Fターム[4J100BA11]の内容
付加系(共)重合体、後処理、化学変成 (209,625) | 構成元素 (28,779) | O含有基 (18,190) | =O(ケトン)基 (1,206)
Fターム[4J100BA11]に分類される特許
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ポジ型レジスト組成物
【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式(I)で表される化合物とを含むポジ型レジスト組成物。
[式中、R1は、ヒドロキシ基、アルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基、脂環式及び芳香族炭化水素基はヒドロキシ基又はアルキル基で置換されていてもよい;X1は、2価の飽和炭化水素基を表し、2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい;R2は飽和炭化水素基;u1は0〜2の整数、s1は1又は2、t1は0又は1、但し、s1+t1は1又は2である。]
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レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(a)で表される構造単位を有する樹脂;式(a4−8)で表される構造単位を有する樹脂;(B)酸発生剤;(D)溶剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R3は、式(b)で表されるスルホラン環基;Aa41は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等;Ra42は、脂肪族炭化水素基を表す。]
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共役ジエン系エラストマーおよびその製造方法並びにゴム組成物、ゴム弾性体およびタイヤ
【課題】優れた機械的強度を有するゴム弾性体を得ることのできる共役ジエン系エラストマーおよびその製造方法並びにゴム組成物を提供すること、また、優れた機械的強度を有するゴム弾性体およびタイヤを提供する。
【解決手段】共役ジエン系エラストマーは、共役ジエン化合物に由来の繰り返し単位、または、共役ジエン化合物に由来の繰り返し単位と単環芳香族ビニル化合物に由来の繰り返し単位とを含有する共役ジエン系エラストマーにおいて、芳香族系の多環式化合物に由来の置換基または芳香族系の多環式化合物に由来の繰り返し単位を有することを特徴とする。
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リチウムイオン二次電池用炭素材料、負極及びリチウムイオン二次電池
【課題】初期充放電効率、安全性の高い非水電解液二次電池を提供する。
【解決手段】炭素活物質A及びポリマーBを含有し、ポリマーBが式(1)で表される単位を有し、重量平均分子量が300以上であるリチウムイオン二次電池負極材料とする。
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2−(2−オキソ−3−オキサゾリジニル)エチル=アクリラートを含む重合体、分散剤及び顔料分散液
【課題】顔料の微粒分散が可能であり、得られる顔料分散液の粘度も低く、且つ長期間に渡り安定な顔料の分散性を維持することができる、2−(2−オキソ−3−オキサゾリジニル)エチル=アクリラートを含む重合体、前記重合体を含む分散剤及び前記分散剤を含む顔料分散液を提供する。
【解決手段】単量体成分として、2−(2−オキソ−3−オキサゾリジニル)エチル=アクリラートを含み、水及び/又は有機溶剤を媒体とした溶液重合により製造される重合体。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂及び式(B1)で表される塩を含有するレジスト組成物。
[式中、R1は水素原子又はメチル基;R2は、ヒドロキシ基又はアルキル基;A1は、単結合等;lは0〜3の整数;Q1及びQ2は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基;Lb1は2価の飽和炭化水素基;Yは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基;Z+は有機カチオンを表す。]
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感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
【課題】パターン形状、ラフネス性能、及び、オーバー露光マージンに優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、(C)下記一般式(C−I)により表される化合物、又は、下記一般式(C−I)により表される化合物の複数が連結基を介して結合された構造を有する化合物、及び、(G)溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】リソグラフィー技術を用いたレジストパターン製造では、設計寸法がますます微細化していくことに従い、優れたCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物が求められるようになってきた。
【解決手段】以下の(A)及び式(I)で表される塩を含有するレジスト組成物。
(A)酸不安定基を含む第1の構造単位と、ラクトン環を含む第2の構造単位とを有する樹脂;
[式(I)中、Q1及びQ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。L1は、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、nが0の場合、L1は単結合ではない。R1は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Z+は、有機カチオンを表す。]
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シロキサン化合物およびその硬化物
【課題】従来のシルセスキオキサンに比較して、より耐熱性を高め、低温で流動性を有し、成形が容易なシロキサン化合物および硬化させた硬化物を提供。
【解決手段】繰り返し数3〜8のSi−O結合を持つ環状シロキサン化合物の少なくとも一つの珪素基上に、末端に二重結合基、三重結合基、マレイミド基等の架橋基を有し繰り返し数0〜9のSi−O結合を持つ直鎖状シロキサン結合を有する置換基を導入したシロキサン化合物およびこの化合物を加熱等の手段により架橋させた硬化物。
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法
【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状に優れ、且つ高感度なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、基材成分(A)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)と、ヒドロキシアダマンチル基を有する(メタ)アクリレート単位(a5)とを有する樹脂成分(A1)を含有し、酸分解性基を分解させるための活性化エネルギーが100kJ/mol以下であるレジスト組成物。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れた露光マージン(EL)を有するレジストパターンの提供。
【解決手段】式(I)で表される塩と、式(II)で表される塩と、樹脂とを含有するレジスト組成物。
[式(I)及び式(II)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。X1及びX2は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基等を表す。nは1又は2を表す。(Z1)+及び(Z2)+は、有機対イオンを表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】優れたフォーカスマージン(DOF)でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される塩。
[式中、R1−5、L1−CH2−、Yは特定の基。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】レジストパターンの製造時のフォーカスマージンが良好であり、且つ欠陥が少ないレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R3は水素原子又はメチル基を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】CD均一性が良好で、かつ欠陥が少ないパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R2は、フッ素原子を有する炭化水素基;環T1は、スルトン環を表す。]
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金属不純物量の少ない半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該共重合体を製造するための重合開始剤の精製方法
【課題】簡便かつ効率的な、金属不純物量が極めて少ない半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該共重合体を製造するための重合開始剤の精製方法の提供。
【解決手段】本発明の重合体の製造に用いる重合開始剤の精製方法は、有機溶剤に溶解された重合開始剤の溶液を、公称孔径が1.0μm以下のフィルターに通液させて、重合開始剤溶液のナトリウム含有量を、重合開始剤の質量に対して、300ppb以下に低減させる、通液工程を含んでなるものである。さらに、本発明の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法は、上記の精製方法により精製された重合開始剤の存在下、ラジカル重合反応により、該半導体リソグラフィー用重合体を合成する、重合工程を含むものである。
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】パターン倒れが少ないレジスト組成物の提供。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R2はフッ素原子を有する炭化水素基;環T1はスルトン環を表す。]
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】パターン倒れ及び欠陥の少ないレジスト組成物の提供。
【解決手段】(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、(A2)アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び(B)式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式中、R1は、水素原子又はメチル基;A1は、−(CH2)m1−、−(CH2)m2−O−(CH2)m3−又は−(CH2)m4−CO−O−(CH2)m5−;m1〜m5はそれぞれ1〜6の整数;R2はフッ素原子を有する炭化水素基;R3及びR4は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基;X1は2価の飽和炭化水素基;R5は環状エーテル構造を含む基;Z1+は有機カチオンを表す。]
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター(MEF)が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式(I)で表される塩。
[式(I)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。Z1+は、有機対イオンを表す。]
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レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物によるパターン形成方法、及び該レジスト組成物用として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液溶解性が変化する基材成分(A)は、式(a0−1)で表される構成単位と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位と、酸分解性基を含む構成単位とを有する樹脂成分(A1)を含有する。[化1]
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ネガ型現像用レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
【課題】リソグラフィー特性に優れたネガ型現像用レジスト組成物、及び該ネガ型現像用レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、logP値が2.7以下であり、且つ、pKaが−3.5以上である酸を発生する酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。
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