【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】生体活性を有する炭化ケイ素（SiC）ナノチューブを提供すること、及びそのようなSiCナノチューブの簡潔な作製方法を提供すること。
【解決手段】生体活性炭化ケイ素ナノチューブは、カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶SiCナノチューブを合成し、合成された前記多結晶SiCナノチューブをNaOH処理またはKOH処理し、NaOH処理またはKOH処理後、多結晶SiCナノチューブをHCl処理することよって作製される。合成された生体活性SiCナノチューブの外径は200nm以下であり、且つその内径は150nm以下である。 （もっと読む）

【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料２を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材１を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】高絶縁性の炭化ケイ素粉体、及び、耐熱性に優れると共に、高熱伝導性と高絶縁性を同時に有する複合組成物を提供すること。
【解決手段】表面が、焼成によって設けられた、厚みが10nm〜500nmの酸化物被膜によって被覆されてなることを特徴とする炭化ケイ素粉体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット１１が接着層１２を介して４個接着されており、ハニカムユニット１１の外周面には、一対の帯状電極１３が形成されており、４個の一対の帯状電極１３と電気的に接続されている一対の導電部材１４が設置されている。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_ｘＭ_１−ｘ）（Ｂ_ａＣ_ｂＮ_{１−ａ−ｂ}）からなる硬質皮膜であって下記式（１Ａ）〜（４Ａ）を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５−−−−式（１Ａ）、０≦ａ≦０．２−−−−式（２Ａ）、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５−−−−式（３Ａ）、０．６≦ｂ≦１−−−− 式（４Ａ） （もっと読む）

【課題】直線状のスプリング軸を有しており、弾力性および機械強度に優れたセラミックススプリング、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スプリング外径が０．０１μｍ〜１００μｍ、スプリングピッチが０．０１μｍ〜１０μｍ、スプリング長が１．０×１０^−５ｍｍ〜２０ｍｍ、スプリング軸が直線状である螺旋形状を有し、かつ、破断強度が８０ＭＰａ以上である一重又は二重のセラミックススプリングである。

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【課題】炭化アルミニウムの水和反応が進まないように、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたことを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムであり、また、金属アルミニウム粉末と炭素粉末とを用いて、所定の雰囲気下で加熱処理することで、炭化アルミニウム微粒子が、炭素で被覆されたカーボン被覆炭化アルミニウムを得ることを特徴とするカーボン被覆炭化アルミニウムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低いケイ素／炭素比を有するオーバーコートを提供すること。
【解決手段】情報記憶システムのスライダ。単一のオーバーコート層を備えるスライダであって、層は、フィルタ陰極アークプロセスによりスライダのＡＢＳ上に堆積し、層は、約１０％未満のＳｉ／Ｃ比を有すると共に、約１５Å未満の厚さを有する、スライダ。 （もっと読む）

【課題】繊維状材料が均一に複合された繊維強化Ａl複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化アルミニウムを主成分として表面に酸素を含む繊維が表面に形成されたＡl粉末を成型して成形体とする第一の工程と、該成形体をＡlの融点以上で加熱する第二の工程と、続いてＡlの溶融状態を保持したまま加圧して緻密化する第三の工程とを含むことを特徴とする繊維強化Ａl複合材料の製造方法により解決される。前記第三の工程を熱間鍛造で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ホウ素含有量が高く、炭化ケイ素および炭化ホウ素相が良好に分散し、組成が制御された、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を得ることができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法に関し、このケイ素は炭化ケイ素の形態であり、ホウ素が、炭化ホウ素および／または遊離ホウ素の形態である。本発明の方法は、炭素系前駆体、ケイ素系前駆体およびホウ素系前駆体ＢＸ_３（Ｘがハロゲン原子である）を、これらの３つの前駆体の混合物を得るために接触させる工程と、得られた混合物をレーザー熱分解に供する工程と、を含み、ホウ素系前駆体ＢＸ_３は、接触工程の前におよび／または接触工程と同時に、この前駆体の縮合温度よりも高い温度に加熱される。 （もっと読む）

【課題】簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法により、優れた特性を有する炭化ケイ素ナノワイヤーを提供する。
【解決手段】原料粉末の構成物質に少なくともＳｉまたはＯを含み、原料粉末を不活性ガス及び少なくともＣまたはＨを含むガス気流中で熱処理を行うことを特徴とし、コア部の構成物質が炭化ケイ素であり、コア部を被覆するシェル部の構成物質が少なくともＳｉまたはＯを含むことを特徴とするコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤー及びその製造方法
【効果】本発明により、簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法で、耐酸化性の向上あるいは新たな機能の付与が可能なコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤーを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安価な方法で、高収率にSiC材料を合成する方法と、その方法により製造されるSiCセラミック材料を提供すること。
【解決手段】ケイ素系ポリマー溶液と金属錯体溶液を混合し、乾燥させることによりケイ素系ポリマーと金属錯体からなるブレンド物を作製し、これを不活性ガス中で７００℃以上で焼成することにより炭化ケイ素材料を合成する方法、及びポリカルボシラン溶液と酢酸パラジウム溶液を混合し、乾燥させた後、これを不活性ガス中で７００℃以上で焼成して作製した、COガスを酸化してCO₂ガスを生成する触媒性能を有するセラミック材料。 （もっと読む）

【課題】本発明の主題は特に、多孔質アモルファス水素化シリコンカーバイド膜を製造可能にする方法である。
【解決手段】本発明は、
ａ）基板上に、酸化ケイ素貫通ナノワイヤが分散されたアモルファス水素化シリコンカーバイドマトリックスから成る膜を形成する段階と、
ｂ）ステップａ）において形成された膜に存在する酸化ケイ素ナノワイヤを、化学物質によって選択的に分解する段階と、を含む貫通孔を備えたアモルファス水素化シリコンカーバイド膜の製造方法に関する。
応用例：マイクロエレクトロニクスおよびマイクロテクノロジーにおけるエアギャップの形成、特に集積回路のエアギャップ相互接続の製造のための化学物質を透過する膜からの化学物質の拡散による犠牲材料の分解を含む全ての製造方法。 （もっと読む）

【課題】 炭化硼素粉末の表面に形成された親油性膜は完全に水と炭化硼素粉末との反応を押さえることができず、温度が２００〜３００℃付近に上昇すると、親油性膜が熱で分解され、高温の水蒸気が浸入して炭化硼素粉末は酸化するため、この粉末から得られた焼結体は気孔が多く、炭化硼素が有する本来の高い硬度や高い強度が発現しない。
【解決手段】 炭素単体または珪素単体を含有するとともに、水酸化硼素を含む層を表面に有した炭化硼素粉末であって、該炭化硼素粉末の比表面積をＸ（ｍ^２／ｇ）、前記層における前記水酸化硼素の酸素の含有量をＹ（質量％）としたとき、０＜Ｘ≦１８、０．３≦Ｙ／Ｘ≦１．２を満足する炭化硼素粉末であり、気孔が少なく、硬度、強度等の機械的特性が高い炭化硼素質焼結体を得ること。 （もっと読む）

【課題】炭化物系セラミックスからなり、かつ、高い出力因子をもつn型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料は、結晶構造中にRC₆八面体（但し、RはZr、Sc、Y又は希土類元素から選択された少なくとも一種類以上の元素である。）が稜共有することで形成される[RC₂]層を部分構造として含む。すなわち、電気伝導率の高い層と電気伝導率の低い層とからなる二種類の異なる層が交互に積層する結晶構造をもつことから、良好な熱電特性を示す。 （もっと読む）

【課題】窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合材料であって、より微細な窒化ホウ素が前記複合材料中に均一に分散している複合材料、およびそのような複合材料の原料である窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合粉末の提供を目的とする。
【解決手段】炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合粉末であって、前記複合粉末が、下記式（Ｉ）を満たす複合粉末により解決される。
６２．１＜Ｘ＋０．１０１×Ｙ （Ｉ）
前記式中、ＸおよびＹは明細書中で定義のとおりである。
また、炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合材料であって、前記複合材料が、本発明の複合粉末を焼結して得られた複合材料であり、前記複合材料が、下記式（ＩＩ）を満たす複合材料により解決される。
Ｓ＞５．５６Ｙ−６７０ （ＩＩ）
前記式中、ＳおよびＹは明細書中で定義のとおりである。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、他の材料との濡れ性、強度および弾性率に優れ、複合材料用の強化材料、排ガスフィルター材料等として有用な材料を提供する。
【解決手段】ケイ素、炭素および酸素を含んでなり、ケイ素、炭素および酸素の平均元素比が下記組成式（１）： SiC_aO_b （１）（式中、aは０．５≦a≦３．０を満たす数であり、ｂは０．５≦ｂ≦４．０を満たす数である。）で表わされ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合からなるシロキサン骨格を有し、水素の質量分率が０〜１質量％である非晶質無機セラミック物質。 （もっと読む）

【課題】煩雑な合成工程を経ることなく簡便に製造でき、焼成することで炭化チタン、又
は、炭化チタンと炭素の混合物に変化する、新規な前駆体を提供すること。
【解決手段】チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール化
合物の反応生成物からなることを特徴とする、炭化チタン、又は、炭化チタンと炭素の混
合物の前駆体。チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール
化合物を混合して溶液又はスラリーを生じさせるか、チタンのアルコキシド又は塩化チタ
ン、及び、フェノール又はフェノール化合物を有機溶媒中で混合して溶液又はスラリーを
生じさせることで製造できる。溶液又はスラリーを乾燥させて得られる固体前駆体を焼成
して炭化反応を生じさせることにより炭化チタン又は炭化チタンと炭素の混合物を製造で
きる。 （もっと読む）