【課題】露光ラチチュードが大きく優れ、良好な矩形のパターン形状を形成することができ、且つ液浸露光時には液浸液への溶出が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する下記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、クエンチャーと、有機溶剤とを含み、該有機溶剤が互いに異なる４種以上の有機溶剤を含み、かつ該互いに異なる４種以上の有機溶剤のうちの少なくとも１種が環状ケトン系有機溶剤であるレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて安定に形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、及び該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたポジ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、（Ａ）成分として、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位を有する樹脂成分を用い、現像液として極性有機溶剤を含み、実質的にアルカリ成分を含まない現像液を用いる。 （もっと読む）

【課題】良好なＬＷＲとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示すレジスト組成物の提供。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）１−アルキルシクロペンチル（メタ）アクリレート及び／又は１−アルキルシクロヘキシル（メタ）アクリレート構造の繰り返し単位を１つ以上有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物、（Ｂ）高エネルギー線に感応し下記一般式（３）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤、及び、（Ｃ）下記一般式（４）で示されるスルホン酸オニウム塩を含むレジスト組成物。


（もっと読む）

【課題】アセタール部分を含む（メタ）アクリラートモノマー、このモノマーから形成される単位を含むポリマー、およびこのポリマーを含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】２個のアセタール環構造を有するアルコールから得られる(メタ)アクリル酸エステルモノマー。該モノマー、ポリマー、およびフォトレジスト組成物はフォトリソグラフィパターン形成に有用である。前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、フォトリソグラフィパターンを形成する方法、および電子デバイスも提供する。この組成物、方法およびコーティングされた基体には、半導体デバイスの製造における特別な適用性が見いだした。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度を有するレジストパターンを得ることができる樹脂及びレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位を有する樹脂。


［式中、Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す；Ｒ^２は、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、単結合等を表す；Ｒ^３は、式（ｂ）で表される基である；---は単結合又は二重結合を表す；ｘ１は１又は２、ｘ２は０又は１、ｘ１＋ｘ２＝２である。］ （もっと読む）

【課題】 少ない紫外線照射量で配向の制御が可能な液晶配向性を有し、任意のプレチルト角を得ることができ、光安定性に優れた液晶の配向層用組成物及び溶剤等により浸食されない当該組成物を用いた光配向可能な液晶配向層を提供し、更に、当該液晶配向層を用いた液晶表示素子及び光学補償フィルム等の光学異方体を提供する。
【解決手段】 (a)光化学的に異性化可能な部位を有するポリマーと、(b)光化学的に架橋可能な部位を有するポリマーとを含み、前記(a)及び(b)が異なった構造を有することを特徴とする液晶の配向層用組成物及び当該組成物を用いた液晶配向層を提供する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも、アセタール骨格を有する単量体と、ラクトン環を有する単量体と、極性基を有する単量体を共重合させて重合体を製造する方法において、アセタール骨格の分解を抑制しつつ、重合体溶液中の重合体を沈殿させて精製できるようにする。
【解決手段】極性基を有する単量体として、水酸基以外の極性基を有する単量体を用い、単量体を共重合させて得られた重合体を含む重合体溶液を、水分含有量が１０質量％未満のアルコールと混合して、重合体溶液中の重合体を沈殿させる。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能、及び、コーナー・プロキシミティ（Ｃｏｎｅｒ ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ）性能に優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ１）で表される基を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、及び、（Ｄ）溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。



一般式（Ａ１）において、Ｒ_３は酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｒ_４は水素原子又は−ＣＯ_２Ｒ_５で表される基を表す。Ｒ_５は、ヘテロ原子を含んでもよい、１価の炭化水素基を表す。Ｒ_６は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はシアノ基を表す。 （もっと読む）

【課題】イオン伝導性、耐熱性、機械的強度に優れ、乾湿寸法変化が低減された複合化高分子電解質膜を提供する。
【解決手段】耐炎化ポリアクリロニトリルを有する複合化高分子電解質膜であって、前記複合高分子電解質膜の製造方法は、下記工程を有する。（１）電解紡糸法でポリアクリロニトリルの不織布を得る工程。（２）ポリアクリロニトリルの不織布をポリアクリロニトリルの軟化点以上で加圧プレスした後に、酸素を有するガス中で２００℃以上、３００℃以下で加熱処理する工程。（４）高分子電解質を該不織布の空隙に充填する工程。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）のレジストパターンを製造することができるレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂並びに該樹脂と酸発生剤とを含有するレジスト組成物。式中、Ｔ^１は置換基を有してもよいスルトン環であり、Ｚ^１は置換基を有してもよいアルカンジイル基又は式（ａ−１）である。
（もっと読む）

【課題】特定の構造単位を有する樹脂を含有する新規なポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するポジ型レジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに環を形成する；Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよいアルキル基、水素原子又はハロゲン原子；Ｔ^１は、２価の脂肪族飽和炭化水素基等；ｍは０又は１の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性のレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa１及びＲ^ab1は水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸の作用により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断されない原子又は基；ｎ^aa１は１又は２を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、ニトリル基又はニトロ基で置換されていてもよく、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ａ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、該レジスト組成物用として好適な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）として、一般式（ａ５−１）で表される構成単位（ａ５）を有する高分子化合物（Ａ１）を含むレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にし、および最新技術に関連する１以上の上記課題を回避するかまたは顕著に改善する、改良されたポリマー、フォトレジスト組成物、およびネガティブトーン現像のためのフォトリソグラフィ方法の開発。
【解決手段】特定のアセタール部分を含む単位と、ラクトン部分を含む単位とを含むポリマー。このポリマーを含むフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法。このポリマー、組成物、方法およびコーティングされた基体には、半導体デバイスの製造における特別な適用性が見いだされる。 （もっと読む）

【課題】パターン形成性、ＭＥＥＦ性能及びエッチング耐性に優れる感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、重合体及び化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）を有する重合体及び酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】電子デバイス製造におけるネガティブトーン現像プロセスを用いて微細パターンの形成を可能にするフォトグラフィ法を提供。
【解決手段】特定のアセタール部分を有する単位を含むポリマー、およびこのポリマーを含むフォトレジスト組成物、前記フォトレジスト組成物でコーティングされた基体、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法により、電子デバイスの製造においてフォトグラフィ処理における厚さ損失の低減、並びにパターン崩壊マージン、解像度およびフォトスピードの向上をもたらしうることが見いだされた。 （もっと読む）

【課題】高解像性を有し、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好で、ラインエッジラフネスが小いポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される単量体。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、ＣＨ₃又はＣＦ₃、Ｒ²はＨ又は一価又は二価の炭化水素基、Ｒ³は特定の酸不安定基、Ａ¹は二価の炭化水素基、Ａ²は二価又は三価の炭化水素基、Ａ²とＲ²は互いに結合して隣接する窒素原子と共に環を形成してもよい。ｋ¹は０又は１。） （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩を有効成分として含有する酸発生剤と、式（ａ３−２）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基；Ｌ^２は単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｒ^１は脂肪族炭化水素基；Ｒ^２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基等；Ｚ^＋は有機対イオン；Ｌ^a5は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−、ｋ３は１〜７の整数、＊は−ＣＯ−との結合手；Ｒ^a22はカルボキシ基、シアノ基又は脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）