【課題】微細かつ均一な粒径を有する品質の高い、珪素微粒子が炭化珪素に被覆されてなる珪素／炭化珪素複合微粒子を高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_ｘＭ_１−ｘ）（Ｂ_ａＣ_ｂＮ_{１−ａ−ｂ}）からなる硬質皮膜であって下記式（１Ａ）〜（４Ａ）を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５−−−−式（１Ａ）、０≦ａ≦０．２−−−−式（２Ａ）、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５−−−−式（３Ａ）、０．６≦ｂ≦１−−−− 式（４Ａ） （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第１炭化タンタル被覆膜上に新たな第２炭化タンタル被覆膜を形成する第２炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】炭素基材に炭化金属層が形成されていない部分が生じるのを抑制することにより、被膜にむらが生じたり、被膜の密着性が低下するのを抑えることができる炭素材を提供する。
【解決手段】結着剤であるポリビニルアルコールと金属粉末とを含むスラリーを、炭素基材に塗布することにより炭素基材に金属粉末を付着させる第１ステップと、上記金属粉末が付着された炭素基材を、塩化水素ガスの雰囲気となっている容器内で熱処理する第２ステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光透過性が低く、かつ、伝熱性が高く、半導体製造等における熱処理工程、特に、急速加熱・急速冷却熱処理に好適に用いることができる炭化ケイ素材料を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法により成膜されたβ−ＳｉＣからなり、成膜方向に対する垂直断面において、結晶面（３１１）／（１１１）のＸ線回折によるピーク強度比が０．８よりも大きい層が、厚さ４０μｍ以上で形成された炭化ケイ素材料を半導体製造装置の熱処理用部材に用いる。 （もっと読む）

【課題】黒鉛などの炭素基材の表面に炭化ケイ素被膜が緻密にかつ均一に被覆された炭化ケイ素被覆炭素基材を製造する。
【解決手段】未結合手を有しないＳＰ^２炭素構造からなるベース部と、未結合手を有するＳＰ^２炭素構造からなるエッジ部とを表面に有する炭素基材を準備する工程と、温度１４００〜１６００℃、圧力１〜１５０Ｐａの雰囲気中で、炭素基材の表面と、ＳｉＯガスとを反応させて炭化ケイ素を形成することにより、炭化ケイ素で被覆された炭素基材を製造する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】低いケイ素／炭素比を有するオーバーコートを提供すること。
【解決手段】情報記憶システムのスライダ。単一のオーバーコート層を備えるスライダであって、層は、フィルタ陰極アークプロセスによりスライダのＡＢＳ上に堆積し、層は、約１０％未満のＳｉ／Ｃ比を有すると共に、約１５Å未満の厚さを有する、スライダ。 （もっと読む）

【課題】有機−無機変換ルートにより作製される炭化ケイ素の高性能化ならびに高度利用をはかるために、新しい前駆体有機ポリマーとして、ポリ［（シリリン）エチニレン］ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を合成した。
【解決手段】
ポリ［（シリリン）エチニレン］あるいは／ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。 （もっと読む）

【課題】水素より多くの細孔径を、水素が選択的に透過可能な径に制御することができる、炭化珪素水素分離膜の製造方法を提供すること
【解決手段】多孔質支持体表面に適当な濃度の前駆体溶液を塗布することにより前駆体層を形成した後、前記前駆体溶液よりも薄い濃度の溶液に複数回浸漬することにより、浸漬で生じた前駆体溶液を支持体、あるいは支持体に形成された炭化珪素膜の細孔に浸透させ、支持体あるいは膜中に存在する細孔の径を、水素が選択的に透過可能な径に制御する。 （もっと読む）

【課題】セラミック化に伴う体積収縮を低減しクラックの発生を防止できると共に、ピンホール等の欠陥発生も抑制できるガス分離用セラミック薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガス分離用セラミック薄膜は、セラミックス前駆体であるポリカルボシラン(PCS)またはPCSに他の高分子材料を混合したポリマーブレンドなどのケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に成膜し、真空中や不活性ガス中などの無酸素環境下において電離放射線により架橋した後、アルゴンガスなどの高級不活性ガス中で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素膜形成後にクラックや剥離が生じることなく、炭化珪素膜を炭素基材の表面上に効率良く形成する。
【解決手段】炭素基材１の表面１ｂの所定箇所を支持治具４で当接した状態で炭素基材１を支持し、炭素基材１の表面１ｂ上に炭化珪素膜５を形成する方法であって、支持治具４が当接する所定箇所に孔１ａが形成された炭素基材１を準備する工程と、炭素基材１と同種の材料からなり、孔１ａに嵌入することができる寸法形状を有する嵌入部材２であって、孔１ａに嵌入した際に炭素基材１の表面１ｂに連なる表面２ａ上に予め炭化珪素膜３が形成された嵌入部材２を準備する工程と、炭素基材１の孔１ａに嵌入部材２が直接接するように嵌入部材２を嵌入し、炭化珪素膜３が形成された嵌入部材２の表面に支持治具４を当接して、炭素基材１を支持した状態で、炭素基材１の表面１ｂ上に炭化珪素膜５を形成する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ被覆膜が予め形成された部材同士を強固に接合することができるとともに、内部空間（中空部）に均一なＳｉＣ被覆層が形成されたＳｉＣ被覆カーボン部材及びＳｉＣ被覆カーボン部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ被覆カーボン部材１は、少なくとも表面にＳｉＣ被覆膜が形成された複数のカーボン基体２ａ，３ａを接合したＳｉＣ被覆カーボン部材であって、前記カーボン基体２とカーボン基体３の接合層が、単一の層からなるＳｉＣ被覆膜２ｂ，３ｂで構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トリクロロシラン製造装置において、装置全体を大型化しなくても、転換反応に要する長いガス流路が得られ、十分な保持時間と加熱とを得ること。
【解決手段】 テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスが内部に供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスが生成される反応容器１と、加熱機構２と、ガス供給部３と、ガス排気部４と、反応容器１及び加熱機構２を収納する収納容器６とを備え、反応容器１の内部には、ほぼ同心配置された内径の異なる複数の反応筒壁９ａ〜９ｄによって仕切られた複数の小空間８ａ〜８ｄを、これら反応筒壁９ａ〜９ｄの下部と上部とに交互に形成した流通用貫通部１０によって内側から順に連通状態としてなる反応流路２０が形成され、各反応筒壁９ａ〜９ｄは、その下端面を収納容器６における底板部１１の上面に接触させた状態に支持されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の主題は特に、多孔質アモルファス水素化シリコンカーバイド膜を製造可能にする方法である。
【解決手段】本発明は、
ａ）基板上に、酸化ケイ素貫通ナノワイヤが分散されたアモルファス水素化シリコンカーバイドマトリックスから成る膜を形成する段階と、
ｂ）ステップａ）において形成された膜に存在する酸化ケイ素ナノワイヤを、化学物質によって選択的に分解する段階と、を含む貫通孔を備えたアモルファス水素化シリコンカーバイド膜の製造方法に関する。
応用例：マイクロエレクトロニクスおよびマイクロテクノロジーにおけるエアギャップの形成、特に集積回路のエアギャップ相互接続の製造のための化学物質を透過する膜からの化学物質の拡散による犠牲材料の分解を含む全ての製造方法。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素ナノ粒子同士の凝集を抑制することにより分散性及び分散安定性を向上させることが可能な炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法及び炭化ケイ素ナノ粒子分散液、この炭化ケイ素ナノ粒子分散液を用いて得られる耐摩耗性、耐擦傷性、耐熱性、硬質性に優れた炭化ケイ素ナノ粒子膜を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ粒子分散液の製造方法は、凝集性を有する炭化ケイ素ナノ粒子１の表面に酸化処理を施して表面酸化層３を形成し、次いで、この炭化ケイ素ナノ粒子１の表面酸化層３を除去し、次いで、この表面酸化層３が除去された易分散性の炭化ケイ素ナノ粒子１１を分散媒４中に分散させる。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
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