【課題】残留炭素の少ない良好な金属含有薄膜を与え、成膜速度や薄膜組成制御について安定したプロセスを与える金属化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属化合物。


（式中、Ｍはチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムを表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１又は２を表す。） （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）
Ｒ¹Ｒ²ＮＨ （１）
（Ｒ¹、Ｒ²は水素原子又は炭素数１〜２０の置換もしくは非置換の１価炭化水素基である。或いは、Ｒ¹とＲ²は互いに結合してこれらが結合する窒素原子と共に炭素数２〜２０の環を形成してもよい。）
で示されるアミノ基含有化合物のアミノ基を一般式（２）
Ｒ³Ｒ⁴Ｒ⁵ＳｉＣｌ （２）
（Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は水素原子、塩素原子又は炭素数１〜２０の置換もしくは非置換の１価炭化水素基であり、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ³とＲ⁵又はＲ⁴とＲ⁵は互いに結合してこれらが結合するケイ素原子と共に炭素数２〜２０の環を形成してもよい。）
で示されるクロロシラン化合物にてシリル化する方法において、触媒としてスルホン酸化合物又はその塩を用いるアミノ基のシリル化方法。
【効果】本発明によれば、医薬品類や農薬類の合成中間体、塗料添加剤、高分子変性剤として有用な、シリル基で保護されたアミノ基を含有する化合物を効率よく製造できる。 （もっと読む）

【課題】表面処理剤として有用である放射線重合性官能基を含有するオルガノシリルアミンの製造方法及び放射線重合性官能基を含有するオルガノシリルアミンを提供する。
【解決手段】ハロアルキル基を含有するオルガノシリルアミンと、放射線重合性官能基を有する有機酸のアルカリ金属塩および放射線重合性官能基を有する有機酸のアルカリ土類金属塩からなる群より選択される少なくとも１種の放射線重合性官能基を有する塩とを50〜150℃において反応させることを含む放射線重合性官能基を含有するオルガノシリルアミンの製造方法、ならびに、特定のシラザン単位で構成された放射線重合性官能基を含有するオルガノシリルアミン。 （もっと読む）

原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は、少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシである）に対応する。さらに液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、アミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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原子層成長によるチタン含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含み、少なくとも一種の前駆体は構造が式Ｉ（式中、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシ又はアミノであり、かつアミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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【課題】遷移金属錯体を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）


（式中、Ｍは、チタン原子等を表し、Ａは、酸素原子等を表し、Ｘ¹、Ｘ²は、モノアニオン性配位子を表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基等を表す。Ｌｎは２価の架橋基を表す。（２価の架橋基は、Ｒ^１１Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１１Ｒ^１２Ｓｉ、Ｒ^１１Ｒ^１２Ｇｅ、Ｒ^１１Ｒ^１２Ｓｎ、Ｒ^１１Ｂ、Ｒ^１１Ｐ、Ｒ^１１Ｐ＝Ｏ、ＳＯ_２又はＳを表し、式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２は、同一又は相異なり、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基等を表す））で示される遷移金属錯体。 （もっと読む）

少なくとも１つのオルト−金属化された芳香族配位子基を含有する多価ヘテロアリールドナー配位子の遷移金属錯体と、エチレン性官能基又はポリ（エチレン）性官能基を有する粒子化された有機固体又は無機固体との反応生成物を含む担持された金属錯体、その調製方法、及び、付加重合触媒としてのその使用。 （もっと読む）

【課題】半導体製造における成膜原料として好適なハフニウムアミド錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム成分を含有する式：Ｈｆ［Ｎ（Ｒ_１）（Ｒ_２）］_４で示されるハフニウムアミド錯体を製造するに際し、式：Ａ（Ｏ_ｙＸＯ_ｎＲ_ｆ）_ｍで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加し、減圧蒸留を行い（但し、Ｒ_１及びＲ_２はメチル基又はエチル基を表わし、Ａは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。Ｘは炭素原子又は硫黄原子を表わす。ｍ,nは１又は２、ｙは１又は０を表わす。Ｒ_ｆは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のペルフルオロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数４〜１２のヘテロアリール基を表わす。）、さらに得られた蒸留物に、式：Ｌｉ（ＮＲ_３Ｒ_４）で示されるリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う（但し、Ｒ_３及びＲ_４はメチル基又はエチル基を表わす。）。 （もっと読む）

【課題】 分子量分布が広く、高活性で水素レスポンスが高く、高立体規則性を有するα−オレフィンの重合体又は共重合体の重合又は共重合に用いられるα−オレフィンの重合又は共重合用触媒、その触媒成分及びα−オレフィンの重合方法を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミノシランが含まれたα−オレフィンの重合又は共重合用触媒、または、［Ａ］マグネシウム、チタン、ハロゲン元素及び電子供与体を必須とする触媒固体成分、［Ｂ］有機アルミニウム化合物成分、並びに［Ｃ］化１で表わされる環状アミノシランからなるα−オレフィンの重合又は共重合用触媒 （もっと読む）

シリコン膜の低温堆積のための新規なシリコン前駆体を本明細書中に記載する。開示された前駆体は、低い蒸発温度、好ましくは約５００℃未満を有する。加えて、シリコン前駆体の実施形態は、−Ｓｉ−Ｙ−Ｓｉ−結合を取り込み、ここで、Ｙはアミノ基、置換または無置換のヒドロカルビル基、酸素を含み得る。１つの実施形態において、シリコン前駆体は式を有し、式中、Ｙはヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、酸素またはアミノ基であり；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立して、水素基、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ヘテロヒドロカルビル基であって、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は互いに同じであるか異なっていてもよく；Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄はそれぞれ独立して、水素基、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、またはヒドラジノ基であって、Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃およびＸ₄は、互いに同一であるか異なっていてもよい。
【化１】

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【課題】窒素含有オルガノシラン又は酸素含有オルガノシランを、酸により触媒される侵食から安定化させ、そして生ずる分解を妨ぐための方法の提供。
【解決手段】製品の分解の影響を受けやすい、少なくとも一つのＳｉ−Ｈ又はＮ−Ｈ基を有する窒素含有オルガノシランを、（ａ）残余のアニオン又は金属カチオンを除去するための弱塩基性イオン交換媒体と接触させる段階、（ｂ）前記オルガノシランを前記弱塩基性イオン交換樹脂から分離する段階、（ｃ）前記オルガノシランを蒸留する段階よりなる処理を施す。上記Ｓｉ−Ｈ基を侵食するアニオン又は酸が排出され、この分解が妨げられる。これらのアニオンに低濃度で曝露しても、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素膜の使用に関する半導体の加工において、重大な分解を生じ、そして製品安定性及び長期間の有効期間に重大な影響が生じうる。 （もっと読む）

【課題】合成及び単離が容易であり、重合活性に優れ、しかも優れた特性を有するオレフィン重合体が得られる新規な触媒を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で示されるカチオン錯体。
【化１】


〔但し、一般式（Ｉ）中、Ｌｎは、周期表第３族遷移金属原子である。Ｘは、ハロゲン原子である。Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、これらの炭化水素基は、その少なくとも１つの炭素原子を窒素、リン、酸素、硫黄又はケイ素原子で置き換えたものであってもよい。Ｚは溶媒分子である。ｐは１又は２の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成用プレカーサとして使用される有機ジルコニウム化合物において、形成される薄膜の特性に影響を及ぼす金属元素を低減した有機ジルコニウム化合物を提供する。
【解決手段】 四塩化ジルコニウムとアルコールまたはアミンを反応させた後蒸留することにより、チタニウム元素の含有量が１ｐｐｍ以下である薄膜形成用プレカーサとして有用な高純度有機ジルコニウム化合物を得ることができる。また、同時にアルミニウム・ハフニウムの含有量も低減することができる。 （もっと読む）

本発明は、新規の単核遷移金属化合物、二核遷移金属化合物、新規の有機アミン系またはリン系化合物およびそれらの製造方法を提供する。本発明に係る単核遷移金属化合物は、フェニレンブリッジによってシクロペンタジエニル基とアミド基またはリン基が架橋された構造を有し、本発明に係る二核遷移金属化合物は、フェニレンブリッジによってシクロペンタジエニル基とアミド基またはリン基が架橋された構造を有する遷移金属化合物の２つが前記フェニレンブリッジに位置する架橋基によって連結された構造を有する。本発明によれば、前記単核遷移金属化合物、二核遷移金属化合物、および有機アミン系またはリン系化合物は、鈴木カップリング（Ｓｕｚｕｋｉ−Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）反応法によって簡単で高収率で製造することができる。 （もっと読む）

【課題】新規なチタン錯体の製法、それらを用いたチタン含有薄膜の形成方法の提供。
【解決手段】ジイミンと金属リチウムとを反応させ、次いでテトラキスアミド錯体を反応させることにより一般式（１）で表されるチタン錯体を製造し、そのチタン錯体を原料としてチタン含有薄膜を形成させる。
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【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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【課題】有機金属化合物を精製する方法の提供。
【解決手段】有機金属化合物をトリアルキルアルミニウム化合物および触媒の存在下で加熱することにより有機金属化合物を精製する方法。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【解決手段】 下記一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状の２価炭化水素基、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は炭素数１〜１０の１価炭化水素基、Ｒ⁵は水素原子又はメチル基であり、ｎは０、１又は２である。）
で示されるシリル基で保護されたアミノ基を有するビスオルガノキシシラン化合物。
【効果】 本発明によれば、シリル基で保護されたアミノ基を有するビスオルガノキシシラン化合物を用いることにより、高分子変性剤として用いた場合、フィラーとの相互作用をより強くさせることができ、接着剤の添加剤として用いた場合、接着性、補強性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式、即ち、


及びそれらの混合物によって表され、アミノシランからなる群より選択された前駆体を用いることを含む方法。 （もっと読む）