【課題】窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に触媒金属層を形成する工程と、前記触媒金属層が形成された基板を反応チャンバ内に装着する工程と、前記反応チャンバ内にＨ_２Ｏプラズマの雰囲気を形成する工程と、前記反応チャンバ内に炭素前駆体及び窒素前駆体を供給して、前記Ｈ_２Ｏプラズマの雰囲気下で前記炭素前駆体及び前記窒素前駆体を化学反応させることによって、前記触媒金属層上に窒素ドーピングされたカーボンナノチューブを成長させる工程とを含む、窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数の突起部を有する基板を準備する段階と、（ｉｉ）前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、（ｉｉｉ）前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの成長に用いる装置を提供する。
【解決手段】 円筒状の基材を収納するための反応室と、反応室に隣接して設置され、前記基材を円筒状に曲げるための選択的な曲げ部材と、を備える。本発明は、さらに反応室内に位置されカーボンナノチューブを成長させる基材構造を提供し、基材構造は円筒状の基材を備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの合成装置及び方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブの合成装置は、カーボンナノチューブの生成空間を提供する反応炉と、前記反応炉を加熱する加熱部と、工程時に前記反応炉の生成空間に位置し、合成基板が置かれるボートと、前記反応炉の生成空間にソースガスを供給するノズルユニットとを有するガス供給部を備え、前記ノズルユニットは、互いに異なる高さからソースガスを供給する噴射部を備える。本発明に係るカーボンナノチューブの合成装置及び方法は、カーボンナノチューブ合成時に用いられるソースガスの均一な供給、ソースガスの効率的な排気、カーボンナノチューブの回収率の増加を図って、大量のカーボンナノチューブを効果的に合成させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びこれを利用した電界放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）基板を準備する段階、（ｉｉ）基板上にカーボンナノチューブの成長を促進させる触媒金属層を形成する段階と、（ｉｉｉ）基板の触媒金属層上に触媒金属層の活性を低下させる非活性化層を形成する段階と、（ｉｖ）非活性化層で覆われていない領域の触媒金属層の表面からカーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法及びこれを利用した電界放出素子の製造方法である。これにより、電界放出素子のエミッタとして適した密度を有するカーボンナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

メソ多孔質炭素材料を用いた、流体試料からの粒子の除去に関連する製品、システムおよび方法が提供される。
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【課題】炭素ナノチューブを効率的に生成するシステムと方法を提供する。
【解決手段】合成基板の上に炭素ナノチューブを生成する工程が行われる反応チャンバと、反応チャンバの一方に位置するステーション部と、ステーション部の内部に設置された、反応チャンバに／から合成基板をロード／アンロードする第１移送装置及び反応チャンバにロードされる前の合成基板が格納され、かつ反応チャンバからアンロードされた後の合成基板が待機する基板保管部と、基板保管部から合成基板を引き出して合成基板に生成された炭素ナノチューブを回収する回収部と、回収部で炭素ナノチューブを回収した合成基板の表面に触媒を塗布する触媒塗布部と、回収部と基板保管部の間、及び触媒塗布部と基板保管部の間における合成基板の移送を担当する第２移送装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】輝度バラツキと劣化速度を減少させることのできる、均一な高さの電子放出素子と、この電子放出素子を用いて、電子放出効率が良く、高画質、高解像度で耐久性のある電界放出型ディスプレイを提供する。
【解決手段】好ましくは平均直径１〜１０ｎｍの微細孔を表面上に有し、その微細孔に触媒を担持した母微小体（Ａ）と、母微小体（Ａ）上の触媒から成長した繊維状炭素材料（Ｂ）とから構成されてなる電子放出素子用の微小体（Ｃ）。また、この微小体（Ｃ）の層を、好ましくは単層に、電子放出電極上に形成した電子放出素子。さらに、この微小体（Ｃ）を含有するインク組成物、並びにこの電子放出素子を具備した画像表示装置。 （もっと読む）

選択したカーバイドを１つまたは２つ以上のハロゲンと反応させ炭素を含む組成物を生産し、ハロゲンを除去できる種と反応したカーバイドを接触させることにより、高比表面積ナノ多孔質炭素を合成するための方法が提供される。細孔を有する炭素組成物からハロゲン不純物を除去するための方法、および細孔を有する炭素組成物の表面終端を修飾するための方法もまた提供される。
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【課題】共有結合したフラーレン‐ＣＮＴ構造体、及びそれを製造するための方法及び装置を提供すること。
【解決手段】上記課題は、カーボンナノチューブに共有結合した１種又は複数種のフラーレン及び／又はフラーレン系分子を含むことを特徴とする、フラーレン官能基化カーボンナノチューブにより解決される。前記１種又は複数種のフラーレン及び／又はフラーレン系分子は、カーボンナノチューブの外面及び／又は内面に共有結合することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】触媒金属が消耗されても触媒金属を成膜する工程を省略可能として製造コストや製造時間の短縮化を可能にすること。
【解決手段】本カーボンファイバの製造方法は、触媒基板４を熱ＣＶＤ装置６にセットするセットステップと、熱ＣＶＤ装置６にセットした触媒基板４上にカーボンファイバ２８を成長させる成膜ステップと、触媒基板４からカーボンファイバ２８を剥離回収する回収ステップとを含み、上記触媒基板４として、例えば非触媒金属からなる表面層４ａと触媒金属からなる内部層４ｂとを備えた基板を用いることにより、触媒膜の新規成膜を実施することなく多数の製造サイクルを実施可能とした。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ、特に、シリコンウェハなどの平坦基板上で単層カーボンナノチューブを直接成長させ、続いて、ナノチューブを重合体フィルムの表面に移行する、またはカーボンナノチューブを平坦基板から別に収集する方法。カーボンナノチューブの形成方法であって、移動可能な支持機構上に平坦基板を配置するステップと、平坦基板に触媒前駆体溶液を適用して触媒平坦基板を形成するステップと、反応器内に触媒平坦基板を配置するステップと、触媒平坦基板上にカーボンナノチューブを生成する条件下で、加熱した炭素含有ガスまたはガス化した液体に触媒平坦基板を曝し、カーボンナノチューブを有する触媒平坦基板を形成するステップとを包含する、方法。
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【解決手段】新規なプロセスにおいて、金属酸化物は、２０％の水素ガスを含む反応器の中で５℃／分の加熱速度で４５０℃まで加熱され、その温度で３０分間保持され、１０〜２０％のＣＯに更に３０分間曝された後、室温まで冷却される。得られた触媒を用いて、５５０〜６００℃で、カーボンファイバーが合成される。追加の実施例において、製造された触媒は、反応器から取り出され、新バッチの金属酸化物が反応器に入れられ、連続的な製造プロセスが行われる。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバの成長密度等の制御を触媒物の配置制御により可能とすること。
【解決手段】カーボンを含むガスに作用してカーボンファイバの成長を促進する触媒微粒子５ａを含む触媒物が多数配置され、これら触媒物の配置間に、触媒微粒子５ａの前記作用を阻害する阻害物７がカーボンファイバ束内でのカーボンファイバ９の成長密度を制御することができるチップ状に分散して配置されている構造。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバの成長密度を各種用途の使用形態に合わせて制御することを可能にする。
【解決手段】カーボンを含むガスに接触してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子５ａが配置され、触媒微粒子５ａの配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物１１がブロック状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 基材上に制御された構造を有するグラファイトナノファイバを製造する方法の提供。
【解決手段】 少なくとも表層が(００１)、(１１１)、(１１０)、(２１１)、(３１０)の結晶方位を有するＦｅを含有する金属触媒層からなる基材を使用して、炭素原子含有ガスを用いる化学気相成長法により基材表面にグラファイトナノファイバを成長させる。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒ナノ粒子を、シリコン元素を含有する分子物質の表面改質剤、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシランで表面改質処理して、表面処理された触媒ナノ粒子上に表面処理により直径が制御されるように炭素ナノチューブを成長させる。炭素ナノチューブは、表面改質剤の分解により触媒ナノ粒子の表面に堆積されるシリコン酸化物系の堆積物による表面立体安定化によって直径が制御されて成長されうる。 （もっと読む）

【課題】 外場を加えることなく、基板に対し水平方向であってかつ所定の方向にナノチューブを成長させる方法を提供し、さらにこの方法を利用した配線形成方法及び配線を提供することにある。
【解決手段】 基板上に触媒源を設け、化学気相成長法により触媒源からカーボンナノチューブをを基板の表面の原子配列の方位に沿って成長させる。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造体の生成方法及び装置を提供する。
【解決手段】ナノ構造体の生成方法は、ナノ構造体を生成するためにナノ構造体の成分を含むガスを一つ以上の中空陰極反応装置に通す段階と、ナノ構造体を収集し、次いで副産物を、酸化ガスと一緒に一つ以上の中空陰極反応装置に通して排気ガスから除去する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気化学的に電気容量を蓄積することが可能な活物質の表面にカーボンナノファイバを効率的に成長させる複合活物質の製造法を提供する。
【解決手段】活物質の表面に、カーボンナノファイバの成長を促進する触媒元素を担持させ、原料ガスを用いて、活物質の表面に結合したカーボンナノファイバを成長させる、複合活物質の製造法において、活物質は酸化物を含み、原料ガスは炭素含有ガス、または、炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスからなり、炭素含有ガスは、一酸化炭素、Ｃ_ｎＨ_２ｎ+２（ｎ≧１）で表される飽和炭化水素ガス、Ｃ_ｎＨ_２ｎ（ｎ≧２）で表される不飽和炭化水素ガス、およびＣ_ｎＨ_２ｎ-２（ｎ≧２）で表される不飽和炭化水素ガスよりなる群から選択される少なくとも１種であり、混合ガスに占める水素ガスの含有量は５体積％未満である。 （もっと読む）