【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】フルオロポリマーの製造に好適な新規組成物、及び、この組成物を使用したフルオロポリマー水性分散液を製造するための新規な製造方法を提供する。
【解決手段】炭素数が１０〜２０の全フッ素化飽和炭化水素、及び、含フッ素界面活性剤を含むことを特徴とする組成物。 （もっと読む）

【課題】高速硬化が可能で硬化反応が停止しにくい活性光線硬化組成物及び該組成物を用いた活性光線硬化型インクジェット用インクの提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される塩基反応性化合物及び光塩基発生剤を含む活性光線硬化組成物。


上記式中、Ａは脂環式構造又は複素環式構造を表し、置換基を有していても良く、環の中に二重結合を二つ有していても良い。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ａは−（ＣＲ²₂）_m−、Ｂは−（ＣＲ⁵₂）_n−を示し、Ｒ²、Ｒ⁵は水素原子又はアルキル基、Ｒ²同士又はＲ⁵同士が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ、ｎは１又は２、Ｒ⁶はアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基、Ｒ³はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であり、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。ｐは０〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記（ａ）〜（ｃ）を同時に満たす高分子化合物（Ａ）を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
（ａ）分散度が１．２以下
（ｂ）重量平均分子量が２０００以上６５００以下
（ｃ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１４０℃以上 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】酸素透過性及び化学的耐久性に優れ、電解質構造を壊すことなく、Ｆ₂ガスによるフッ素化が可能であり、しかも、安価な電解質を提供すること。
【解決手段】次の（１）式及び（２）で表される構造を備えた電解質。但し、Ｐは、側鎖又は主鎖に多環式骨格を含む多環式構造。Ｑは、Ｒfsと結合する第１パーフルオロカーボンＱ₁を含む構造。Ｍは、水素、又は、アルカリ金属。ａは、０以上１００以下の整数。Ｒf₆、Ｒf₇は、それぞれ、フッ素、又は、炭素数が１〜１０のパーフルオロカーボン。ｔは、１以上１０以下の整数。Ｒfは、ＯＭ（ａ≧０の時）又は炭素数が１〜１０のパーフルオロカーボン（ａ≧１の時）。多環式骨格とは、２以上の環を持ち、前記環を構成する少なくとも１つの炭素が、２以上の前記環の一部となっている構造をいう。
【化１】
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【課題】解像度及び耐溶剤性に優れるパターンを得ることができる硬化性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】樹脂、重合性化合物及び重合開始剤を含み、
樹脂が、式（１）：


［式（１）中、Ｒ^１は炭素数２〜８の２価の炭化水素基を表し、Ｒ^２は水素原子又はメチル基を表す；ｍは１〜２０の整数を表し、ｍが２以上の整数である場合、複数のＲ^１は互いに同一でも異なっていてもよい］で表される単量体に由来する構造単位、及び、カルボキシ基とビニルオキシ基とを有する単量体に由来する構造単位を含む樹脂である硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｘ、ＹはＣＨ又は窒素原子、ｍは１又は２、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基であり、ｎは０又は１である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】軟化温度が高く、高温条件で使用した場合においても機械的強度が保持されうる重合体からなる固体高分子形燃料電池用の電解質材料を提供する。
【解決手段】ラジカル重合反応性を有する含フッ素モノマーに基づく繰り返し単位を含むポリマーからなり、該繰り返し単位は、式（Ａ）で表され（Ｑ^ａ＝炭素鎖長１〜６のペルフルオロアルキレン基、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ５＝ペルフルオロアルキル基又はフッ素原子、ａ＝０〜１、Ｒ^ｆ＝ペルフルオロアルキル基、Ｘ＝酸素原子等、Ｘが酸素原子の場合ｇ＝０）、ポリマーの軟化温度が１２０℃以上である固体高分子形燃料電池用電解質材料。
［化１］
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【課題】簡便かつ経済的な製法によって、炭酸ビニレンを高収率で製造可能にする方法の提供。
【解決手段】式（ＩＩ）で表される炭酸モノハロエチレン


（式中、Ｘはハロゲン原子である）を脱水素ハロゲン化試薬と、有機溶媒存在のもと４０〜８０℃の範囲の温度で１〜４時間加熱して反応させることにより、炭酸ビニレンを製造する方法であって、用いられる有機溶媒が炭酸エチレンである製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）で示されることを特徴とする重合性モノマー。


（式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基である。Ｒ²は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ³は、酸不安定基である。ｍは、１〜４の整数である。）
【効果】本発明の重合性モノマーを（共）重合して得られる高分子化合物をベース樹脂とするポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、本発明によれば、特に超ＬＳＩ製造用又はフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料等として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、成形性および耐薬品性が向上した炭素繊維強化プラスチックを提供し、さらに種々の用途に適用可能な成形体を提供する。
【解決手段】官能基含有ポリ-４-メチル-１-ペンテンと、前記官能基含有ポリ-４-メチル-１-ペンテンの官能基と反応可能な基が導入されるように表面処理された炭素繊維とを含む、炭素繊維強化ポリ-４-メチル-１-ペンテン複合材料。官能基含有ポリ-４-メチル-１-ペンテンは、ポリ-４-メチル-１-ペンテンをグラフト変性したものであることが好ましく、炭素繊維の表面処理は、サイジング処理であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】軟化温度が高く、かつ、酸素透過性及びプロトン伝導性に優れた高分子電解質及びその製造方法、このような高分子電解質の原料として使用することが可能なイミドモノマ、並びに、このような高分子電解質を用いた電池を提供すること。
【解決手段】高分子の主鎖又は側鎖に、脂環式１，３−ジスルホンイミドを有する含フッ素構造を備えた高分子電解質及びこれを用いた電池。重合反応又は重合反応＋フッ素化反応により、高分子の主鎖又は側鎖に脂環式１，３−ジスルホンイミドを有する含フッ素構造を導入可能なイミドモノマ。重合反応又は重合反応＋フッ素化反応により、高分子の主鎖又は側鎖に脂環式１，３−ジスルホンイミドを有する含フッ素構造を導入可能な１種又は２種以上のイミドモノマを含む原料を重合させる重合工程を備えた高分子電解質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】現像性が改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好なパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する樹脂（Ｂ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。


（式中、Ｘは、置換基を有していてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙは、電子求引性基を表す。Ｒｆは、構成炭素上の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を表す。ｎは、０以上の整数を表す。） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基のＨが下記一般式（１）の酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、ヒドロキシ基、ラクトン環、エーテル基、エステル基、カルボニル基、シアノ基、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、環状の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、カーボネート基から選ばれる密着性基を有する繰り返し単位とを共重合してなる樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】ポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高解像性で、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好な上、酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】軟化温度が高く、かつ、酸素透過性及びプロトン伝導性に優れた高酸素透過電解質及びその製造方法、並びに、このような高酸素透過電解質の原料として使用することが可能なスルホンイミドモノマを提供する。
【解決手段】（Ａ）式で表される構造を備えた高酸素透過電解質。但し、Ｐは脂環式構造を備えたパーフルオロカーボン。Ｐ'は脂環式構造、又は、脂環式構造及び鎖式構造を備えたパーフルオロカーボン。Ｑは、直接結合、又は、鎖式構造若しくは脂環式構造を備えたパーフルオロカーボン。ａは、１以上の整数。ｎは、１以上の整数であり、繰り返し単位の中のｎは互いに異なっていても良い。Ｒ¹は、ＯＨ又はスルホンイミド基を介したパーフルオロカーボン基（−ＮＨＳＯ₂Ｒf¹）。
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【課題】機能性材料、医薬・農薬等の原料として、中でも感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための含フッ素単量体、及び、該含フッ素単量体を極めて容易にかつ安価に製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】相当するフッ素アルコール化合物をエステル化して得られる一般式（５）で示される含フッ素単量体。


（Ｒ^１はＨ、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示し、この時、−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４はそれぞれＨ、又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示し、Ｒ^５はＨ、Ｆ、−ＣＨ_３又は−ＣＦ_３を示す。） （もっと読む）