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Fターム[4H049VQ39]の内容

第4族元素を含む化合物及びその製造 (22,055) | 第4族元素含有化合物上の結合又は基(目的化合物) (4,225) | N含有基(非環式) (536) | N原子が二重又は三重結合手を持たないもの (414) | M*−NR1R2結合(R1、R2=H又はC)(例;アミノシラン) (51)

Fターム[4H049VQ39]に分類される特許

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化37で示されるで示されるテトラハロシランと化38で示されるテトラアルコキシシランとを該テトラアルコキシシランと同じアルコキシ基からなるアルコール存在下で反応させて化39で示されるトリアルコキシハロシランを得るトリアルコキシハロシランの製造方法であって、前記テトラハロシラン及び前記テトラアルコキシシランのSi総量に対して前記アルコールが5〜50mol%であることを特徴とする。
【化37】


(但し、Xはハロゲンである。)
【化38】


(但し、Rは炭素数1〜6の炭化水素基である。)
【化39】


(但し、Xはハロゲン、Rは炭素数1〜6の炭化水素基である。)
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付加重合触媒として有用な、下記式(I)の第4族金属錯体類。


[式中、
1は水素を数に入れずに1から40の原子を含む基であり、
Tは、モノ−もしくはジ−アリール置換メチレンもしくはシリレン基、または、モノ−もしくはジ−ヘテロアリール置換メチレンもしくはシリレン基から選択される、水素を数に入れずに10から30の原子からなる2価の架橋基であり、ここで、このようなアリール置換基またはヘテロアリール置換基の少なくとも1つは、そのオルト位の1つまたは両方を、第2級または第3級アルキル基、第2級または第3級ヘテロアルキル基、シクロアルキル基、またはヘテロシクロアルキル基で置換されており、
2は、ルイス塩基官能性を含むC620ヘテロアリール基であり、
Mは第4族金属であり、
''''はアニオン性、中性またはジアニオン性の配位基であり、
x’’’’は0から5の数であり、および、
結合、任意の結合、および電子供与相互作用はそれぞれ実線、破線および矢印で表される。]。
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【課題】 半導体製造における成膜原料として有用な有機金属アミド錯体の精製方法を提供する。
【解決手段】 一般式:M[N(R)(R)]で示される有機金属アミド錯体の製造において、該有機金属アミド錯体中に含有する塩素を精製除去するに際し、該有機金属アミド錯体中に含有する塩素1当量に対し、1〜100当量のリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う(但し、Mは、Hf、Zr、Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ga、Ge、Sn、またはSbであり、R及びRはメチル基又はエチル基であり、nはMの価数である。)。 (もっと読む)


【課題】ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたGST薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体、これを利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたGST薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子である。これにより、低温蒸着用のゲルマニウム前駆体は、窒素及びシリコンを含有しているところ、薄膜、より具体的には、窒素及びシリコンでドーピングされたGST薄膜形成時に低温蒸着が可能である。特に、低温蒸着時、水素プラズマを利用できる。低温蒸着用のゲルマニウム前駆体を利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたGST相変化膜は、減少したリセット電流を有するところ、これを備えたメモリ素子は、集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。 (もっと読む)


【課題】 特にCVD用原料として合致する熱及び/又は酸化による分解特性、熱安定性、蒸気圧等の性質を有するチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化1】
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本発明は、連続的シラザン分解法、特に非酸化物系の無機セラミックのための分子状の前駆体を製造するための連続的方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、オルガノシラザンの連続製造方法に関する。この方法では、モル比が少なくとも7:1である、アンモニアとオルガノシラザンの連続流を、160℃を越える温度、および110barを越える圧力で反応器中で反応させ、最終反応混合物は、80℃を越える温度、40barを越える圧力で、1質量%を越えるアンモニウムハロゲン化物で、次の2つの相からなり、A アンモニウムハロゲン化物の全体量の少なくとも75重量%を含有する相、およびB オルガノシラザンの全体量の少なくとも80重量%を含有する相からなり、この2つの相を分離する。 (もっと読む)


【課題】、例えば熱CVD法での炭窒化珪素膜の形成に好適な新規なアミノジシランを提供する
【解決手段】一般式(CH33Si2(NR123(ただし、式中のR1は水素またはメチル基、R2は炭素数1から6のアルキル基を示す)にて表されることを特徴とする新規なアミノジシラン。 (もっと読む)


【課題】従来のチタンアルコキシドは架橋剤、接着改良剤、薄膜原料などに利用価値があったが、空気中の水分で加水分解をおこし取り扱いなどの作業性に問題があり、また有機溶媒を使用するため作業環境の面からも問題があった。本発明者等は、水と任意の割合で混ぜる事ができ、電解質水溶液に対しても安定な水性チタン組成物を鋭意検討してきた。
【解決手段】その結果、チタンアルコキシド、限定されたグリコール、脂肪族アミンおよびオキシカルボン酸を接触、混合する事により、水と任意の割合で混ぜる事ができ、電解質水溶液に対しても安定な水性チタン組成物を見出すに至った。 (もっと読む)


【課題】接着剤組成物に添加することで、その接着剤組成物に対して、長期間保存後も十分強固な界面接着強度を付与できるシラン化合物を製造するための製造方法を提供。
【解決手段】下記一般式(1)のアルキル(フェニル)シリルハライドと、下記一般式(2)等で表される特定のシリルエーテル化合物と、を反応させるシラン化合物の製造方法。


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本発明の主題は、一般式III
(SiO4/2k(R1SiO3/2m(R12SiO2/2p(R13SiO1/2q[O1/2SiR12−R−NH2s[O1/2t (III)
のアミノ官能性オルガノシロキサンの連続的製造方法であり、その際、一般式IV
(SiO4/2k(R1SiO3/2m(R12SiO2/2p(R13SiO1/2q[O1/2r (IV)
のオルガノシロキサンを、一般式Vの環状シラザンと反応させ、その際、一般式Vのシラザンと一般式IVのオルガノシロキサンとを連続的に反応器に供給し、そこで混合し、相互に反応させ、引き続き反応領域から取り出し、その際、R、Rx、R1、R2、e、s、t、r、k、m、p及びqは請求項1の意味を表す。
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