シロキサン化合物およびその硬化物
【課題】従来のシルセスキオキサンに比較して、より耐熱性を高め、低温で流動性を有し、成形が容易なシロキサン化合物および硬化させた硬化物を提供。
【解決手段】繰り返し数３〜８のＳｉ−Ｏ結合を持つ環状シロキサン化合物の少なくとも一つの珪素基上に、末端に二重結合基、三重結合基、マレイミド基等の架橋基を有し繰り返し数０〜９のＳｉ−Ｏ結合を持つ直鎖状シロキサン結合を有する置換基を導入したシロキサン化合物およびこの化合物を加熱等の手段により架橋させた硬化物。
【解決手段】繰り返し数３〜８のＳｉ−Ｏ結合を持つ環状シロキサン化合物の少なくとも一つの珪素基上に、末端に二重結合基、三重結合基、マレイミド基等の架橋基を有し繰り返し数０〜９のＳｉ−Ｏ結合を持つ直鎖状シロキサン結合を有する置換基を導入したシロキサン化合物およびこの化合物を加熱等の手段により架橋させた硬化物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱性を有する樹脂、特にシロキサン系化合物およびその硬化物に関する。本発明のシロキサン化合物を硬化させた硬化物は、半導体用など耐熱性を要求される種々の封止材、接着剤等、さらには無色透明な場合は光学部材用封止材、レンズ材料または光学用薄膜等にも使用できる。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等の半導体用封止材は、動作中の半導体の発熱に耐える耐熱性が要求される。
【０００３】
従来、耐熱性樹脂であるエポキシ樹脂またはシリコーンが、半導体の封止材として用いられてきた。しかしながら、ケイ素（Ｓｉ）を用いた半導体に比べ耐電圧性が高い、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いたパワー半導体に代表される高性能な半導体に用いると、パワー半導体の発熱量が多いため、従来のエポキシ樹脂またはシリコーンによる封止材は耐熱性が十分でなく、半導体の動作中に熱分解を起こし易いという問題があった。
【０００４】
エポキシ樹脂またはシリコーンに比べて耐熱性の高い樹脂に、ポリイミドが挙げられる。特許文献１には、ポリイミド前駆体組成物膜を２３０℃〜３００℃に加熱して硬化させ形成する半導体素子の表面保護膜が開示される。しかしながら、ポリイミド前駆体組成物は室温（２０℃）付近の低温領域において固体であるために成形性に乏しいという問題があった。
【０００５】
他に、耐熱性を有する材料として、例えば、アルキルトリアルコキシシラン等を加水分解し縮重合させてなるネットワーク状ポリシロキサンであるシルセスキオキサンが挙げられる。シルセスキオキサンにおいては、無機物であるシロキサン骨格の持つ高耐熱性とそれに結合する有機基の特性を生かした分子設計が可能であり、様々な用途に使用される。また、シルセスキオキサンは、常温で液体のものもあり、基材表面に垂らした後に、加熱または紫外線照射で縮重合させて硬化させるポッティング加工が可能である。
【０００６】
シルセスキオキサンの合成方法は、例えば、特許文献２〜５、非特許文献１〜６に開示されている。
【０００７】
耐熱性と成形性を兼ね備えたシルセスキオキサンを用いた封止材料は、種々検討されている。しかしながら、２５０℃以上の高温下で、数千時間に渡って加熱しても劣化しない材料は、未だ得られていない。
【０００８】
半導体等を封止する際に、ポッティング加工可能な常温付近で液体のシルセスキオキサンの合成には、ヒドロシリル化反応を用いる場合が多く、ヒドロシリル化反応によって形成されたシルセスキオキサン末端のアルキレン鎖、例えばプロピレン鎖が耐熱性の劣化の原因となる問題があった。（非特許文献５および非特許文献６を参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−２７０６１１号公報
【特許文献２】特開２００４−１４３４４９号公報
【特許文献３】特開２００７−１５９９１号公報
【特許文献４】特開２００９−１９１０２４号公報
【特許文献５】特開２００９−２６９８２０号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｉ． Ｈａｓｅｇａｗａ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｌｅｔｔ．， ｐｐ．１３１９(１９８８)、
【非特許文献２】Ｖ． Ｓｕｄａｒｓａｎａｎ ｅｔ al., J. Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， ｐｐ１８９２(２００７)
【非特許文献３】Ｍ． Ａ． Ｅｓｔｅｒｕｅｌａｓ， ｅｔ ａｌ., Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ， ｐｐ３８９１(２００４)
【非特許文献４】Ａ． Ｍｏｒｉ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ｐｐ１０７(１９９５)
【非特許文献５】Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００７，１７，３５７５−３５８０
【非特許文献６】Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ． ６５１７ ６５１７２９-９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は従来のシルセスキオキサンに比べ、より低温で流動性を有し成形が容易なシロキサン化合物を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、特定のシロキサン骨格に特定の架橋基を結合させることにより得られたシロキサン化合物は、６０℃以下で液体であり、１５０℃以上、３５０℃以下に加熱することで硬化物が得られ、低温でも良好な成形性を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は以下の発明１〜５を含む。
【００１４】
［発明１］
一般式（１）：
【化１】
【００１５】
（式（１）中、Ｘはそれぞれ独立にＸ１またはＸ２で表わされ、Ｘのうち少なくとも１個はＸ１であり、
Ｘ１およびＸ２中、Ｒ１〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、フェニル基またはピリジル基であり、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでいてもよい。ｍは３〜８の整数、ｎは０〜９の整数、ｐは０または１であり、Ｙは架橋基である。）
で表されるシロキサン化合物。
【００１６】
［発明２］
Ｙがそれぞれ独立に構造式（２）〜（１２）：
【化２】
【００１７】
で表される基からなる群から選ばれた架橋基である、発明１のシロキサン化合物。
【００１８】
［発明３］
Ｒ１〜Ｒ８が全てメチル基であり、ｎおよびｐが１である発明１または発明２のシロキサン化合物。
【００１９】
［発明４］
発明１〜３のシロキサン化合物の架橋基が反応して得られた硬化物。
【００２０】
［発明５］
発明４の硬化物を含む封止材。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のシロキサン化合物は、６０℃以下で液体であり、成形、塗布またはポッティング加工が可能である。また、本発明のシロキサン化合物は、単独または他の組成物を加えた組成物として加熱することで、架橋基が互いに架橋結合し、耐熱性に優れた硬化物を与える。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明のシロキサン化合物、その合成方法およびその特徴、並びにシロキサン化合物の半導体封止材用途への応用について、順を追って説明する。
【００２３】
１．シロキサン化合物
本発明は、
【化３】
【００２４】
（式（１）中、Ｘはそれぞれ独立にＸ１またはＸ２で表わされ、Ｘのうち少なくとも１個はＸ１であり、
Ｘ１およびＸ２中、Ｒ１〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、フェニル基またはピリジル基であり、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでいてもよい。ｍは３〜８の整数、ｎは０〜９の整数、ｐは０または１であり、Ｙは架橋基である。）で表されるシロキサン化合物である。尚、本発明において、式（１）で表わされるシロキサン化合物を「シロキサン化合物（１）」と称することがある。
【００２５】
炭素数１〜８のアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基またはｓｅｃ−ブチル基等が挙げられる。本発明において、特にメチル基を含有するシロキサン化合物（１）が合成しやすく、より好ましくは、メチル基が好ましい。
【００２６】
また、炭素数１〜８のアルケニル基は、具体的には、ビニル基、アリル基、メタクリロイル基、アクリロイル基、スチレニル基またはノルボルネニル基が挙げられる。本発明において、特にビニル基またはメタクリロイル基を含有するシロキサン化合物（１）が合成しやすく、アルケニル基としては、ビニル基またはメタクリロイル基が好ましい。
【００２７】
また、炭素数１〜８のアルキニル基は、具体的には、エチニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。本発明において、特に中でもフェニルエチニル基を含有するシロキサン化合物（１）が合成しやすく、アルキニル基としては、フェニルエチニル基が好ましい。
【００２８】
同様の理由で、フェニル基は炭素数６個のフェニル基、ピリジル基は炭素数５個のピリジル基が好ましい。フェニル基、ピリジル基は置換基を有していてもよいが、未置換のものが好ましい。
【００２９】
また、粘度等の調整のために、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでもよい。これらは粘度を調整するために有用である。
【００３０】
本発明のシロキサン化合物（１）において、架橋基Ｙは、耐熱性のために、芳香環、ヘテロ環に代表される環状構造を含むことが好ましく、反応性部位は２重結合または３重結合である基である。
【００３１】
また、本発明は、上記のシロキサン化合物（１）であって、架橋基Ｙがそれぞれ独立に構造式（２）〜（１２）
【化４】
【００３２】
で表される群からから選ばれた架橋基であるシロキサン化合物（１）であることが好ましい。
【００３３】
これら構造式（２）〜（１２）で表される架橋基は、環状構造による耐熱性を有し、シロキサン化合物（１）の耐熱性を低下させることがない。また、構造式（２）〜（１２）で表される架橋基は、二重結合または三重結合を有することにより、結合が容易で、少なくともＸ１を２個、好ましくは３個以上有するシロキサン化合物（１）同士が加熱により架橋し、硬化物となる。
【００３４】
即ち、構造式（２）〜（１２）で表される架橋基ＹをＸ２に結合させることで、本発明のシロキサン化合物（１）が得られた。当該シロキサンを加熱し、架橋基Ｙを架橋硬化させることで、極めて耐熱性の高い硬化物が得られる。
【化５】
【００３５】
尚、式（１）中のＸ、即ち、Ｘ１およびＸ２において、Ｒ１〜Ｒ８が全てメチル基であり、ｎおよびｐが２であり、Ｙが前記架橋基であるシロキサン化合物（１）は、有機合成により単一組成物としとして得ることが容易である。また、当該シロキサン化合物（１）は、室温（２０℃）以上、６０℃以下で液体であり、半導体の封止材料として用いるのに好適である。
【００３６】
２．シロキサン化合物（１）の合成
２．１．シロキサン化合物前駆体（Ａ）の合成
最初に、以下の反応スキームに示すように、構造式（１３）で表されるシロキサン化合物のクロル化を行う。
【化６】
【００３７】
当該クロル化は、トリクロロイソシアヌル酸と反応させること（非特許文献２参照）、ロジウム触媒の存在下、ヘキサクロロシクロヘキサンと反応させること（非特許文献３参照）、または塩素ガスと反応させて行うことができる。例えば、公知文献（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ｖｏｌ．６９２， ｐｐ１８９２−１８９７（２００７）、Ｓ．Ｖａｒａｐｒａｔｈら著）に記載のクロル化手法は制限無く使用出来るが、中でも副生成物が少なく、経済性において実用的であることより、トリクロロイソシアヌル酸または塩素ガスと反応させることが好ましい。
【００３８】
具体的には、以下の反応スキームに示すように、テトラメチルテトラヒドロシクロテトラシロキサンにトリクロロイソシアヌル酸を有機溶媒中で反応させることにより、クロル化できる。
【化７】
【００３９】
２．２．シロキサン化合物（１）の合成
シロキサン化合物前駆体（Ａ）に、構造式（２）〜（１２）で表される架橋基を付加させることで、シロキサン化合物（１）が得られる。
【００４０】
例えば、４−ブロモベンゾシクロブテンに有機金属試薬を反応させハロゲン−金属交換したのち、前述のシロキサン化合物前駆体（Ａ）と反応させることで、シロキサン化合物（１）である、構造式（７）で表される架橋基、即ち、ベンゾシクロブテニル基を含有したシロキサン化合物（１）を得ることができる。
【００４１】
詳しくは、以下の反応スキームに示すように、４−ブロモベンゾシクロブテンにアルキルリチウム塩、具体的にはｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムまたはメチルリチウムを反応させ、構造式（７）で表される架橋基を与える前駆体化合物としての、ベンゾシクロブテニルーリチウム体とする。（非特許文献５参照）
【化８】
【００４２】
前記有機金属試薬としては、入手の容易さなどからｎ−ブチルリチウムが好適に用いられる。リチウム化後、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサンと作用させることで、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサンの環開裂反応を経由して、結果としてベンゾシクロブテニル基を含有したシロキシリチウム化合物が得られる。
【００４３】
前述した同様の操作を行い反応を進行させることによって、ブロモ化合物（ａ）〜（ｅ）から、シロキシリチウム化合物（Ａ）〜（Ｅ）が得られる。
【化９】
【００４４】
次いで、以下の反応スキームに示すように、シロキサン化合物前駆体（Ａ）とベンゾシクロブテニル基を含有したシロキシリチウム化合物と反応させることで、シロキサン化合物（１）である、構造式（７）に示されるベンゾシクロブテニル基を含有したシロキサン化合物を得ることができる。
【化１０】
【００４５】
前記と同様の操作にて、シロキシリチウム化合物（Ａ）〜（Ｅ）から、それぞれ対応するシロキサン化合物（ＡＡ）〜（ＥＥ）が得られる。
【化１１】
【００４６】
３．シロキサン化合物（１）の半導体封止材用途への応用
半導体用途の封止材用途では、広い温度範囲において金属配線材料との強い密着性が求められ、封止材の線膨張係数を金属配線材料とできるだけ近い値に調整することが必要でなる。その解決策として、以下の方策を挙げることができる。
【００４７】
先ず、シロキサン化合物（１）と無機フィラーとの混合である。シリカやアルミナ等の無機フィラーを、本発明のシロキサン組成物（１）と混合することで、任意の線膨張係数に調整することができる。尚、シロキサン化合物（１）は、６０℃までの温度範囲で液体であり、上記無機フィラーと容易に混合することが可能である。
【００４８】
次に、熱不可重合の採用である。重合反応については、ゾルゲル反応に代表されるシリコンアルコキシドを用いた加水分解、脱水縮重合を最終硬化反応とすると、発泡および体積収縮が問題となるために、本発明では付加重合架橋基による熱付加重合を採用する。熱付加重合は紫外線や硬化触媒を用いない点で、封止材に適した硬化システムである。本発明において、最も好適な付加重合性架橋基として、架橋基Ｙが挙げることができる。これらの架橋基Ｙは、パワー半導体に用いる材料の耐熱温度範囲である３５０℃以下で硬化反応が完了し、且つ２５０℃の長期耐熱性試験において質量減少が１０質量％以下となる非常に耐久性が高いものである。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、本実施例および比較例で得られたシロキサン化合物およびその硬化物の品質評価は、以下に示す方法でおこなった。
【００５０】
［評価方法］
＜粘度測定＞
回転粘度計（ブルックフィールド・エンジニアリング・ラボラトリーズ・インク製、品名、ＤＶ−II＋ＰＲＯ」と温度制御ユニット（ブルックフィールド・エンジニアリング・ラボラトリーズ・インク、品名、ＴＨＥＲＭＯＳＥＬ）を用い２５℃における試料の粘度を測定した。
【００５１】
＜５質量％減少温度の測定＞
熱質量・示差熱分析計（株式会社リガク製、品名、ＴＧ８１２０）を用い、空気、５０ｍｌ／ｍｉｎの気流下で、各々のシロキサン化合物の硬化物を、３０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温し、測定前の質量を基準として、５質量％減少した時点の温度を測定した。
【００５２】
１．架橋基前駆体化合物の合成
前記シロキサン化合物前駆体（Ａ）に構造式（７）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物Ａの合成（合成例１）、構造式（１０）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物Ｂの合成（合成例２）を行った。以下、詳細に示す。
【００５３】
［合成例１：構造式（７）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物（Ａ）の合成］
温度計、還流冷却器を備えた１Ｌ三口フラスコに４−ブロモベンゾシクロブテン１４．６ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル５０ｇを入れ、攪拌しながら−７８℃に冷却した。内温が−７８℃に達した後に１．６ｍｏｌ／Ｌブチルリチウムヘキサン溶液５６ｍｌ（９０ｍｍｏｌ）を３０分間で滴下した。滴下終了後に３０分間攪拌した後に、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサン６．８９ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）を加えた。攪拌しながら室温までの昇温し、室温で１２時間攪拌し、以下の反応スキームにおいて、構造式（１４）で表される化合物のジエチルエーテル溶液を得た。
【化１２】
【００５４】
［合成例２：構造式（１０）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物（Ｂ）の合成］
温度計、還流冷却器を備えた１Ｌ三口フラスコに４−ブロモジフェニルアセチレン２０．６ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル５０ｇを入れ、攪拌しながら−７８℃に冷却した。内温が−７８℃に達した後に１．６ｍｏｌ／Ｌブチルリチウムヘキサン溶液５６ｍｌ（９０ｍｍｏｌ）を３０分間で滴下した。滴下終了後に３０分間攪拌した後に、ヘキサメチルシクロトリシロキサン５．９４ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）を加えた。攪拌しながら室温までの昇温し、室温で１２時間攪拌し、以下の反応スキームにおいて、構造式（１５）で表される前駆体化合物Ｂのジエチルエーテル溶液を得た。
【化１３】
【００５５】
２．シロキサン化合物（１）の合成
次いで、前記前駆体化合物（Ａ）（合成例１）および前駆体化合物（Ｂ）（合成例２）を各々用い、シロキサン化合物前駆体Ａと反応させて、シロキサン化合物（１）を合成した。以下、実施例１および実施例２に詳細に示す。
【００５６】
［実施例１：シロキサン化合物の合成］
温度計、還流冷却器を備えた３００ｍLの三口フラスコに、テトラヒドロフランを５０．０g、テトラメチルテトラヒドロシクロテトラシロキサンを４．８８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を入れ、攪拌しがながら−７８℃に冷却した。次いで、内温が−７８℃に達した後にトリクロロイソシアヌル酸６．２８ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）を加えた。添加終了後に−７８℃で３０分間攪拌した後に、攪拌しながら室温まで昇温した。析出した不溶物を濾別し、テトラヒドロフラン溶液を得た。
【００５７】
次いで得られたテトラヒドロフラン溶液を、３℃に冷却した合成例１で得られた前駆値化合物Ａのジエチルエーテル溶液に１０分間かけて、少量ずつ滴下した。滴下終了後に攪拌しながら室温まで昇温し、室温で２時間攪拌した。攪拌終了後にジイソプロピルエーテル５０ｇ、上水５０ｇを加え３０分間攪拌後、２層分離した。その後、水層を除去し、有機層を蒸留水５０ｇで３回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウム１０ｇで乾燥し、硫酸マグネシウムを濾別した後に、１５０℃／０．１ｍｍＨｇで減圧濃縮し、無色透明油状物として、以下の反応スキームに示すように、構造式（１６）で表されるシロキサン組成物（Ｒ１＝ＣＨ３、Ｒ４＝ＣＨ３、Ｒ５＝Ｖｉｎｙｌ，Ｙ＝構造式（７）で表わされる架橋基、ｍ＝４，ｎ＝０）１６．５ｇを収率８３％で得た。粘度測定を行ったところ、当該油状物の粘度は１７００ｍＰａ・ｓであった。
【化１４】
【００５８】
得られたシロキサン化合物をシリコーン（信越シリコーン製ＳＨ ９５５５）の型枠に流し込み、大気圧下２５０℃で1時間加熱することで、泡・クラックのない厚さ２ｍｍの硬化物を得た。この硬化物の５％質量減少温度は４３０℃であった。
【００５９】
［実施例２］
合成例２で得られた前駆体化合物Ｂのジエチルエーテル溶液を用いて、実施例１と同様の手順にて、無色透明油状物として、以下の反応スキームに示すように、構造式（１７）で表されるシロキサン組成物（Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５＝ＣＨ３，Ｙ＝構造式（１０）で表わされる架橋基、ｍ＝４，ｎ＝０）１９．９ｇを収率８０％で得た。粘度測定を行ったところ、当該油状物の粘度は３６００ｍＰａ・ｓであった。
【化１５】
【００６０】
得られたシロキサン化合物をシリコーン（信越シリコーン製ＳＨ９５５５）の型枠に流し込み、大気圧下３３０℃で1時間加熱することで、泡・クラックのない厚さ２ｍｍの硬化物を得た。この硬化物の５％質量減少温度は４５０℃であった。
【００６１】
比較例１
温度計を備えた３００ｍLの三口フラスコにテトラヒドロフラン、５０．０g、テトラメチルテトラヒドロシクロテトラシロキサン、４．８８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、４−ビニルベンゾシクロブテン、１０．４２ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン混合物のキシレン溶液（２％白金含有）０．１０ｇを加え、室温下で３時間攪拌した。１５０℃／０．１ｍｍＨｇで減圧濃縮し、無色透明油状物として、以下の反応スキームに示すように、構造式（１８）で表されるシロキサン組成物１２．２ｇを収率８０％で得た。粘度測定を行ったところ、当該油状物の粘度は２８００ｍＰａ・ｓであった。
【化１６】
【００６２】
得られたシロキサン化合物をシリコーン（信越シリコーン製ＳＨ９５５５）の型枠に流し込み、大気圧下２５０℃で1時間加熱することで、泡・クラックのない厚さ２ｍｍの硬化物を得た。この硬化物の５質量％減少温度は４００℃であった。
【００６３】
［５質量％減少温度の比較］
【表１】
【００６４】
表に１示した結果から、本発明の実施例１および実施例２で得られたシロキサン化合物（１）の硬化物の５質量％減少温度は、比較例１で得られた硬化物の５質量％減少温度よりも高くなることがわかった。この理由として、本発明の実施例１および実施例２のシロキサン化合物（１）は、耐熱性が劣るエチレン結合を含有しないため、比較例１で得られた硬化物よりも耐熱性が高くなったものと思われる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐熱性を有する樹脂、特にシロキサン系化合物およびその硬化物に関する。本発明のシロキサン化合物を硬化させた硬化物は、半導体用など耐熱性を要求される種々の封止材、接着剤等、さらには無色透明な場合は光学部材用封止材、レンズ材料または光学用薄膜等にも使用できる。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等の半導体用封止材は、動作中の半導体の発熱に耐える耐熱性が要求される。
【０００３】
従来、耐熱性樹脂であるエポキシ樹脂またはシリコーンが、半導体の封止材として用いられてきた。しかしながら、ケイ素（Ｓｉ）を用いた半導体に比べ耐電圧性が高い、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いたパワー半導体に代表される高性能な半導体に用いると、パワー半導体の発熱量が多いため、従来のエポキシ樹脂またはシリコーンによる封止材は耐熱性が十分でなく、半導体の動作中に熱分解を起こし易いという問題があった。
【０００４】
エポキシ樹脂またはシリコーンに比べて耐熱性の高い樹脂に、ポリイミドが挙げられる。特許文献１には、ポリイミド前駆体組成物膜を２３０℃〜３００℃に加熱して硬化させ形成する半導体素子の表面保護膜が開示される。しかしながら、ポリイミド前駆体組成物は室温（２０℃）付近の低温領域において固体であるために成形性に乏しいという問題があった。
【０００５】
他に、耐熱性を有する材料として、例えば、アルキルトリアルコキシシラン等を加水分解し縮重合させてなるネットワーク状ポリシロキサンであるシルセスキオキサンが挙げられる。シルセスキオキサンにおいては、無機物であるシロキサン骨格の持つ高耐熱性とそれに結合する有機基の特性を生かした分子設計が可能であり、様々な用途に使用される。また、シルセスキオキサンは、常温で液体のものもあり、基材表面に垂らした後に、加熱または紫外線照射で縮重合させて硬化させるポッティング加工が可能である。
【０００６】
シルセスキオキサンの合成方法は、例えば、特許文献２〜５、非特許文献１〜６に開示されている。
【０００７】
耐熱性と成形性を兼ね備えたシルセスキオキサンを用いた封止材料は、種々検討されている。しかしながら、２５０℃以上の高温下で、数千時間に渡って加熱しても劣化しない材料は、未だ得られていない。
【０００８】
半導体等を封止する際に、ポッティング加工可能な常温付近で液体のシルセスキオキサンの合成には、ヒドロシリル化反応を用いる場合が多く、ヒドロシリル化反応によって形成されたシルセスキオキサン末端のアルキレン鎖、例えばプロピレン鎖が耐熱性の劣化の原因となる問題があった。（非特許文献５および非特許文献６を参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−２７０６１１号公報
【特許文献２】特開２００４−１４３４４９号公報
【特許文献３】特開２００７−１５９９１号公報
【特許文献４】特開２００９−１９１０２４号公報
【特許文献５】特開２００９−２６９８２０号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｉ． Ｈａｓｅｇａｗａ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍ． Ｌｅｔｔ．， ｐｐ．１３１９(１９８８)、
【非特許文献２】Ｖ． Ｓｕｄａｒｓａｎａｎ ｅｔ al., J. Ｏｒｇ． Ｃｈｅｍ．， ｐｐ１８９２(２００７)
【非特許文献３】Ｍ． Ａ． Ｅｓｔｅｒｕｅｌａｓ， ｅｔ ａｌ., Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ， ｐｐ３８９１(２００４)
【非特許文献４】Ａ． Ｍｏｒｉ ｅｔ ａｌ．， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ｐｐ１０７(１９９５)
【非特許文献５】Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００７，１７，３５７５−３５８０
【非特許文献６】Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ． ６５１７ ６５１７２９-９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は従来のシルセスキオキサンに比べ、より低温で流動性を有し成形が容易なシロキサン化合物を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、特定のシロキサン骨格に特定の架橋基を結合させることにより得られたシロキサン化合物は、６０℃以下で液体であり、１５０℃以上、３５０℃以下に加熱することで硬化物が得られ、低温でも良好な成形性を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は以下の発明１〜５を含む。
【００１４】
［発明１］
一般式（１）：
【化１】
【００１５】
（式（１）中、Ｘはそれぞれ独立にＸ１またはＸ２で表わされ、Ｘのうち少なくとも１個はＸ１であり、
Ｘ１およびＸ２中、Ｒ１〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、フェニル基またはピリジル基であり、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでいてもよい。ｍは３〜８の整数、ｎは０〜９の整数、ｐは０または１であり、Ｙは架橋基である。）
で表されるシロキサン化合物。
【００１６】
［発明２］
Ｙがそれぞれ独立に構造式（２）〜（１２）：
【化２】
【００１７】
で表される基からなる群から選ばれた架橋基である、発明１のシロキサン化合物。
【００１８】
［発明３］
Ｒ１〜Ｒ８が全てメチル基であり、ｎおよびｐが１である発明１または発明２のシロキサン化合物。
【００１９】
［発明４］
発明１〜３のシロキサン化合物の架橋基が反応して得られた硬化物。
【００２０】
［発明５］
発明４の硬化物を含む封止材。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のシロキサン化合物は、６０℃以下で液体であり、成形、塗布またはポッティング加工が可能である。また、本発明のシロキサン化合物は、単独または他の組成物を加えた組成物として加熱することで、架橋基が互いに架橋結合し、耐熱性に優れた硬化物を与える。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明のシロキサン化合物、その合成方法およびその特徴、並びにシロキサン化合物の半導体封止材用途への応用について、順を追って説明する。
【００２３】
１．シロキサン化合物
本発明は、
【化３】
【００２４】
（式（１）中、Ｘはそれぞれ独立にＸ１またはＸ２で表わされ、Ｘのうち少なくとも１個はＸ１であり、
Ｘ１およびＸ２中、Ｒ１〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、フェニル基またはピリジル基であり、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでいてもよい。ｍは３〜８の整数、ｎは０〜９の整数、ｐは０または１であり、Ｙは架橋基である。）で表されるシロキサン化合物である。尚、本発明において、式（１）で表わされるシロキサン化合物を「シロキサン化合物（１）」と称することがある。
【００２５】
炭素数１〜８のアルキル基は、具体的には、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基またはｓｅｃ−ブチル基等が挙げられる。本発明において、特にメチル基を含有するシロキサン化合物（１）が合成しやすく、より好ましくは、メチル基が好ましい。
【００２６】
また、炭素数１〜８のアルケニル基は、具体的には、ビニル基、アリル基、メタクリロイル基、アクリロイル基、スチレニル基またはノルボルネニル基が挙げられる。本発明において、特にビニル基またはメタクリロイル基を含有するシロキサン化合物（１）が合成しやすく、アルケニル基としては、ビニル基またはメタクリロイル基が好ましい。
【００２７】
また、炭素数１〜８のアルキニル基は、具体的には、エチニル基、フェニルエチニル基などが挙げられる。本発明において、特に中でもフェニルエチニル基を含有するシロキサン化合物（１）が合成しやすく、アルキニル基としては、フェニルエチニル基が好ましい。
【００２８】
同様の理由で、フェニル基は炭素数６個のフェニル基、ピリジル基は炭素数５個のピリジル基が好ましい。フェニル基、ピリジル基は置換基を有していてもよいが、未置換のものが好ましい。
【００２９】
また、粘度等の調整のために、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでもよい。これらは粘度を調整するために有用である。
【００３０】
本発明のシロキサン化合物（１）において、架橋基Ｙは、耐熱性のために、芳香環、ヘテロ環に代表される環状構造を含むことが好ましく、反応性部位は２重結合または３重結合である基である。
【００３１】
また、本発明は、上記のシロキサン化合物（１）であって、架橋基Ｙがそれぞれ独立に構造式（２）〜（１２）
【化４】
【００３２】
で表される群からから選ばれた架橋基であるシロキサン化合物（１）であることが好ましい。
【００３３】
これら構造式（２）〜（１２）で表される架橋基は、環状構造による耐熱性を有し、シロキサン化合物（１）の耐熱性を低下させることがない。また、構造式（２）〜（１２）で表される架橋基は、二重結合または三重結合を有することにより、結合が容易で、少なくともＸ１を２個、好ましくは３個以上有するシロキサン化合物（１）同士が加熱により架橋し、硬化物となる。
【００３４】
即ち、構造式（２）〜（１２）で表される架橋基ＹをＸ２に結合させることで、本発明のシロキサン化合物（１）が得られた。当該シロキサンを加熱し、架橋基Ｙを架橋硬化させることで、極めて耐熱性の高い硬化物が得られる。
【化５】
【００３５】
尚、式（１）中のＸ、即ち、Ｘ１およびＸ２において、Ｒ１〜Ｒ８が全てメチル基であり、ｎおよびｐが２であり、Ｙが前記架橋基であるシロキサン化合物（１）は、有機合成により単一組成物としとして得ることが容易である。また、当該シロキサン化合物（１）は、室温（２０℃）以上、６０℃以下で液体であり、半導体の封止材料として用いるのに好適である。
【００３６】
２．シロキサン化合物（１）の合成
２．１．シロキサン化合物前駆体（Ａ）の合成
最初に、以下の反応スキームに示すように、構造式（１３）で表されるシロキサン化合物のクロル化を行う。
【化６】
【００３７】
当該クロル化は、トリクロロイソシアヌル酸と反応させること（非特許文献２参照）、ロジウム触媒の存在下、ヘキサクロロシクロヘキサンと反応させること（非特許文献３参照）、または塩素ガスと反応させて行うことができる。例えば、公知文献（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ｖｏｌ．６９２， ｐｐ１８９２−１８９７（２００７）、Ｓ．Ｖａｒａｐｒａｔｈら著）に記載のクロル化手法は制限無く使用出来るが、中でも副生成物が少なく、経済性において実用的であることより、トリクロロイソシアヌル酸または塩素ガスと反応させることが好ましい。
【００３８】
具体的には、以下の反応スキームに示すように、テトラメチルテトラヒドロシクロテトラシロキサンにトリクロロイソシアヌル酸を有機溶媒中で反応させることにより、クロル化できる。
【化７】
【００３９】
２．２．シロキサン化合物（１）の合成
シロキサン化合物前駆体（Ａ）に、構造式（２）〜（１２）で表される架橋基を付加させることで、シロキサン化合物（１）が得られる。
【００４０】
例えば、４−ブロモベンゾシクロブテンに有機金属試薬を反応させハロゲン−金属交換したのち、前述のシロキサン化合物前駆体（Ａ）と反応させることで、シロキサン化合物（１）である、構造式（７）で表される架橋基、即ち、ベンゾシクロブテニル基を含有したシロキサン化合物（１）を得ることができる。
【００４１】
詳しくは、以下の反応スキームに示すように、４−ブロモベンゾシクロブテンにアルキルリチウム塩、具体的にはｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムまたはメチルリチウムを反応させ、構造式（７）で表される架橋基を与える前駆体化合物としての、ベンゾシクロブテニルーリチウム体とする。（非特許文献５参照）
【化８】
【００４２】
前記有機金属試薬としては、入手の容易さなどからｎ−ブチルリチウムが好適に用いられる。リチウム化後、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサンと作用させることで、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサンの環開裂反応を経由して、結果としてベンゾシクロブテニル基を含有したシロキシリチウム化合物が得られる。
【００４３】
前述した同様の操作を行い反応を進行させることによって、ブロモ化合物（ａ）〜（ｅ）から、シロキシリチウム化合物（Ａ）〜（Ｅ）が得られる。
【化９】
【００４４】
次いで、以下の反応スキームに示すように、シロキサン化合物前駆体（Ａ）とベンゾシクロブテニル基を含有したシロキシリチウム化合物と反応させることで、シロキサン化合物（１）である、構造式（７）に示されるベンゾシクロブテニル基を含有したシロキサン化合物を得ることができる。
【化１０】
【００４５】
前記と同様の操作にて、シロキシリチウム化合物（Ａ）〜（Ｅ）から、それぞれ対応するシロキサン化合物（ＡＡ）〜（ＥＥ）が得られる。
【化１１】
【００４６】
３．シロキサン化合物（１）の半導体封止材用途への応用
半導体用途の封止材用途では、広い温度範囲において金属配線材料との強い密着性が求められ、封止材の線膨張係数を金属配線材料とできるだけ近い値に調整することが必要でなる。その解決策として、以下の方策を挙げることができる。
【００４７】
先ず、シロキサン化合物（１）と無機フィラーとの混合である。シリカやアルミナ等の無機フィラーを、本発明のシロキサン組成物（１）と混合することで、任意の線膨張係数に調整することができる。尚、シロキサン化合物（１）は、６０℃までの温度範囲で液体であり、上記無機フィラーと容易に混合することが可能である。
【００４８】
次に、熱不可重合の採用である。重合反応については、ゾルゲル反応に代表されるシリコンアルコキシドを用いた加水分解、脱水縮重合を最終硬化反応とすると、発泡および体積収縮が問題となるために、本発明では付加重合架橋基による熱付加重合を採用する。熱付加重合は紫外線や硬化触媒を用いない点で、封止材に適した硬化システムである。本発明において、最も好適な付加重合性架橋基として、架橋基Ｙが挙げることができる。これらの架橋基Ｙは、パワー半導体に用いる材料の耐熱温度範囲である３５０℃以下で硬化反応が完了し、且つ２５０℃の長期耐熱性試験において質量減少が１０質量％以下となる非常に耐久性が高いものである。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。なお、本実施例および比較例で得られたシロキサン化合物およびその硬化物の品質評価は、以下に示す方法でおこなった。
【００５０】
［評価方法］
＜粘度測定＞
回転粘度計（ブルックフィールド・エンジニアリング・ラボラトリーズ・インク製、品名、ＤＶ−II＋ＰＲＯ」と温度制御ユニット（ブルックフィールド・エンジニアリング・ラボラトリーズ・インク、品名、ＴＨＥＲＭＯＳＥＬ）を用い２５℃における試料の粘度を測定した。
【００５１】
＜５質量％減少温度の測定＞
熱質量・示差熱分析計（株式会社リガク製、品名、ＴＧ８１２０）を用い、空気、５０ｍｌ／ｍｉｎの気流下で、各々のシロキサン化合物の硬化物を、３０℃から昇温速度５℃／ｍｉｎで昇温し、測定前の質量を基準として、５質量％減少した時点の温度を測定した。
【００５２】
１．架橋基前駆体化合物の合成
前記シロキサン化合物前駆体（Ａ）に構造式（７）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物Ａの合成（合成例１）、構造式（１０）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物Ｂの合成（合成例２）を行った。以下、詳細に示す。
【００５３】
［合成例１：構造式（７）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物（Ａ）の合成］
温度計、還流冷却器を備えた１Ｌ三口フラスコに４−ブロモベンゾシクロブテン１４．６ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル５０ｇを入れ、攪拌しながら−７８℃に冷却した。内温が−７８℃に達した後に１．６ｍｏｌ／Ｌブチルリチウムヘキサン溶液５６ｍｌ（９０ｍｍｏｌ）を３０分間で滴下した。滴下終了後に３０分間攪拌した後に、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサン６．８９ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）を加えた。攪拌しながら室温までの昇温し、室温で１２時間攪拌し、以下の反応スキームにおいて、構造式（１４）で表される化合物のジエチルエーテル溶液を得た。
【化１２】
【００５４】
［合成例２：構造式（１０）で表される架橋基を含有させるための前駆体化合物（Ｂ）の合成］
温度計、還流冷却器を備えた１Ｌ三口フラスコに４−ブロモジフェニルアセチレン２０．６ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテル５０ｇを入れ、攪拌しながら−７８℃に冷却した。内温が−７８℃に達した後に１．６ｍｏｌ／Ｌブチルリチウムヘキサン溶液５６ｍｌ（９０ｍｍｏｌ）を３０分間で滴下した。滴下終了後に３０分間攪拌した後に、ヘキサメチルシクロトリシロキサン５．９４ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）を加えた。攪拌しながら室温までの昇温し、室温で１２時間攪拌し、以下の反応スキームにおいて、構造式（１５）で表される前駆体化合物Ｂのジエチルエーテル溶液を得た。
【化１３】
【００５５】
２．シロキサン化合物（１）の合成
次いで、前記前駆体化合物（Ａ）（合成例１）および前駆体化合物（Ｂ）（合成例２）を各々用い、シロキサン化合物前駆体Ａと反応させて、シロキサン化合物（１）を合成した。以下、実施例１および実施例２に詳細に示す。
【００５６】
［実施例１：シロキサン化合物の合成］
温度計、還流冷却器を備えた３００ｍLの三口フラスコに、テトラヒドロフランを５０．０g、テトラメチルテトラヒドロシクロテトラシロキサンを４．８８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を入れ、攪拌しがながら−７８℃に冷却した。次いで、内温が−７８℃に達した後にトリクロロイソシアヌル酸６．２８ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）を加えた。添加終了後に−７８℃で３０分間攪拌した後に、攪拌しながら室温まで昇温した。析出した不溶物を濾別し、テトラヒドロフラン溶液を得た。
【００５７】
次いで得られたテトラヒドロフラン溶液を、３℃に冷却した合成例１で得られた前駆値化合物Ａのジエチルエーテル溶液に１０分間かけて、少量ずつ滴下した。滴下終了後に攪拌しながら室温まで昇温し、室温で２時間攪拌した。攪拌終了後にジイソプロピルエーテル５０ｇ、上水５０ｇを加え３０分間攪拌後、２層分離した。その後、水層を除去し、有機層を蒸留水５０ｇで３回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウム１０ｇで乾燥し、硫酸マグネシウムを濾別した後に、１５０℃／０．１ｍｍＨｇで減圧濃縮し、無色透明油状物として、以下の反応スキームに示すように、構造式（１６）で表されるシロキサン組成物（Ｒ１＝ＣＨ３、Ｒ４＝ＣＨ３、Ｒ５＝Ｖｉｎｙｌ，Ｙ＝構造式（７）で表わされる架橋基、ｍ＝４，ｎ＝０）１６．５ｇを収率８３％で得た。粘度測定を行ったところ、当該油状物の粘度は１７００ｍＰａ・ｓであった。
【化１４】
【００５８】
得られたシロキサン化合物をシリコーン（信越シリコーン製ＳＨ ９５５５）の型枠に流し込み、大気圧下２５０℃で1時間加熱することで、泡・クラックのない厚さ２ｍｍの硬化物を得た。この硬化物の５％質量減少温度は４３０℃であった。
【００５９】
［実施例２］
合成例２で得られた前駆体化合物Ｂのジエチルエーテル溶液を用いて、実施例１と同様の手順にて、無色透明油状物として、以下の反応スキームに示すように、構造式（１７）で表されるシロキサン組成物（Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５＝ＣＨ３，Ｙ＝構造式（１０）で表わされる架橋基、ｍ＝４，ｎ＝０）１９．９ｇを収率８０％で得た。粘度測定を行ったところ、当該油状物の粘度は３６００ｍＰａ・ｓであった。
【化１５】
【００６０】
得られたシロキサン化合物をシリコーン（信越シリコーン製ＳＨ９５５５）の型枠に流し込み、大気圧下３３０℃で1時間加熱することで、泡・クラックのない厚さ２ｍｍの硬化物を得た。この硬化物の５％質量減少温度は４５０℃であった。
【００６１】
比較例１
温度計を備えた３００ｍLの三口フラスコにテトラヒドロフラン、５０．０g、テトラメチルテトラヒドロシクロテトラシロキサン、４．８８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、４−ビニルベンゾシクロブテン、１０．４２ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン混合物のキシレン溶液（２％白金含有）０．１０ｇを加え、室温下で３時間攪拌した。１５０℃／０．１ｍｍＨｇで減圧濃縮し、無色透明油状物として、以下の反応スキームに示すように、構造式（１８）で表されるシロキサン組成物１２．２ｇを収率８０％で得た。粘度測定を行ったところ、当該油状物の粘度は２８００ｍＰａ・ｓであった。
【化１６】
【００６２】
得られたシロキサン化合物をシリコーン（信越シリコーン製ＳＨ９５５５）の型枠に流し込み、大気圧下２５０℃で1時間加熱することで、泡・クラックのない厚さ２ｍｍの硬化物を得た。この硬化物の５質量％減少温度は４００℃であった。
【００６３】
［５質量％減少温度の比較］
【表１】
【００６４】
表に１示した結果から、本発明の実施例１および実施例２で得られたシロキサン化合物（１）の硬化物の５質量％減少温度は、比較例１で得られた硬化物の５質量％減少温度よりも高くなることがわかった。この理由として、本発明の実施例１および実施例２のシロキサン化合物（１）は、耐熱性が劣るエチレン結合を含有しないため、比較例１で得られた硬化物よりも耐熱性が高くなったものと思われる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）：
【化１】
（式（1）中、Ｘはそれぞれ独立にＸ１またはＸ２で表わされ、Ｘのうち少なくとも１個はＸ１であり、
Ｘ１およびＸ２中、Ｒ１〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、フェニル基またはピリジル基であり、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでいてもよい。ｍは３〜８の整数、ｎは０〜９の整数、ｐは０または１であり、Ｙは架橋基である。）
で表されるシロキサン化合物。
【請求項２】
Ｙがそれぞれ独立に構造式（２）〜（１２）
【化２】
で表される群から選ばれた架橋基である、請求項１に記載のシロキサン化合物。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ８が全てメチル基であり、ｎおよびｐが１である請求項１または請求項２に記載のシロキサン化合物。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシロキサン化合物の架橋基が反応して得られた硬化物。
【請求項５】
請求項４に記載の硬化物を含む封止材。
【請求項１】
一般式（１）：
【化１】
（式（1）中、Ｘはそれぞれ独立にＸ１またはＸ２で表わされ、Ｘのうち少なくとも１個はＸ１であり、
Ｘ１およびＸ２中、Ｒ１〜Ｒ8はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、アルケニル基もしくはアルキニル基、フェニル基またはピリジル基であり、炭素原子は酸素原子に置換されていてもよく、構造中にエーテル結合、カルボニル基、またはエステル結合を含んでいてもよい。ｍは３〜８の整数、ｎは０〜９の整数、ｐは０または１であり、Ｙは架橋基である。）
で表されるシロキサン化合物。
【請求項２】
Ｙがそれぞれ独立に構造式（２）〜（１２）
【化２】
で表される群から選ばれた架橋基である、請求項１に記載のシロキサン化合物。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ８が全てメチル基であり、ｎおよびｐが１である請求項１または請求項２に記載のシロキサン化合物。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシロキサン化合物の架橋基が反応して得られた硬化物。
【請求項５】
請求項４に記載の硬化物を含む封止材。
【公開番号】特開２０１２−２３２９７５（Ｐ２０１２−２３２９７５Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−９０６６６（Ｐ２０１２−９０６６６）
【出願日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【出願人】（０００００２２００）セントラル硝子株式会社 (1,198)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【出願人】（０００００２２００）セントラル硝子株式会社 (1,198)
【Ｆターム（参考）】
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