【課題】
本発明は、母材との先膨張係数差によるクリープ変形，溶接時の残留応力による変形の問題を抑制し、高温蒸気条件下で、摺動部における耐酸化，耐摩耗性を保持し正常に作動できる蒸気弁を提供することにある。
【解決手段】
蒸気温度が６００℃以上の蒸気タービンに用いられる蒸気弁であって、摺動部にＣｒパック処理によるコーティングを形成する。Ｃｒパック処理が施される摺動部は、弁棒１をガイドするブッシュ４の内面，ブッシュ４内面と接触する弁棒１外面，弁体２をガイドするスリーブ５の内面，スリーブ５内面と接触する弁体２外面とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】１０００℃を超える高温の還元性ガス雰囲気中においても、優れた還元性ガス反応抑制効果を発揮し、製品寿命を大きく延ばすことができる還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法を得る。
【解決手段】本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料は、Ｔａ微粒子を、Ｃを含む反応性ガス粒子と共に黒鉛基材表面に付着させることで、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる結晶組織のＴａＣ被膜が形成され、かつ該被膜の組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となる。また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、アークイオンプレーティング式反応性蒸着法により、金属Ｔａの微粒子を、Ｃを含む反応ガスの粒子と共に黒鉛基材表面に付着させ、前記表面にＴａＣ微粒子を積層してなる前記被膜を形成すると共に、黒鉛基材表面にＴａＣ被膜をその組成比（Ｔａ／Ｃ）が０．８〜１．２となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を改善し、かつ比表面積やメソ細孔を保持したメソポーラス炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】耐熱性及び耐腐食性が改善されたメソポーラス炭化珪素系セラミックスであって、Ｓｉ−Ｃ結合、あるいは一部にＳｉ−Ｏ結合を基本とする非晶質ネットワークを有していること、１０−５００ｎｍの粒径を有する無機充填剤が分散していること、細孔径５０ｎｍ以下の微細な細孔分布を有すること、を特徴とするメソポーラス炭化珪素系セラミックス、及び耐熱性、耐腐食性を改善したメソポーラス炭化珪素系セラミックスの製造方法。
【効果】有機珪素ポリマーにセラミックス粒子充填剤を含有させ熱処理することにより、大型で高価な装置を用いることなく、６００℃以上の高温での寸法変化、細孔の消失を粒子充填剤によって抑制することができる。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】 炭化タンタル膜や炭窒化タンタル膜を化学気相成長法により形成するための原料として、供給しやすく、高い蒸気圧を有する化合物を提供し、さらに、その製造方法およびそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 ＴａＣｌ₅とＮａ（ＥｔＣｐ）とＮａＢＨ₄とをＴＨＦ中で反応させ、未反応原料を水で失活させた後、溶媒留去し、真空蒸留することにより、蒸気圧が０．１Ｔｏｒｒ／９５℃、融点が３８℃である新規化合物ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタル（Ｔａ（ＥｔＣｐ）₂Ｈ₃）が得られ、この化合物を原料として、化学気相成長法により、炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】特別な工程や添加剤等を必要とせずに、種々の仕様用途に応じて制御された細孔径や気孔率等を有する炭化珪素系多孔質成形体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素系多孔質成形体の表面にＳｉＣＯからなる層を形成することにより、細孔を制御した炭化珪素系多孔質成形体を製造する。炭化珪素系多孔質成形体としては、平均細孔径０．２〜２ｎｍ、平均気孔率３０〜７０％、比表面積１０〜１０００ｍ^２／ｇの成形体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 架橋剤の添加や微粒子の分散を必要とせずに、簡単な工程で安価に微細孔を有する炭化珪素系多孔質成形体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 架橋剤を使用せずに、ポリカルボシラン等の炭化珪素前駆体高分子を不活性気体中において４００℃以下で加熱して熱的に架橋した炭化珪素前駆体を形成し、該架橋前駆体を熱処理することにより炭化珪素系多孔質成形体を製造する。
炭化珪素前駆体高分子は、不活性気体中において２００〜４００℃で、１時間以上加熱して熱的に架橋することが好ましく、架橋した炭化珪素前駆体は５００〜１３００℃で、１時間以上熱処理することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 剥離性などの耐久性及び耐食性が高く、腐食及び応力腐食割れが発生しにくい原子炉構造材を提供する。
【解決手段】 炭素ドープされた酸化チタン又はチタン合金酸化物からなる多機能層を表面の少なくとも一部に設けたことを特徴とする原子炉構造材とする。 （もっと読む）

【課題】 モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等の特殊高圧ガスに比べて安全性に優れたモノメチルシラン（ＳｉＨ_３ＣＨ_３）等の有機シランを用いて、高品質の炭化珪素薄膜を得ることができる炭化珪素薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ薄膜を成膜する方法であり、シリコン基板が載置された反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスを導入する第１工程（I）と、反応装置内にプロパン（Ｃ_３Ｈ_８）ガスとヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）とを導入する第２工程（II）と、反応装置内にヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を導入する第３工程（III）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）

オキシ炭化ケイ素コーティングは、（ｉ）前記コーティングの屈折率が１．７０あるいはそれ以上であるのみならず、（ｉｉ）前記コーティングの厚さが３５０Åあるいはそれ以上であるときに、約数ヶ月間というかなりの長期間親水性を維持する。
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