【課題】水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なＳｉＣ基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】スクラッチが除去されてステップテラス構造が出現する程度に単結晶ＳｉＣ表面を平坦化加工することが可能な触媒基準エッチング（ＣＡＲＥ）法による精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で８００〜１１００℃、１〜１０分間熱処理してＳｉＣ表面にグラフェンを形成するアニール工程と、からなるグラフェン成膜方法とし、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は２層に制御する。 （もっと読む）

【課題】アルミ電解炉におけるエネルギー効率を改善するために、電気比抵抗が低く、熱伝導性の高いアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。アルミニウム溶湯との濡れ性も改善され、且つ電解浴による電気化学的侵食の速度を低下させて長寿命を達成できるアルミニウム精錬用カソードカーボンブロックおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
混合工程では、炭化原料６４〜９７％と炭化チタン３〜３６％の混合比率で混合する。このとき、粒子径１ｍｍ以下の原料組成において炭化チタン比率を５〜１００％とする。捏合・成形工程では、混合工程を経た混合物に有機バインダーを加え捏合し、成形する。焼成工程では、成形体を焼成する。黒鉛化処理工程では、焼成工程を経て焼成された焼成体を２４００〜３０００℃で黒鉛化処理する。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体比率を任意に制御してなる単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブまたはカーボンファイバーからなる炭素材料、及びその炭素材料を用いた識別マークを提供する。
【解決手段】単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブまたはカーボンファイバーからなる炭素材料であって、該炭素材料が¹²Ｃ及び¹³Ｃの同位体比率を人為的に制御した炭素を含む気体を原料として合成してなる炭素同位体比率が制御された単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブまたはカーボンファイバーからなることを特徴とする炭素材料、及びその炭素材料を用いた識別マーク。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】凝集が少なく分散性が向上したナノカーボン材料製造装置及びナノカーボン材料精製方法を提供する。
【解決手段】流動層反応器により触媒付きナノカーボン材料を製造するナノカーボン材料製造部１５と、得られた触媒付きナノカーボン材料を酸溶液１６に分散してなり、触媒を酸溶液１６により溶解分離する酸処理装置１７と、前記酸処理したナノカーボン材料１８を水洗する水洗装置１９と、水洗したナノカーボン材料１８を濾過装置２３で濾過した後に、乾燥する乾燥装置２４と、乾燥したナノカーボン材料を微粉砕して精製ナノカーボン材料２６とする微粉砕装置２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ表面上に低温でグラフェンを形成することができるグラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置を提供する。
【解決手段】表層にＳｉＣを有する基板１２を真空槽１１に入れ、真空槽１１を真空排気する真空排気工程と、基板１２を所定の温度に加熱する加熱工程と、真空槽１１内に酸素ガスを導入する酸素導入工程と、真空槽１１内の酸素の分圧を１×１０^−４Ｐａから１×１０^−６Ｐａの範囲の一定の圧力に制御した状態で所定時間保持する反応工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より配向性および直線性のよいカーボンナノチューブの製造方法，カーボンナノチューブ製造用の単結晶基板，およびカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】基板を用意し（Ｓ１０）、この基板の表面に鏡面加工処理を施し（Ｓ２０）、さらに基板の表面にエッチング処理を施す（Ｓ３０）。これによって、単結晶石英基板を切断・研磨する際に表面に生じた加工層を除去することができる。このため、この単結晶石英基板を用いれば、アニール処理、触媒金属の配置、炭素原料ガスの供給という一連の処理（Ｓ４０〜Ｓ６０）によって基板上にカーボンナノチューブを形成する際に、基板に形成された加工層の存在に由来する結晶の格子配列の歪みによって、基板上に形成されるカーボンナノチューブにも歪みが生じてしまうのを抑制することができる。したがって、結晶が本来もつ格子配列に沿って配向性および直線性のよいカーボンナノチューブを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】金属内包ナノカーボンチューブ材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノ材料は、金属又は金属を含む化合物からなる粒子を内包させたフラーレンナノファイバー由来の材料であり、カーボンナノチューブ、カーボンナノカプセル及びカップスタック型カーボンナノチューブの何れかである。金属を内包したカーボンナノ材料の製造方法は、（Ａ）フラーレン分子を第１溶媒に溶解した第１の溶液を調製する工程と、（Ｂ）第１溶媒よりもフラーレン分子の溶解能の低い第２溶媒に金属を含む塩を添加した第２の溶液を調製する工程と、（Ｃ）第１の溶液に第２の溶液を添加し、第１の溶液と第２の溶液との間に液−液界面を形成させる工程と、（Ｄ）この溶液中に金属を内包したフラーレン細線を析出させる工程と、（Ｅ）金属を内包したフラーレン細線を所定の温度で熱処理して、金属を内包したカーボンナノ材料を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

連動する熱化学反応装置およびエンジンならびに関連するシステムおよび方法。特定の一実施形態によるシステムは、反応領域を有する反応容器と、この反応領域と流体連通状態で接続する水素供与体供給源と、燃焼領域を有するエンジンとを含む。このシステムは、燃焼領域と反応領域との間を接続して反応領域に反応物および／または放射エネルギーを移送する移送流路をさらに含むことができる。このシステムは、反応領域とエンジンの燃焼領域との間を接続して反応領域から取り除かれた成分の少なくとも一部を燃焼領域に送出する生成物流路をさらに含むことができる。
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【課題】超音波噴霧法を用いて、糸条形成能を有する集合体を確実に形成できるカーボンナノチューブから成る集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブから成る集合体の製造方法は、炭素源としての炭化水素化合物と触媒含有化合物とが溶解された炭化水素溶液に超音波を照射して発生した炭化水素溶液の噴霧体を、キャリアガスに同伴して所定温度に加熱されている縦型反応器２２の一端側に導入して直径の平均が３０ｎｍ以下のカーボンナノチューブを生成し、前記カーボンナノチューブを、縦型反応器２２の一端側から他端側の方向に流れるキャリアガスに同伴して移動させ、集合させることにより糸条形成能を有する集合体４０に成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

【課題】作製したグラフェン薄膜の電気抵抗が増大せず、高い伝導率が確保されるとともに、３００℃以下程度の低温プロセスでも作製可能な、グラフェン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化グラフェン粉末を液体中に分散させた分散液を基板２０に塗布し、液体を除去して、酸化グラフェン薄膜１０を基板２０上に形成し、この酸化グラフェン薄膜１０の上に金属２１を接触させて、金属２１を加熱溶融することによって、酸化グラフェン薄膜２１を還元し、グラフェン薄膜を得る。ここで、酸化グラフェンは、酸化グラファイトを単層に剥離することによって得られることが好ましい。また、金属２１がＧａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、基板（８２）上の半導体性の修飾されたグラフェン層（８３）を含む修飾された構造（８０１）を製造する方法に関し、
− 少なくとも１つの基板（８１）を含む初期構造体（８００）の供給、
− 前記基板上のグラフェン層（８２）の形成、
− 原子状水素（８５）の照射による初期構造体（８００）の水素化のステップを含み、
前記グラフェンの水前記素化ステップは、１００から４０００Ｌａｎｇｍｕｉｒｓの間の照射量で行われ、修飾されたグラフェン層を形成することに特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】エチレン系の炭化水素と水素を原料として、鉄もしくはニッケルからなる金属または鉄もしくは鉄とニッケルの合金を含有する触媒を用いて、炭素ナノ繊維を製造可能とすること、および原料ガスを低価格とするため、原料ガス中に二酸化炭素を含むプロセス排ガスを原料とする炭素ナノ繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭素ナノ繊維の製造方法は、ＦｅもしくはＮｉからなる金属またはＦｅもしくはFeとＮｉの合金を含有する触媒を用い、炭化水素および水素を含有する原料ガスに二酸化炭素を含有した混合ガスを供給して所定の反応温度で反応させることによって炭素ナノ繊維を生成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易にカーボン材を形成できる、カーボン材の形成方法およびカーボン材形成用の触媒材料を提供する。
【解決手段】触媒となる物質を有する触媒材料１２に、炭素を含む原料を接触させ、繊維状または管状のカーボン材２１を形成するカーボン材の形成方法であって、前記触媒材料１２は、触媒となる第１の物質１４と、該第１の物質１４とは異なる物質で構成される第２の物質１５とを含む混合物を有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂等との複合化に於ける分散性、混練性や加工性に優れ、また導電性、補強等の機能発現に優れる微細な中空炭素繊維を提供する。
【解決手段】外径６〜２０ｎｍ、アスペクト比２〜３０のペンシル状構造単位集合体が互いに黒鉛基底面を介して連結した外径６〜２０ｎｍ、アスペクト比１０〜２００の微細な中空炭素繊維であり、該微細な中空炭素繊維に加えられたずり応力に対し、隣接する構造単位集合体の黒鉛基底面間で滑りを生じ得る連結構造を繊維中に少なくとも１個内包することを特徴とする微細な中空炭素繊維。 （もっと読む）

【課題】凝集体の状態の微細な炭素繊維を化学処理等を行うことなく直接固体粒子に被覆する方法、および該方法により製造された微細な炭素繊維で覆われた粒子を提供することを目的とする。
【解決手段】微細な炭素繊維の凝集体と、大きさが０．０１μｍ以上、１００μｍ未満の担体粒子とを剪断力を加えて混練することにより、微細な炭素繊維で覆われた粒子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】一酸化炭素を主たる炭素源とした気相成長法による微細な炭素繊維の製造において、残留金属成分が少なく効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムが置換固溶したコバルトのスピネル型酸化物を含む触媒に、ＣＯ及びＨ_２を含む混合ガスを供給して反応させ、微細な炭素繊維を成長させるにあたり、内表面がＢｏｕｄｏｕａｒｄ平衡に基づく炭素析出反応に触媒活性を有する成分を含まない材料で構成された、攪拌流動式反応装置を使用することを特徴とする微細な炭素繊維の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な炭素繊維とポリマー等との混練複合において、特殊な表面処理や混合手法を用いなくても、混練性、分散性、開繊性に優れる微細な炭素繊維の毬藻状凝集体およびその効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長法により製造される微細な炭素繊維の塊状凝集体に衝撃力を加えて解砕することにより、直径が１〜１５０μm、嵩密度が０．０５〜０．１５ｇ/ｍｌであり、前記微細な炭素繊維は、該炭素繊維を構成する構造単位集合体が互いに黒鉛基底面を介して接合する構造を少なくとも１つ有することを特徴とする、微細な炭素繊維の毬藻状凝集体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】金属不純物が少なく高純度で、ポリマーや粉体とのコンポジット化における分散性や混練性を改善し、コンポジットの加工性に優れ、またコンポジットの導電性、熱伝導性、摺動性、補強等の機能発現に優れる微細な炭素繊維及び微細な炭素短繊維を提供する。
【解決手段】炭素原子のみから構成されるグラファイト網面が、閉じた頭頂部と、下部が開いた胴部とを有する釣鐘状構造単位を形成し、前記胴部の母線と繊維軸とのなす角θが１５°より小さく、前記釣鐘状構造単位が、中心軸を共有して２〜３０個積み重なって集合体を形成し、前記集合体が、Ｈｅａｄ−ｔｏ−Ｔａｉｌ様式で連結することによって構成され、気相成長法によって製造される含有灰分量が少ない微細な炭素繊維及び微細な炭素短繊維であって、動的光散乱法によって測定される粒子径換算の繊維の代表長さに特徴を有する微細な炭素繊維及び微細な炭素短繊維。 （もっと読む）