【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極１２０表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面１２２上に絶縁層１３０を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール１３２を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ１４０を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。 （もっと読む）

【課題】フィラーとして他の材料に複合化するか又はそれ単体を成形した際に、高強度の材料とすることができ、さらに、導電性フィラーとして用いる場合に、屈曲による電気抵抗の増大を防ぐことができるカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】フィラーとして他の材料に複合化するか又はそれ単体を成形するためのカーボンナノチューブであって、カーボンナノチューブは、多層型であり、３ｗｔ％以上のホウ素がドープされている。 （もっと読む）

【課題】簡単に垂直配向したカーボンナノチューブを製造することができるカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を得る。
【解決手段】ＣＶＤ装置１０は電気炉１２を備えており、電気炉１２内には石英管１４が通されており、この石英管１４の周囲にはヒータ１６、熱電対１８が設けられている。石英管１４の一方には、ガス供給部２２が接続されており、石英管１４の他方には圧力調整バルブ２３及び排気部２４が接続されている。ガス供給部２２、圧力調整バルブ２３及び排気部２４は制御部２０によって制御される。排気部２４により石英管１４内を真空排気し、ヒータ１６により石英管１４内を触媒２６が昇華する温度に昇温させてから、ガス供給部２２によりアセチレンガス３０を石英管１４に流入させる。これにより触媒２６とアセチレンガス３０とが気相反応し石英基板２８上にカーボンナノチューブが垂直配向する。 （もっと読む）

【課題】支持基板としてシリコンカーバイド基板を用いることなくウェハサイズのグラフェンを有するグラフェン基板を提供すること及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板３０を熱処理することによってＳｉＣ基板３０の表面にグラフェン３１を形成し、そのグラフェン３１上にアモルファスシリコン２０を形成する。このアモルファスシリコン２０を介してＳｉＣ基板３０にＳｉ基板１０を貼り合わせる。そして、この貼り合わされたＳｉＣ基板３０とＳｉ基板１０からＳｉＣ基板３０を剥離する。 （もっと読む）

【課題】高効率にてカーボンナノチューブを製造することができるカーボンナノチューブの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】配管１４から容器１３内に高圧ガスを供給し、粉末１５を高圧ガスと共にノズル１１から筒状体１の周面に吹き付けて、筒状体１の周面に厚さ５μｍのＳｉＣ膜を形成した（ＳｉＣ膜生成工程）。筒状体１を回転させて、レーザー装置２１からレーザーＣをＳｉＣ膜に照射させ、Ｓｉを分解除去して、筒状体１の表面にカーボンナノチューブを生成させた（生成工程）。筒状体１を回転させ、該筒状体１の表面に形成されたカーボンナノチューブを除去手段３０によって除去した（除去工程）。これらＳｉＣ膜生成工程、生成工程及び除去工程を１サイクルとして、当該サイクルを繰り返し行った。 （もっと読む）

【課題】結晶性や形状、作製場所を制御する。
【解決手段】階段状に加工されたオフ基板１１が加熱され、オフ基板１１上に層状炭素構造体１３が作製される。このようにして作製された層状炭素構造体１３は、移動度および熱伝導性が高く、そして、結晶性、形状および作製場所を制御することができる。したがって、このような性質を有する層状炭素構造体１３を、半導体装置のチャネルなどの電気伝導体または熱伝導体として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の厚さの大面積のグラフェンシートを経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】ラファイト化触媒を含む膜を形成する工程と、前記グラファイト化触媒の存在下で気相炭素供給源を熱処理してグラフェンを生成する工程と、前記グラフェンを冷却する工程と、を含む。すなわち、グラファイト化触媒が存在するチャンバー内に気相の炭素供給源を所定の圧力で供給しつつ、所定の温度で所定の時間グラファイト化触媒の存在下で気相炭素供給源を熱処理すると、前記気相の炭素供給源中の炭素原子が互いに結合して六角形の平面構造を形成し、グラフェントが形成される。そして、このグラフェンを所定の冷却速度で冷却すると、均一な配列構造を有するグラフェントシートが得られる。 （もっと読む）

【課題】樹脂への分散を容易にするとともに、樹脂における導電性が向上する炭素繊維の集合体を提供する。
【解決手段】配向性を有する微細中空状炭素繊維が集合した束が、絡み合って凝集させることで、樹脂への分散が容易であり、また、集合体を含有する樹脂の導電性が向上する炭素繊維の集合体を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂への分散を容易にするとともに、前記樹脂における導電性が向上する炭素繊維の集合体を、触媒を利用して効率良く製造するために用いる触媒と、その製造方法を提供する。
【解決手段】表面に平面を有する金属含有材料から成る粉体である触媒の存在下、炭素を含む原料ガスを用いて、微細中空状炭素繊維を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 幅や長さ、膜厚の調整が容易で、かつ、大面積のグラフェンシートを簡単に製造できる方法を提供する。
【解決手段】 触媒金属層を形成した基板上に炭素含有ガスを供給してグラフェンシートを形成するグラフェンシートの製造方法であって、所定の性質を有する基板を準備する工程と、この基板の少なくとも一面に、少なくとも一つのライン状の触媒金属層を位置決めして形成する工程と、前記触媒金属層を形成した前記基板を容器内に収容するとともに、所定環境下で前記基板を加熱する工程と、前記基板の少なくとも前記触媒金属層を形成した面に、炭素含有ガスを供給する工程とを有し、前記触媒金属層の基板からの高さを、形成しようとするグラフェンシートの膜厚及び層数に応じた高さとした。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく電子放出特性を向上させることができるグラファイトナノファイバーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程（Ｐ１）と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程（Ｐ２）と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｐ３）とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。成長用触媒としては、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 大面積のグラフェンシートを簡単に製造できる方法を提供する。
【解決手段】 耐熱性の作業基板を準備する工程と、グラフェンシートを構成する炭素の結晶構造と同様の結晶構造の炭素を含有するグラフェンシート形成面を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で前記作業基板上の所定位置に位置決めする工程と、前記グラフェンシート形成面に、形成されたグラフェンシートの丸まりを阻止するＣＮＴ化阻止処理を施す工程と、前記グラフェンシート形成面を真空中又は所定のガス雰囲気中で加熱し、前記グラフェンシート形成面を構成する炭素以外の他の成分を除去する工程とを有し、前記加熱時間と前記加熱温度とを制御することで、前記グラフェンシート形成面に少なくとも一層のグラフェンシートを形成した。 （もっと読む）

【課題】有機性環境汚染物質を取り除くための処理剤を、高効率で、かつ、簡便な調製手段により提供する。
【解決手段】予め無機チタン塩をクエン酸と混合・撹拌して得られた溶液に、層状グラファイト酸化物又は層状グラファイト酸化物の分散液を混合し、混合物を９０℃８０分間還流し、これを１００〜２００℃で水熱処理して有機性汚染物質除去剤として有用な酸化チタン導入炭素ナノシート複合体を得る。 （もっと読む）

強化された光学的特性および電気的特性を有するカーボンナノチューブに基づく透明導電体の調製に関する種々の方法が開示される。いくつかの実施形態では、本方法は、透明導電体において使用するために、電子タイプおよび／または光吸収度に従って事前分類されたカーボンナノチューブを用いることを含む。他の実施形態は、束密度に従って事前分類されたカーボンナノチューブ束の使用を含む。より具体的には、一局面では、本教示は、着色透明導電膜を提供する。
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【課題】新規なカーボンナノチューブの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、混合ガス中にプラズマを生成させる方法であり、混合ガスは、炭素源と酸化性成分を含有している。ここで、炭素源が、CO,CH₄, C₂H₄, C₂H₂, CH₃OH, C₂H₅OHから選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物からなることが好ましい。また、酸化性成分が、O₂,CO₂,H₂Oなどから選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物からなることが好ましい。また、O₂/CO流量比が0.0001〜0.1の範囲内にあることが好ましい。また、プラズマが直流放電プラズマであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの合成方法及び装置を提供すること。
【解決手段】炭素ナノチューブの合成方法において、反応チャンバの内部を加熱し、前記加熱された反応チャンバの内部に触媒を供給する。触媒は、反応チャンバ内で第１方向に移動する。ソースガスは、第１方向と逆方向である第２方向に反応チャンバに供給される。ソースガスは、第１方向に移動する触媒を遅延させ、触媒と反応して炭素ナノチューブを合成する。触媒の流れに対するソースガスの流れが触媒の落下速度を遅延させるので、ソースガスと触媒とが十分に長い時間互いに反応することができる。 （もっと読む）

本明細書に、カーボンナノチューブ中間層アセンブリ、カーボンナノチューブ中間層アセンブリを製造する方法、及びカーボンナノチューブ中間層アセンブリを有する複合部品を製造する方法が開示されている。一実施形態においては、本発明の実施形態による複合構造を製造する方法は、基板の片側又は両側に複数のカーボンナノチューブを作製し、基板を第１繊維層に付着させるステップを含む。本方法はさらに、第２繊維層を第１繊維層に隣接して配置することにより、第１及び第２繊維層の間に複数のカーボンナノチューブを配置するステップを含むことができる。本方法は、第１及び第２繊維層に樹脂を注入して、樹脂を硬化させるステップを更に含むことができる。一実施形態では、カーボンナノチューブ基板を溶解接着によって第１繊維層に付着させることができる。別の実施形態においては、カーボンナノチューブ基板を第１繊維層に縫合して付着させることができる。
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【課題】二次加工することなく、低温でカーボンナノチューブ集合体を製造するためのカーボンナノチューブ集合体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機ケイ素ポリマーを、空気、オゾン、酸素、塩素ガス、臭素ガス、及びアンモニアガスのうちいずれか１以上の酸化性ガス雰囲気中、５０〜４００℃の温度で焼成し有機ケイ素ポリマーの不融化物を得る第１工程と、前記有機ケイ素ポリマーの不融化物を焼成し炭化ケイ素を得る第２工程と、前記炭化ケイ素に、１１００ｎｍ以下の波長のレーザー光を照射しながら、真空度１．０１×１０^５〜１．３３×１０^−８Ｐａ中、５００〜１７００℃の温度で焼成しカーボンナノチューブの集合体を得る第３工程とを備えたことを特徴とするカーボンナノチューブ集合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】気相成長によって炭素結晶からなるカーボンナノ構造体を製造する際の析出効率を向上させることが可能な触媒構造体、および該触媒構造体を用いたカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長によって炭素結晶からなるカーボンナノ構造体を製造するために用いられる触媒構造体であって、第１金属が少なくとも露出した第１表面と第２金属が少なくとも露出した第２表面とを有し、第１金属と第２金属とは互いに接するように形成され、第１金属は、鉄、コバルト、ニッケルから選択されるいずれかを主成分とする材質からなり、第２金属は、パラジウムを含有する材質からなる、触媒構造体、および該触媒構造体を用いたカーボンナノ構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【目的】カーボンナノチューブへの転化効率が良好で、カーボンナノチューブの結晶性（直進性）の高い、高純度・高品質のナノカーボンを大量に且つ効率よく生成させることを可能とするナノカーボンの製造方法を提供する。
【構成】炭化珪素を加熱して粒成長させた後、粒成長させた炭化珪素を珪素原子が失われる温度に加熱することを特徴とする。１０００〜２５００℃の温度に加熱するのが好ましい。 （もっと読む）