【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】黒鉛粒を高濃度で含有する未硬化のフェノール樹脂との複合体である成形材料を、金型内で加熱・加圧成形によって賦形した成形品を無酸素の高温雰囲気で焼成して誘電加熱を可能とするカーボン凝結体成形品において、ゲート近傍の過度な吐出圧と流路の急変に伴って歪みが成形品内に残留する。この結果、焼成段階で樹脂部分に微細な亀裂が発生し、落球などの衝撃応力による耐性を著しく低下させていた。
【解決手段】この発明に係るカーボン焼結体の表面改質方法は、黒鉛粒にフェノール起源のカーボンを結合材としたカーボン凝結体の鍋状成形品の底面中央にあるゲート相当部分にシリコン化合物を含浸させた後、無酸素雰囲気の１１００〜１５００℃で加熱処理を行う工程を含んで成るものである。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】反応室内のＳｉＣ基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化することで、基板上での原料ガスを消費しやすくし、基板面内でのガス流れを均等化し、積層された基板間の下方方向への流れ落ちを抑制するＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】炭化珪素膜を成長させることを可能とする反応室とその中に配置されたボートを有し、且つそのボートには、複数枚の基板１４が平行に縦積みで配置され、反応室内に設けられたガス供給ノズル６０，７０の基板の配列領域に設けられた第一のガス供給ノズルから少なくともシリコン原子含有ガスを供給し、ガス供給ノズルとは異なる箇所であって、基板の配列領域に設けられた第二のガス供給ノズルから少なくとも炭素原子含有ガスを供給して、基板上に炭化珪素膜を成膜する縦型基板処理装置において、反応室内の基板の配列領域に積極的にガスを供給し、ガス流れを最適化するための壁体３００を設ける。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ低抵抗のグラフェンシートを備えたグラフェンシート付き基材、及び、このグラフェンシート付き基材を安価に製造することが可能なグラフェンシート付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】液体を混合する場合、特に混ざり難い性質を有する液体を混合する場合に、攪拌効率を向上させ、混合時間を短縮できる液体攪拌機を提供する。
【解決手段】液体攪拌機１は、支持部２０の回転軸心Ｏと直交する面において、外羽根部３０の長手方向端部３０Ａ及び長手方向端部３０Ｂにおいて、回転軸心Ｏから最も遠い点をそれぞれ端点Ａ、端点Ｂとし、回転軸心Ｏから最も近い点をそれぞれ点ａ、点ｂとし、端点Ａ及び端点Ｂを通る直線を直線Ｍとし、点ａ及び点ｂを通る直線を直線ｍとし、回転軸心Ｏを通り、直線Ｍと直交する直線を直線Ｌとし、直線Ｍと直線Ｌとの交点を交点Ｔとすると、回転軸心Ｏは、直線Ｍと直線ｍとの間の領域Ｍｍから外れた位置にあり、端点Ａ及び端点Ｂの少なくとも一方は、外羽根部３０の回転方向Ｒ１において、交点Ｔよりも後ろに位置する。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの炭化コバルト粒子に基づく結晶性強磁性体炭化コバルトの組成物、及びポリオール反応を介して本発明に係る強磁性体材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶性強磁性体炭化コバルトナノ粒子は、高性能永久磁石用途に有用である。本発明のプロセスは、炭化Ｆｅ、炭化ＦｅＣｏの如き他の炭化物相に拡張可能である。炭化Ｆｅ、炭化ＦｅＣｏは、鉄塩、コバルト塩の前駆体として使用することによって実現可能で、取り分け、酢酸塩、硝酸塩、塩化物、臭化物、クエン酸塩及び硫酸塩の様なＦｅ−及びＣｏ−塩の混合物および／または混和剤として使用される。本発明の材料は、Ｃｏ_２Ｃ、Ｃｏ_３Ｃの両相の如き炭化コバルトの混合物を含む。混合物はＣｏ_２Ｃ及びＣｏ_３Ｃの独立した粒子の収集物の形体或いは個別の粒子内でＣｏ_２Ｃ及びＣｏ_３Ｃ各相の密接な組合せからなる粒子の収集物としての形態をも取り得る。各相の形態と同様にこれら２つの相の相対比は、特に室温から４００Ｋ超の低温でそれらの誘引的永久磁性へ貢献する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物７を生成する工程と、液状混合物７を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物７に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物７を乾燥および硬化させることにより固形物１９を生成する工程と、固形物１９を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体２５を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】有機−無機変換ルートにより作製される炭化ケイ素の高性能化ならびに高度利用をはかるために、新しい前駆体有機ポリマーとして、ポリ［（シリリン）エチニレン］ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を合成した。
【解決手段】
ポリ［（シリリン）エチニレン］あるいは／ならびにポリ［（シリレン）エチニレン］を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。 （もっと読む）

【課題】水素より多くの細孔径を、水素が選択的に透過可能な径に制御することができる、炭化珪素水素分離膜の製造方法を提供すること
【解決手段】多孔質支持体表面に適当な濃度の前駆体溶液を塗布することにより前駆体層を形成した後、前記前駆体溶液よりも薄い濃度の溶液に複数回浸漬することにより、浸漬で生じた前駆体溶液を支持体、あるいは支持体に形成された炭化珪素膜の細孔に浸透させ、支持体あるいは膜中に存在する細孔の径を、水素が選択的に透過可能な径に制御する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安価な方法で、高収率にSiC材料を合成する方法と、その方法により製造されるSiCセラミック材料を提供すること。
【解決手段】ケイ素系ポリマー溶液と金属錯体溶液を混合し、乾燥させることによりケイ素系ポリマーと金属錯体からなるブレンド物を作製し、これを不活性ガス中で７００℃以上で焼成することにより炭化ケイ素材料を合成する方法、及びポリカルボシラン溶液と酢酸パラジウム溶液を混合し、乾燥させた後、これを不活性ガス中で７００℃以上で焼成して作製した、COガスを酸化してCO₂ガスを生成する触媒性能を有するセラミック材料。 （もっと読む）

本発明は、
- アクチニドを含む水溶液とシュウ酸またはシュウ酸塩の水溶液との接触によるアクチニドの沈殿またはシュウ酸塩粒子としてのアクチニドの共沈と、
- 得られたシュウ酸塩粒子の回収と、
を有し、沈殿または共沈が流動層内で行われることを特徴とする少なくとも１種類のアクチニドのシュウ酸塩の生成方法に関する。
また、本発明は、上記の方法を利用した酸化物、炭化物、または、窒化物タイプのアクチニド化合物の生成方法に関する。
本発明は、核燃料の処理およびリサイクルに利用できる。 （もっと読む）

【課題】飛散等が無い安全なナノファイバー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に高分子薄膜を形成し、高分子薄膜に対して、飛跡が基板に到達可能なイオンビームを複数の方向から照射し、高分子薄膜内に、３次元的に相互接続され、かつ一端が基板表面に固定されている複数個の円筒架橋部を形成した後、これを溶媒で洗浄する工程を経てナノファイバーを製造する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ被覆膜が予め形成された部材同士を強固に接合することができるとともに、内部空間（中空部）に均一なＳｉＣ被覆層が形成されたＳｉＣ被覆カーボン部材及びＳｉＣ被覆カーボン部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ被覆カーボン部材１は、少なくとも表面にＳｉＣ被覆膜が形成された複数のカーボン基体２ａ，３ａを接合したＳｉＣ被覆カーボン部材であって、前記カーボン基体２とカーボン基体３の接合層が、単一の層からなるＳｉＣ被覆膜２ｂ，３ｂで構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 真空乾燥によって炭化珪素前駆体を乾燥させて炭化珪素粉体を製造する場合において、生産性の低下を抑制しつつ、品質を向上させる。
【解決手段】 珪素含有原料と炭素含有原料とを含み、珪素含有原料と炭素含有原料のうち少なくとも一方が液状であり、珪素含有原料と炭素含有原料とが混合された原料混合物が架橋又は重合された炭化珪素前駆体を生成する工程Ｓ１と、炭化珪素前駆体を乾燥させる工程Ｓ２と、工程Ｓ２によって乾燥させられた炭化珪素前駆体を不活性気体の雰囲気下で焼成する工程Ｓ３とを含む炭化珪素粉体の製造方法において、工程Ｓ２では、炭化珪素前駆体の乾燥時間の経過に連れて、炭化珪素前駆体が配置された配置空間の真空度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量が低減されたより高純度の炭化珪素粉体を製造できる焼成炉、及び炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼成炉１００は、マッフル４によって区画された処理室３と、処理室３内に配設され、被焼成物８が収められる坩堝５と、外部から不活性ガスを供給する不活性ガス供給管６とを備え、マッフル４と坩堝５との間には空隙４５が形成され、不活性ガス供給管６の開口端部６２は、空隙４５に配設される。 （もっと読む）

【課題】従来よりもホウ素の含有量が低い炭化珪素粉体を製造することができる炭化珪素粉体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】低ホウ素化坩堝に炭化珪素粉体の原料を収納し、低ホウ素化坩堝を加熱する。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量が低い炭化ケイ素単結晶を安価に製造し、且つ、炭化ケイ素原料を高密度に充填し、且つ、炭化ケイ素単結晶の成長を安定的に制御する。
【解決手段】低窒素フェノールをプリカーサー法により合成することにより製造されたホウ素含有量が０．５ｐｐｍ以下又は窒素含有量が１０ｐｐｍ以下のα型炭化ケイ素粉末を炭化ケイ素原料２として開口部を有する坩堝３の内部に供給し、種結晶４と炭化ケイ素原料２とが対向するように裏面に種結晶４が取り付けられた蓋体５により坩堝３の開口部を覆い、坩堝３を加熱炉７内に配置し、不活性ガス雰囲気下で坩堝３を加熱することにより、炭化ケイ素原料２を昇華させて種結晶４の表面上に炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる。 （もっと読む）