【課題】軟化温度が高く、かつ、酸素透過性及びプロトン伝導性に優れた高分子電解質及びその製造方法、このような高分子電解質の原料として使用することが可能なイミドモノマ、並びに、このような高分子電解質を用いた電池を提供すること。
【解決手段】高分子の主鎖又は側鎖に、脂環式１，３−ジスルホンイミドを有する含フッ素構造を備えた高分子電解質及びこれを用いた電池。重合反応又は重合反応＋フッ素化反応により、高分子の主鎖又は側鎖に脂環式１，３−ジスルホンイミドを有する含フッ素構造を導入可能なイミドモノマ。重合反応又は重合反応＋フッ素化反応により、高分子の主鎖又は側鎖に脂環式１，３−ジスルホンイミドを有する含フッ素構造を導入可能な１種又は２種以上のイミドモノマを含む原料を重合させる重合工程を備えた高分子電解質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さい、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクパターン作製における微細パターン形成材料として好適なネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、これを用いたパターン形成方法及びフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】 少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａを含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
【化１】
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【課題】現像性が改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好なパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する樹脂（Ｂ）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（Ａ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。


（式中、Ｘは、置換基を有していてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙは、電子求引性基を表す。Ｒｆは、構成炭素上の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基を表す。ｎは、０以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的はフォトレジスト組成物に用いる多環式オレフィンポリマーの重合方法を提供することである。
【解決手段】本発明により（ａ）多環式オレフィンモノマーを含むモノマー配合物、非オレフィン系連鎖移動剤および活性剤化合物を合わせて混合物を形成すること；（ｂ）混合物を加熱すること；および（ｃ）Ｎｉおよび／またはＰｄを含有する重合触媒を加えることを含む、多環式オレフィンモノマーの重合方法が提供される。非オレフィン系連鎖移動剤には、Ｈ_２、アルキルシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルゲルマン、アルキルアルコキシゲルマン、アルキルスタナン、およびアルキルアルコキシスタナンからなる群より選択される１種以上の化合物が含まれる。活性剤は、ｐＫａが少なくとも５の活性水素を有することを特徴とする。得られる多環式オレフィンポリマーはフォトレジスト組成物に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】屈折性とアッベ数がともに高い成形体を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する含硫黄環状構造含有ポリマーを用いる。


（Ｒ¹〜Ｒ⁴は水素原子、アルキル基、あるいは酸素原子または硫黄原子を含有する置換基を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁴のいずれかひとつが硫黄を環構成原子のひとつとする含硫黄環構造を含有する置換基であるか、Ｒ¹〜Ｒ⁴が互いに結合して硫黄を環構成原子のひとつとする含硫黄環構造を形成しているかの、いずれかである。ｍは０または１を表す。） （もっと読む）

本発明は、−テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）から誘導された繰り返し単位と、−パーフルオロメチルビニルエーテル（ＭＶＥ）から誘導された繰り返し単位とを含む過酸化物硬化性パーフルオロエラストマーであって、ＡＳＴＭ Ｄ１６４６規格に従って測定したとき、２５〜１４０ＭＵの１２１℃でのムーニー粘度（ＭＬ２＋９）を有し、ＴＦＥおよびＭＶＥの合計モルに対して、２６〜３３モル％の量でこのＭＶＥ繰り返し単位を含む過酸化物硬化性パーフルオロエラストマー、その製造方法およびそれから得られる硬化物品に関する。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定な末端構造を有する、狭分子量分布の含フッ素ノルボルネン類の重合体を提供すること。
【解決手段】下式（ｃ１）で表される化合物と下式（ｃ２）で表される化合物とを反応させてなる触媒の存在下に、下式（ｍ）で表される単量体の１種以上、または下式（ｍ）で表される単量体の１種以上と該単量体と共重合する単量体の１種以上とを含む単量体、の付加重合を行うことを特徴とする、下式（ｐ）で表される繰り返し単位を必須とする含フッ素重合体の製造方法。
（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｐ）→（Ｍ^１）^＋（Ｒ^４）（Ｌ^１）⁻ （ｃ１）
Ｍ^２（Ｌ^２）_ｎ （ｃ２）
【化１】
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【課題】液浸リソグラフィプロセスに適用する非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、ポリマーの製造方法、ポリマーを使用する組成物、及び組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスを提供する。
【解決手段】液浸リソグラフィプロセスに有用な非自己現像型及び現像型のノルボルネン系ポリマー、このようなポリマーの製造方法、このようなポリマーを使用する組成物、及びこのような組成物を使用する液浸リソグラフィプロセスを提供する。より詳細には、液浸リソグラフィプロセスにおける現像層及びこのような現像層を被覆するためのトップコート層を形成するのに有用なノルボルネン系ポリマー及びそのプロセス。 （もっと読む）

【課題】遠紫外線領域で用いることができ、露光後熱処理遅延安定性に優れたフォトレジスト用共重合体含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）の単量体を有する重合体を含む本発明のフォトレジスト組成物は優れたエッチング耐性及び耐熱性を有し、遠紫外線領域、特にArF用レジストの露光後遅延安定性（post exposure delay stability）を画期的に向上させることができる。
【化１】


前記式で、Ｚ₁、Ｚ₂、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｚ及びｐは明細書に定義した通りである。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩を含有する高分子化合物。


【効果】上記繰り返し単位を含有する高分子化合物を感放射線レジスト材料のベース樹脂として用いた場合、高い解像性能を発揮し、パターンのＬＥＲが小さく仕上がる。 （もっと読む）

【課題】高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ベース樹脂として、少なくともフェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている高分子化合物を含むものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【化８６】
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【課題】高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ベース樹脂として、少なくともフェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている高分子化合物を含むものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【化８５】
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【課題】短波長放射光１９３ｎｍ以下で十分に低い光学密度を有する新しいフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】（ａ）多環式オレフィンモノマーを含むモノマー配合物、非オレフィン系連鎖移動剤および任意の活性剤化合物を合わせて混合物を形成すること；（ｂ）混合物を加熱すること；および（ｃ）Ｎｉおよび／またはＰｄを含有する重合触媒を加えることを含む、多環式オレフィンモノマーの重合方法。非オレフィン系連鎖移動剤には、Ｈ_２、アルキルシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルゲルマン、アルキルアルコキシゲルマン、アルキルスタナン、およびアルキルアルコキシスタナンからなる群より選択される１種以上の化合物が含まれる。活性剤は、ｐＫａが少なくとも５の活性水素を有することを特徴とする。得られる多環式オレフィンポリマーはフォトレジスト組成物に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト組成物の多環式ポリマーを後処理することによって、（１）ポリマー組成物の光学密度の低下および（２）ポリマー組成物中の残留金属および／または残留モノマーの量の低減、のいずれか一方または両方を達成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの多環式繰り返し単位が不飽和末端基を含有する多環式繰り返し単位を含むポリマーの光学密度を低下させる方法であって：前記ポリマーの溶液を調整すること；当該溶液に、水素、過酸、ヒドロシリル化剤、及びヒドロホルミル化剤から選択される後官能基化剤を導入すること；当該後官能基化剤を、溶解したポリマーの不飽和末端基に反応させること。 （もっと読む）

【課題】新規なノルボルネン系重合体の提供。該ノルボルネン系重合体を用いた位相差の波長分散特性に優れたフィルムならびに該フィルムを用いた偏光板の提供。さらに該フィルムもしくは偏光板を用いた表示特性に優れた液晶表示装置の提供。
【解決手段】ノルボルネンに芳香環が縮環した単量体から誘導される下記一般式（１）で表される繰り返し単位のみから、または下記一般式（２）で表される繰り返し単位を同時に含有するノルボルネン系重合体。
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【課題】電子材料や光学材料等の原料として用いた場合に良好な物性を呈する、新規な脂環式化合物等を提供する。
【解決手段】脂環式化合物（脂環イミドアクリレートという）は、分子中に重合性官能基（（メタ）アクロイル基および、ノルボルネン骨格中のビニレン基）を有するので、単独で重合させ、若しくは他の重合性モノマーと共重合させることにより、油性ないし水性の重合体とすることができ、耐熱性、低吸水性、低透湿性、高い硬度、各種基材に対する密着性などに良好な物性を有する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、ヒドロキシ基を有するビニルナフタレンとヒドロキシ基を有さない特定のオレフィン類の繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】光学特性、耐熱性、接着性、密着性および耐吸湿性のいずれにも優れた環状オレフィン系重合体を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）に示す繰り返し単位を含む環状オレフィン系重合体。


一般式（１）中、Ｒ^１は置換基を表し、Ｒ^２は置換されていてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基を表し、Ｌは単結合または２価の連結基を表す。ただし、Ｌが２価の連結基の場合、ＬとＣ＝Ｏの結合は炭素−炭素結合である。ｐは、０または１の整数、ｑは０〜３の整数、ｒは１〜４の整数を表す。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＬが結合する環骨格の炭素原子、または２つのＲ^２は互いに結合して５〜７員の環を形成していても良い。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）：ＲｆＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ＝ＣＨ_２［Ｒｆ：−（ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎＦ、ｎ：１〜４］で表されるパーフルオロアルキル−エチル−ビニルエーテル（１）、不飽和二塩基酸無水物（２）及びエーテル結合を有していてもよいフッ素化オレフィン（３）（但し、式（１）の化合物を除く。）を共重合してなる、低誘電率、低屈折率の膜を形成用の架橋性含フッ素共重合体並びに、上記共重合体と架橋剤を含む、低誘電率、低屈折率の膜を形成用の共重合体組成物。化合物（１）４０〜６０モル％と、不飽和二塩基酸無水物（２）１０〜４０モル％と、フッ素化オレフィン（３）１０〜４０モル％（全共重合成分の合計を１００モル％）の量で共重合してなるものが好ましい。
【効果】熱、光照射にて架橋し製膜可能であり、低誘電率、低屈折率の膜を形成し得る、溶剤可溶性の架橋性含フッ素共重合体、その製法及び架橋性含フッ素共重合体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】プラスチック光ファイバー材料等の光学材料として有用な、化合物等を提供する。
【解決手段】
下記一般式（１）で表される化合物。
一般式（１）
【化１】


（一般式（１）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子（¹Ｈまたは²Ｈ）または置換基を表す。ただし、一般式（１）で表される化合物に含まれる水素原子の４０％以上が²Ｈである。Ｒ¹〜Ｒ⁴は互いに結合して環を形成していてもよい。） （もっと読む）