純物となるＳｉ原料１２およびＧａＡｓ原料１４、固体の二酸化ケイ素（石英板）、ならびに酸化ホウ素原料１８をるつぼ４内に収容した状態で縦型ボート法を行い、ＧａＡｓ単結晶２０を成長させる。成長前の加熱により石英板が融解し、原料溶融時点では既にＧａＡｓ融液１５と液体Ｂ２Ｏ３１９との界面近傍に、極めてＳｉＯ２濃度の高い層（ＳｉＯ２高濃度層１７）が形成されるため、原料融解時から結晶成長時にわたって、ホウ素濃度を低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置で、簡便な方法で結晶に欠陥のない高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶3を成長させるルツボ1の下部を、支持して引き下げを行うための支持構造20が、ルツボの底面の外周部分に接する円筒状の支持管21と、支持管がルツボを設置する設置部の反対側の端部に底部を有し、底部に結合して支持管とルツボを支持して引き下げを行う支持部材と、支持管内部を遮蔽する遮蔽部材23とを有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成することを可能にする。
【解決手段】 るつぼ１０のテーパ収納部１１ｂのテーパ面に接する面が、テーパ面と同一の傾斜角度を有するテーパ面に形成された接触面を備える種結晶２０を使用し、るつぼ１０に種結晶２０を配置する際に、テーパ収納部１１ｂのテーパ面に種結晶２０の接触面を接触させて配置し、結晶原料を溶融した際に、融液がテーパ収納部１１ｂと種結晶２０との界面に流れ込むことを抑制して種結晶２０から単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】転位を低減した半導体結晶を製造する、半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶の製造方法は、先端部６ａと胴部６ｂとを有する縦型容器の先端部６ａに種結晶７を配置する工程と、縦型容器の胴部６ｂに固体の原料９、１０を配置する。原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程と、原料融液を種結晶７側から凝固することにより、半導体結晶を成長する工程とを備え、原料融液を形成する工程では、種結晶７と接触する原料融液の温度と、原料９、１０と対向する側の種結晶７の端部８の温度との差を３０℃以下にする。半導体結晶の製造方法は、種結晶７の少なくとも一部を溶融する工程後に、原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程を備えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＲ（ＲはＳｃ及びＹを含む希土類元素から選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＸ（ＸはＳｃ及びＹを除く遷移金属、Ａｌ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】被加熱物を効率良く均等に加熱することができる新規な構造の発熱体及びこれを用いた結晶成長装置並びに気相成長装置を提供する。
【解決手段】発熱体１は、板状又は円筒状の抵抗体２にスリット３を切って発熱領域４を形成してなり、スリット３を、抵抗体２の表面に対し、斜め方向に穿っているものである。つまり、発熱体１は、板状又は筒状の抵抗体２と、抵抗体２の厚さ方向に貫通するように形成されたスリット３とを有し、スリット３が、厚さ方向に直交する抵抗体表面から、厚さ方向に対し傾斜又は屈曲して形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】転位を低減した結晶を成長できる、結晶成長容器および結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器は、原料を加熱溶融した後、溶融した原料を一方向から凝固させることにより結晶を製造する結晶成長容器であって、先端部１１と、胴部１２とを備える。先端部１１は、種結晶９を配置する。胴部１２は、先端部１１と接続され、かつ先端部１１の径よりも大きな径を有するとともに、内部で原料８を加熱溶融する。先端部１１の底面１１ａの厚みＴ１１ａは、先端部１１の側面１１ｂの厚みＴ１１ｂよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】単位面積あたりのエッチピット密度（ＥＰＤ）で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にＳｉドーパントを挟み込んで、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂとした。当該Ｓｉドーパントを挟み込む位置は、当該ＧａＡｓ化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂ、液体封止剤３２をるつぼに投入し、単結晶成長装置１にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット３３を得る。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＩｎＰ単結晶１は、小径部１０と、円錐部２０と、直胴部３０とを備えている。直胴部３０は、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３以下である低キャリア濃度部３１と、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３を超える高キャリア濃度部３２とを含んでいる。そして、低キャリア濃度部３１の成長方向に垂直な断面において、当該低キャリア濃度部３１は、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が１０００ｃｍ^−２以上である高転位密度領域３１Ｂと、高転位密度領域３１Ｂに取り囲まれるように形成され、平均転位密度が５００ｃｍ^−２以下の低転位密度領域３１Ａとを有している。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶３を成長させるルツボ１の下部を、支持して引き下げを行うための支持部材１０と、下方に向かって先細りする傾斜部を備え、傾斜部の下方部が支持部材１０に取り付けられ、かつ上方部がルツボ１の底面に取り付けられている傾斜部材２０から構成し、結晶３の中央部が上に凸となるように、ルツボ１の底面の温度分布を最適化する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位のずれに起因する結晶欠陥の発生を防止することができるサファイア単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶の製造装置１は、支持部材３によって支持されたルツボ２０内に種子結晶および原料を収納し、育成炉１０内の筒状ヒーター１４内に該ルツボ２０を配置して筒状ヒーター１４により加熱して原料および種子結晶の一部を融解して結晶化させるサファイア単結晶の製造装置において、カップ状をなす前記ルツボ２０における所定の外周位置を円環状に冷却する冷却手段を備える。前記冷却手段はルツボ２０の突周部２１と当該突周部２１に対して円環状に面接触して当該ルツボ２０を支持する支持部材３とを備えて構成され、ルツボ２０の下面と支持部３とは離間するように配設される。この構成により、突周部２１から支持部材３へ熱が移動し、ルツボ２０における所定の外周位置を円環状に冷却する。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 （もっと読む）

【課題】大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３０ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満でありかつ比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が５０ｃｍ^-2未満であって硫黄濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって錫濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）