【課題】耐熱性に優れたスチレン系樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】クマリン系化合物単位２５〜５８．４質量％および芳香族ビニル化合物単位４１．６〜７５質量％からなり、数平均分子量が５０００〜３００００００であるクマリン系化合物−芳香族ビニル化合物共重合体の製造方法であって、クマリン系化合物および芳香族ビニル化合物を、ハロゲン化アルキルアルミニウム化合物などのルイス酸の存在下でラジカル重合する共重合するクマリン系化合物−芳香族ビニル化合物共重合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性（イオン交換容量）が高く、かつ軟化温度が高い電解質材料を提供する。
【解決手段】下式（１）で表される繰り返し単位と、下式（２）で表される繰り返し単位とを含む共重合体からなる電解質材料。
［化１］


Ｒ^Ｆはフッ素原子等、Ｘ^１、Ｘ^２はフッ素原子またはトリフルオロメチル基、ｍは２〜４、Ｙは水酸基等である。 （もっと読む）

【課題】イマージョン液が非水系液状媒体であるイマージョンリソグラフィー法に用いられるレジスト保護膜およびレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】イマージョン液が非水系液状媒体であるイマージョンリソグラフィー法に用いられるレジスト保護膜用のアルカリ溶解性のレジスト保護膜用材料であって、重合体状含フッ素化合物（Ｆ）を含みデカリンに対する後退角が４０°以上であるレジスト保護膜用材料、前記イマージョンリソグラフィー法によるレジストパターンの形成方法であって、感光性レジストを基板上に塗布して基板上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜上に前記レジスト保護膜用材料を含むレジスト保護膜形成組成物を塗布してレジスト膜上にレジスト保護膜を形成する工程、イマージョンリソグラフィー工程、および、現像工程をこの順に行う、基板上にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、耐水性に優れ、フォトレジスト樹脂層に均一な塗膜形成が可能であり、さらにアルカリ現像液で溶解処理が可能であるレジスト保護膜用樹脂及びその保護膜を使用した半導体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は分子中に環状酸無水物骨格を有する重合単位を少なくとも含む半導体レジスト樹脂の保護膜用樹脂を提供する。また、環状酸無水物骨格を有する重合単位が例えば、下記式（１Ａ）及び（１Ｂ）
【化１】



（上記式（１Ａ）及び（１Ｂ）において、Ｒ^１及びＲ^２は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｎは０から３の整数を示す。）
のいずれかで表される重合単位などを含む半導体レジスト樹脂の保護膜用樹脂である。 （もっと読む）

【課題】高いばね定数と低い転がり抵抗性とを高次バランス化させた空気入りタイヤの提供。
【解決手段】（１）１，３−ブタジエンとＣ₄留分を主成分とする不活性有機溶媒との混合物の水分の濃度を調節し、（２）次いで、シス−１，４重合の触媒を前記混合物に添加して１，３−ブタジエンをシス−１，４重合し、（３）次いで、得られた重合反応混合物中に１，２重合触媒を存在させて、１，３−ブタジエンを１，２重合させて得られたビニル・シス−ポリブタジエンゴム５〜６０部並びにＮＲ，ＩＲ，ＳＢＲ及び／又はＢＲ９５〜４０重量部からなるゴム成分１００部、４０％以上がＮ₂ＳＡが２０〜４５ｍ²／ｇのカーボンブラック３０〜８０部を含み、式（Ｉ）：


のチウラム化合物０．２〜３重量部を含むゴム組成物をカーカス被覆ゴムに用いた空気入りタイヤ。 （もっと読む）

本発明は、・少なくとも１種の熱可塑性水素含有フルオロポリマー［ポリマー（Ａ）］；および・温度２８０℃、剪断速度１ｒａｄ×ｓｅｃ^−１で１０Ｐａ×ｓｅｃ未満の動的粘度を有するテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）コポリマーから選択される、（Ａ）の０．１〜１０重量％の、少なくとも１種のペル（ハロ）フルオロポリマー［ポリマー（Ｂ）］、を含む熱可塑性フルオロポリマー組成物に関する。低溶融粘度のＴＦＥコポリマー［ポリマー（Ｂ）］を添加すると、有利なことには、熱可塑性水素含有フルオロポリマー（Ａ）のレオロジー的挙動を改良することが可能となり、過酷度のより低い条件で加工することができ、傑出した表面の様子ならびに良好な均質性および凝集性を有する最終部品を製造することができる。本発明のさらなる目的は、前記熱可塑性フルオロポリマー組成物を製造するための方法、ならびに前記熱可塑性フルオロポリマー組成物を含む、たとえば成形物品、フィルム、ケーブル外装、パイプ、フレキシブルパイプ、中空体などの物品である。 （もっと読む）

本発明は、フルオロポリマー［ポリマー（Ｆ）］を製造するための重合方法に関し、前記方法には重合媒体中で少なくとも１種のフッ素化モノマーを重合させる工程が含まれ、ここで、前記重合媒体は、少なくとも２個の逆方向に回転するインペラを含む撹拌システムにより混合される。意外にも、その重合が、有利なことには、反応器の壁上にファウリングや析出物を形成することなく起きることが観察された。さらに、その重合方法は、有利なことには、組成、圧力もしくは温度の勾配なしで、改良された均質性をもって生じるので、局所的に過熱されるという危険性もなく、均質なポリマー組成物を得ることが可能となる。最後に、本発明の方法から得られるポリマー（Ｆ）は、有利には、改良されたモルフォロジー（組織化された構造のパーセント、すなわち、規則的な形の粒子のパーセント）を有していて、そのために、有利なことには良好な自由流動性が得られて、中間体の引延しもしくは研磨工程またはその他のサイズリダクション工程を必要とすることなく、圧縮成形によって加工することが可能となる。本発明のさらなる目的は、フルオロポリマー［ポリマー（Ｆ）］および成形方法である。
（もっと読む）

本発明は、フルオロポリマーの分散体を精製するための方法に関し、前記方法には以下の工程が含まれる：（ｉ）１５重量％以上の固形分含量（ＳＣ）を有する、少なくとも１種のフッ素化界面活性剤［界面活性剤（ＦＳ）］を含む少なくとも１種のフルオロポリマー［ポリマー（Ｆ）］の水性分散体（Ｄ）を提供する工程；（ｉｉ）前記水性分散体（Ｄ）に少なくとも１種の非イオン性非フッ素化界面活性剤［界面活性剤（ＮＳ）］を添加する工程；（ｉｉｉ）前記固形分含量（ＳＣ）を１０重量％未満に調節して、希釈された水性分散体（ｄＤ）を得る工程；（ｉｖ）前記希釈された水性分散体（ｄＤ）を少なくとも１種の吸着性物質と接触させて、固形分の全重量を基準にして１ｐｐｍ未満のフッ素化界面活性剤（ＦＳ）の含量を有する、ポリマー（Ｆ）の水性分散体を得る工程。本発明の目的はさらに、１ｐｐｍ未満のフッ素化界面活性剤を含む水性フルオロポリマーの分散体である。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＢ温度依存性、ラインエッジラフネス（ＬＷＲ）、ダーク／ブライトパターン形状差、現像欠陥、及びドライエッチング耐性について、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）ラクトン構造を有し、且つシアノ基を有する繰り返し単位（Ａ１）を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）ラクトン構造を有し、且つシアノ基を有さない繰り返し単位（Ｂ１）を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｄ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

-10℃で60％より低く、好ましくは50％より低く、-25℃で90％より低く、好ましくは75％より低い、24時間後の圧縮永久歪(ASTM D 395/B)を有し、10モル％より高い量でヘキサフルオロプロペン(HFP)および式：CF₂=CFOCF₂OCF₃ (a)のビニルエーテルを含み、本出願に記載されたFT-IR分光分析法を用いる方法の感度限界より低いポリマー中の-COF末端基の量を有する、VDF硬化性フルオロエラストマー、イオン硬化フルオロエラストマー。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性と耐熱性及び接着力は勿論、現像液に容易に溶解しないＡｒＦ感光膜樹脂及びその製造方法を提供することを目的とし、さらに、この新規のＡｒＦ感光膜樹脂に用いる共重合体及び共重合体を製造する方法、及び、前記ＡｒＦ感光膜樹脂を含む感光膜及び感光膜の製造方法を提供する。また、前記ＡｒＦ感光膜樹脂を含むフォトレジストを利用した半導体装置及び半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】遠紫外線領域で用いることができる新規のフォトレジスト物質であり、ビシクロアルケン誘導体と無水マレイン酸、又はビニレンカルボネートを共重合させた３，０００〜１００，０００分子量の共重合体であり、本発明の共重合体は優れたエッチング耐性と耐熱性及び接着性を有するだけでなく、現像液のＴＭＡＨ溶液を用いて現像することが可能である。 （もっと読む）

【課題】光学特性、耐熱性、接着性、密着性および耐吸湿性のいずれにも優れた環状オレフィン系重合体を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）に示す繰り返し単位を含む環状オレフィン系重合体。


一般式（１）中、Ｒ^１は置換基を表し、Ｒ^２は置換されていてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、Ｌは単結合または２価の連結基を表す。ただし、Ｌが２価の連結基の場合、ＬとＣ＝Ｏの結合は炭素−炭素結合である。ｐは、０または１の整数、ｑは０〜３の整数、ｒは１〜４の整数を表す。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＬが結合する環骨格の炭素原子、または２つのＲ^２は互いに結合して５〜７員の環を形成していても良い。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）：ＲｆＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ＝ＣＨ_２［Ｒｆ：−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎＦ、ｎ：１〜４］で表されるパーフルオロアルキル−エチル−ビニルエーテル（１）、不飽和二塩基酸無水物（２）及びエーテル結合を有していてもよいフッ素化オレフィン（３）（但し、式（１）の化合物を除く。）を共重合してなる、低誘電率、低屈折率の膜を形成用の架橋性含フッ素共重合体並びに、上記共重合体と架橋剤を含む、低誘電率、低屈折率の膜を形成用の共重合体組成物。化合物（１）４０〜６０モル％と、不飽和二塩基酸無水物（２）１０〜４０モル％と、フッ素化オレフィン（３）１０〜４０モル％（全共重合成分の合計を１００モル％）の量で共重合してなるものが好ましい。
【効果】熱、光照射にて架橋し製膜可能であり、低誘電率、低屈折率の膜を形成し得る、溶剤可溶性の架橋性含フッ素共重合体、その製法及び架橋性含フッ素共重合体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物、ならびに該組成物から層間絶縁膜およびマイクロレンズを形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記感放射線性組成物は、（ａ１）不飽和カルボン酸および不飽和カルボン酸無水物から選択される少なくとも１種、（ａ２）特定のオキセタン基含有不飽和化合物、および（ａ３）特定のエーテル構造を有する不飽和化合物の共重合体、ならびに〔Ｂ〕１，２−キノンジアジド化合物を含有する。 （もっと読む）

【課題】
合成が容易で、重合時の体積収縮に起因する問題が少ない樹脂を製造することができるスピロオルソエステル、ジスピロオルソエステル、それらの合成法、及びそれらの重合物を提供すること。
【解決手段】
スピロオルソエステル、ジスピロオルソエステル、それらの合成法、及びそれらの重合物。 （もっと読む）

【課題】環境および人に対して害がなく、製品化が容易なフルオロポリマー材料を提供する。
【解決手段】フルオロ化界面活性剤、特にフルオロ化イオン性界面活性剤、好ましくはペルフルオロオクタン酸またはその塩を実質的に含まず、陰イオン性高分子電解質を含む微細フルオロポリマー粉末とする。 （もっと読む）

【課題】柔軟で伝送損失の低い光導波路、特に、光ファイバ（ＰＯＦ）を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、下記一般式（２）で表される繰り返し単位とを含むポリマーからなる領域を有する光導波路。
一般式（１）
【化１】


（一般式（１）中、Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ、アルキル基またはアリール基を表す。）
一般式（２）
【化２】


（一般式（２）中、Ｒ³はアルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｒ⁴はアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】 低吸湿性、透明性に優れ、かつ良好な機械強度、耐熱性を有するポリマーを提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、下記一般式（２）で表される繰り返し単位とを含む共重合体。一般式（１）


（一般式（１）中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表す。）一般式（２）


（一般式（２）中、Ｒ²はアルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す。） （もっと読む）

【課題】 優れた耐熱性および機械強度、低吸湿性、ならびに、透明性を有する共重合体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、下記一般式（２）で表される繰り返し単位の両方を含む共重合体。一般式（１）


（一般式（１）中、Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。ただし、Ｒ¹およびＲ²の少なくとも一方は、フッ素原子を含む炭素数２〜６のアルキル基、またはフッ素原子を含むアリール基を表す。）一般式（２）


（一般式（２）中、Ｒ³はアルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表し、Ｒ⁴はアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低反射率特性に優れた塗膜を形成することができる反射防止フィルム形成に優れた共重合体等を提供する。
【解決手段】（ａ）下記一般式（１）で表される構造単位２０〜７０モル％、
（ｂ）下記一般式（２）で表される構造単位０．１〜３０モル％、および
（ｃ）下記一般式（３）で表される構造単位１０〜７０モル％、
を含有し、かつ、重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００である共重合体。
【化１】


（一般式（１）中、Ｒ¹は含フッ素アルキル基を表す。）
【化２】


（一般式（２）中、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
【化３】


（一般式（３）中、Ｒ⁴〜Ｒ⁷は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基を表し、ｍは１または２を表す。） （もっと読む）