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Fターム[4J038DL16]の内容

塗料、除去剤 (182,219) | 珪素含有連結基高分子 (6,196) | 少なくとも2個だが全てではないSiが酸素原子以外の連結基に結合されているもの (94)

Fターム[4J038DL16]に分類される特許

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【解決手段】下記一般式(1)で示される分子量300〜30,000のオルガノポリシロキサンをベースポリマーとし、縮合硬化を促進する触媒を配合してなり、室温硬化性であることを特徴とする非汚染性シリコーンコーティング剤組成物。
a1bSi(OR2c(4-a-b-c)/2 (1)
(式中、Rはメチル基又はフェニル基、R1はビニル基又はアリル基、R2は水素原子、炭素数1〜6の置換もしくは非置換のアルキル基、又はフェニル基を表す。a,bは1.5以下の正数で、但し0.5≦a+b≦1.5、0.05≦b/(a+b)≦0.5を満足するものであり、cは3未満の正数を表す。)
【効果】本発明の非汚染性シリコーンコーティング剤組成物は、硬化した後の非汚染性に優れ、しかも光劣化が少なく、建物壁面、屋根などに汚染を起こさず、耐候性に優れるものである。 (もっと読む)


【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびに前記絶縁膜形成用組成物を用いたシリカ系絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、(A)成分;下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、(B)成分;下記一般式(3)で表される構造を有するカルボシランとを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。RSi(OR4−a ・・・・・(1) R(RO)3−bSi−(R−Si(OR3−c ・・・(2)


・・・・・(3) (もっと読む)


【課題】 プロセス適応性に優れるシリカ系絶縁膜の形成、すなわちシリカ系絶縁膜の機械強度を向上させるシリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】 (a)成分下記一般式(1)
【化1】


(b)成分下記一般式(2)
【化2】


(c)成分:前記(a)成分を溶解可能な溶媒及び
(d)成分:オニウム塩
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物であって(a)成分の配合割合が(b)成分1モルに対し0.01モル〜0.6モルであるシリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜形成用組成物を基体上に塗布し、塗布された被膜を加熱して硬化膜を形成することを特徴とするシリカ系被膜の製造方法及びシリカ系被膜を有する電子部品。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が低く、かつ、CMP耐性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(1)で表される少なくとも1種のシラン化合物と、(B)下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、(C)金属キレート化合物または酸触媒の少なくとも一方の存在下で共縮合することを含む。
【化1】


・・・・・(1) (もっと読む)


【課題】比誘電率が低く、かつ、CMP耐性および薬液耐性に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(1)で表される少なくとも1種のシラン化合物と、(B)下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、(C)塩基性化合物の存在下で共縮合することを含む。
【化1】


・・・・・(1) (もっと読む)


【課題】吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される少なくとも1種のシランモノマーと、(B)加水分解性基含有シランモノマーと、(C)加水分解性基含有カルボシランとを、塩基性触媒の存在下で共縮合することによって得られたポリマーと、有機溶剤と、を含有する。
【化1】


・・・・・(1) (もっと読む)


本発明は、金属面に対する耐腐食性を改良する方法に関し、この方法は、金属面に組成物を塗布し、架橋のために金属面を乾燥させるステップを具え、前記組成物は、(1)ポリアミンおよび(2)シランの化合物の1つまたは複数の溶媒中に分散剤を具え、前記ポリアミンにおける複数のアミン基は、鎖中の少なくとも4つの中間原子によってアミン窒素原子を離すアルキレンおよびアリーレン基からなる群から選択され少なくとも1つのラジカルに結合し、前記シランは、複数のケイ素が結合した加水分解性基、および、前記アミン基に対して共有結合反応するケイ素が結合した有機基を保持し、分子あたり平均で少なくとも3、好ましくは少なくとも3.5の加水分解性シラン基を具える反応生成物分子を得る。これらの物質は、ペイントプライマとして、優れた利点を示し、高品質の耐腐食性を示す。 (もっと読む)


【課題】誘電率、金属バリア性、耐熱性、耐薬品性、機械強度等の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 一般式(I)で表される化合物、その加水分解物、またはそれらの縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。


一般式(I)中、Qは、炭素原子で形成された環状構造または炭素原子で形成されたカゴ状構造を含む基を表す。lは1〜10の整数を表し、mは0〜10の整数を表し、nは1〜10の整数を表す。Xはそれぞれ独立に任意の置換基を表す。Yはそれぞれ独立に所定の基を表す。n2は1〜10の整数を表す。Rはそれぞれ独立に所定の基を表す。 (もっと読む)


【課題】不純物拡散後の保護膜の剥離が容易であり、より高い保護効果を有するSiO系の膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成組成物は、シリコンウエハへの不純物拡散を行う際に、この不純物拡散を部分的に防止するための保護膜を構成する膜形成組成物であって、高分子ケイ素化合物と、前記不純物拡散の拡散源となる元素と共有結合して価電子が8個となる保護元素を含む化合物とを含有する膜形成組成物である。保護元素は、拡散源としてリンを用いた場合、ガリウム又はアルミニウムが好ましく、ホウ素を用いた場合は、タンタル、ニオブ、ヒ素又はアンチモンであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高い熱安定性を有し、有機溶剤に可溶で且つ製膜性に優れたシルセスキオキサン含有重合体の提供。
【解決手段】式(1−1)で示されるシルセスキオキサン誘導体と、式(a−1)〜式(a−5)で示される化合物とをヒドロシリル化反応させた重合体。
(もっと読む)


【解決手段】被加工基板上に下層膜、その上にケイ素含有膜、更にその上にフォトレジスト膜を形成した後、多段階のエッチングを行う多層レジスト法の中間膜に使用するケイ素含有膜形成用組成物において、下記一般式(1)
(6-m)Si2m (1)
(Rは一価炭化水素基、Xはアルコキシ基、アルカノイルオキシ基又はハロゲン原子、mは6≧m≧3。)
で示されるケイ素−ケイ素結合を有するシラン化合物を含有する、加水分解性シランの単独又は混合物を加水分解縮合して得たケイ素含有ポリマーを含有するエッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物。
【効果】本発明の組成物は、その上に形成したフォトレジストの良好なパターンを形成でき、有機材料との間で高いエッチング選択性が得られる。 (もっと読む)


【課題】複雑な工程を経ることなく簡便な操作で製造でき、保存安定性や硬化性に優れ、可撓性、耐溶剤性、密着性、耐候性、耐光性、耐熱性に優れた硬化被膜を得ることができる硬化性ポリメチルシロキサン樹脂、その製造方法、及び硬化性ポリメチルシロキサン樹脂組成物、その硬化被膜を有する物品を提供する。
【解決手段】Mwが10,000〜100,000、Mnが2,500〜4,000で、MeSi(OR)21/2単位、MeSi(OR)O2/2単位、MeSiO3/2単位、(ME)2Si(OR)O1/2単位及び(Me)2SiO2/2単位(RはH又はC1〜8のアルキル基)を含有し、3官能性シロキサン単位の合計(A)/2官能性シロキサン単位の合計(B)の含有比率がモル比で65/35〜85/15であり、MeSi(OR)O2/2単位/MeSiO3/2単位のモル比が15/85〜30/70である硬化性ポリメチルシロキサン樹脂。 (もっと読む)


【課題】非常に高い安定性を有し、且つ、高度に配列制御されたシロキサン系分子膜、該シロキサン系分子膜の製造方法及び該分子膜を用いた有機デバイスを提供すること。
【解決手段】一般式;Si(A)(A)(A)−B−Si(A)(A)(A)(A〜Aは水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてA〜A>A〜Aの関係を満たす;Bは2価の有機基である)の有機化合物を用いて形成されてなり、膜表面にシロキサンネットワークを有することを特徴とするシロキサン系分子膜および該分子膜を有する有機デバイス。上記有機化合物のA〜Aを有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基でシロキサンネットワークを形成させる工程により単分子膜を作製する。 (もっと読む)


【課題】粗大粒子が少なく、かつ、硬化性が良好なポリカルボシラン、前記ポリカルボシランを含む塗布用シリカ系組成物、および前記塗布用シリカ系組成物を用いて形成されたシリカ系膜を提供する。
【解決手段】ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有するポリマーで、重量平均分子量が300〜1,000,000であり、有機溶媒に可溶であるポリカルボシラン。該ポリカルボシランおよび有機溶剤を含有する塗布用シリカ系組成物、並びに、該塗布用シリカ系組成物から形成したシリカ系膜。 (もっと読む)


【解決手段】(A)25℃における粘度が500mPa・s以上であって、1分子中に少なくとも2個のSi−OH基又は少なくとも2個のオルガノオキシ基を有するオルガノポリシロキサン、
(B)1分子中に少なくとも2個のオルガノオキシ基を有するオルガノシラン又はその部分加水分解物、
(C)有機錫触媒、
(D)25℃における粘度が300mPa・s以下であって、下記平均組成式(1)で示されるSi−OH基含有オルガノポリシロキサン


(R及びR1は1価炭化水素基、a、b、cは0.01<a<0.2、0≦b<0.4、1.7<c<1.9、1.6<(a+b+c)<2.5で示される数)
を含有することを特徴とする室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
【効果】本発明の組成物は、未硬化状態における優れた保存安定性及び耐変色性を有すると共に、硬化後に優れたゴム弾性及び接着性を有する硬化物となり得る。 (もっと読む)


【課題】高い反射防止性を有すると共に、耐薬品性、防汚性に優れたコーティング材組成物を提供する。
【解決手段】(A)の加水分解性オルガノシランと(B)の加水分解性オルガノシランとシリカ系金属酸化物微粒子とを混合した状態で、(A)及び(B)の加水分解性オルガノシランを加水分解した第一の加水分解物と、(A)の加水分解性オルガノシランと(C)の加水分解性オルガノシランとを共重合した、一方の末端にフッ素置換アルキル基を有する第二の加水分解物と、を含有する。
(A)一般式がSiX(Xは加水分解基)
で表わされる加水分解性オルガノシラン、
(B)撥水基を直鎖部に備えると共にアルコキシ基が結合したシリカ原子を分子内に2個以上有する加水分解性オルガノシラン、
(C)フッ素置換アルキル基を有する加水分解性オルガノシラン (もっと読む)


【課題】外力の印加した場合にも、意匠性が維持される水栓を提供する。
【解決手段】本発明では、表面に被覆部が形成された水栓であって、該被覆部は、(A)M−O結合(MはSi、Al、Ti、Zr、Snのいずれか)を有する三次元網目構造体、(B)可塑性ポリマー粒子を備え、前記(A)はM1−O結合(M1はSi、Al、Ti、Zr、Snのいずれか1種)とM2−O結合(M2はSi、Al、Ti、Zr、SnのM1と異なるいずれか1種)の両方を含み、前記可塑性ポリマー粒子は前記被覆部中において、略接することなく分散していることを特徴とする水栓を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、面状が良好なシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた膜を形成できる組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ケイ素含有化合物の加水分解物およびその部分縮合物の少なくともいずれか、有機溶媒、SP値12以上の溶媒を含有する膜形成用組成物であって、SP値12以上の溶媒の量が該膜形成用組成物中0.1質量%以上20質量%未満の範囲であることを特徴とする膜形成用組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも、誘電率特性、膜強度、CMP耐性に優れた膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物から形成される絶縁膜、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】 特定の環状シラン化合物およびシリコン系界面活性剤を含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いた絶縁膜の製造方法、および、該絶縁膜。 (もっと読む)


【課題】 均一に塗膜形成可能な組成物、良好な面状を有し、低誘電率である絶縁膜および該絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式(1)により表される化合物、その加水分解物、及び/または、それらの縮合物、及び、溶媒を含有し、全溶媒中、沸点が85℃〜250℃の有機溶剤が25質量%以上占めることを特徴とする絶縁膜形成用組成物、該組成物を用いた絶縁膜の製造方法及び該絶縁膜。
【化1】


式中、R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素原子または置換基である。ただし、R1及びR2のうち少なくとも1つは加水分解性基を表す。X1は炭素原子またはケイ素原子を表す。L1は2価の連結基を表す。mは0または1を表し、mが0の場合nは3〜5の整数を表し、mが1の場合nは2〜3の整数を表す。 (もっと読む)


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