【課題】フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において短時間で硬化し、ボイドレスの優れた接着性を備えた硬化樹脂層を形成できるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び硬化剤を含有すると共に室温で液状であるエポキシ樹脂組成物に関する。硬化剤として、２−メチルイミダゾールと下記化学式（１）で示される脂環式エポキシとの付加反応物を用いる。このエポキシ樹脂組成物を用いてフリップチップ実装を行えば、動作信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
【化１】
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【課題】エポキシ樹脂硬化物の強靭性の改良。
【解決手段】エポキシ樹脂にゴムが適正に細分化されて、海島構造をとる様に分散され、強靭性が向上する様に、ゴムをエポキシ反応性基を有するニトロキシドラジカルを分子中に有する２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシラジカル（ＴＥＭＰＯ）誘導体により変性された変性ポリマー（Ａ）とし、エポキシ樹脂（Ｂ）及びエポキシ硬化剤（Ｃ）を含んでなる硬化性エポキシ樹脂組成物に加える。 （もっと読む）

【課題】
溶解度、熱安定性および初期粘着力に優れ、速やかに所望の重合度までカチオン重合が進行することにより高い作業性と接着力を有する粘接着材料および該材料を使用した接着方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
下記一般式（１）で表される酸発生剤（Ａ）、粘着性高分子（Ｂ）もしくはその前駆体、およびカチオン重合性化合物（Ｃ）からなる硬化型粘接着材料。
一般式（１）
【化１】


（ただし、Ｒ₀₁、Ｒ₀₂、Ｒ₀₃、Ｒ₀₄およびＲ₀₅は、それぞれ独立に、水素原子などを表すが、少なくとも１つは−ＳＲ₃₁である。
Ｒ₃₁はアルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、それぞれ独立に、水素原子などを表す。
Ｒ₂₁およびＲ₂₂は、それぞれ独立に、アルキル基などを表す。
Ｘ^-は任意のアニオンを表す。） （もっと読む）

提供されているような超小型組立体を構築する方法。型片が集積回路を支持する超小型ダイの上に配置される。封入剤が型片の表面と超小型ダイとの間の空間に射出される。封入剤は、液相のプロキシと、射出時に固相の触媒化合物とを含む。封入剤混合物は、空間内で、触媒化合物が液体となりエポキシを硬化する温度に加熱される。触媒化合物は例えばポリスチレンであり、触媒はジフェニルホスフィンであり得る。次に、ジフェニルホスフィンがポリスチレンから解放されるよう、触媒化合物はそのガラス遷移温度より上に加熱される。次に、ジフェニルホスフィンはエポキシを硬化する。エポキシは室温で液体であるのが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、電子部品の基板への適用に使用される、熱可塑性または熱硬化性のＢ‐ステージになり得る又は予備成形されたフィルム状のアンダーフィル封入剤組成物に関する。組成物は、熱可塑性または熱硬化性樹脂、膨張性微小球、溶剤、任意に触媒を含む。所望により、定着剤、流動添加剤、レオロジー改質剤のような他の添加剤も添加され得る。アンダーフィル封入剤を乾燥又はＢ‐ステージ化して、基板又は部品上に平滑で不粘着性のコーティングを提供し得る。他の態様では、膨張性充填剤が高温適用により膨張して、アセンブリーの所望の部分に独立気泡フォーム構造を形成する。
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